EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來光刻領(lǐng)域的進展,。由于目前可供利用的光學(xué)材料無法很好支持波長13nm以下的輻射的反射和透射,，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長為13.5nm的紫外光作為光刻光源,。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長尺度上,，量子的不確定性效應(yīng)開始顯現(xiàn),，為相應(yīng)光源,，光罩和光刻膠的設(shè)計和使用帶來了前所未有的挑戰(zhàn),。目前 EUV 光刻機只有荷蘭 ASML 有能力制造，許多相應(yīng)的技術(shù)細節(jié)尚不為外界所知,。在即將到來的 EUV 光刻時代,，業(yè)界預(yù)期已經(jīng)流行長達 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉砑夹g(shù)變革,。光刻膠達到下游客戶要求的技術(shù)指標后,，還需要進行較長時間驗證測試（1-3 年）。江蘇半導(dǎo)體光刻膠單體

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑,。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度,。曝光后,，重氮萘醌(DQN)基團轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩c水接觸時,，進一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸,，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時除去。由此,，曝光過的光刻膠會溶解于顯影液而被去除,，而未曝光的光刻膠部分則得以保留。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似,，但是其樹脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化,，因而具有不同的分辨率。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作,，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作,。普陀g線光刻膠樹脂半導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動態(tài)噴灑法,。

隨著IC集成度的提高,，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級,、深亞微米級進入到納米級階段,。集成電路線寬不斷縮小的趨勢，對包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn),。在半導(dǎo)體制程的光刻工藝中,，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA,。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸；k1是瑞利常數(shù),，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個相關(guān)系數(shù),；λ是曝光波長，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機的孔徑數(shù)值,。因此,，光刻機需要通過降低瑞利常數(shù)和曝光波長，增大孔徑尺寸來制造具有更小特征尺寸的集成電路,。其中降低曝光波長與光刻機使用的光源以及光刻膠材料高度相關(guān),。

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  ,。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中,，進行很多次的濕法腐蝕,。只有光刻膠具有很強的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能,。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時,，需要有較好的保護電路圖形的能力,，否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用,，器件的電路性能受阻,。光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史，現(xiàn)已用于集成電路,、顯示,、PCB 等領(lǐng)域，是光刻工藝的重要材料,。

伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移,，加上我國持續(xù)增長的下游需求和政策支持力度。同時,，國內(nèi)晶圓廠進入投產(chǎn)高峰期,，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點，國內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴張。當(dāng)前我國光刻膠與全球先進水平有近40年的差距,，半導(dǎo)體國產(chǎn)化的大趨勢下,，國內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對光刻膠足夠的重視,，不斷向日本和歐美等發(fā)達國家學(xué)習(xí),，努力開發(fā)出性能優(yōu)異的國產(chǎn)光刻膠，使我國在未來的市場中占據(jù)一席之地,。光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面,。華東ArF光刻膠顯影

金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，借助光敏基團實現(xiàn)光刻膠所需的性能,。江蘇半導(dǎo)體光刻膠單體

目前國內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份,、南大光電,、上海新陽,、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線,、g線光刻膠生產(chǎn)為主,，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域,，北京科華,、博康已實現(xiàn)量產(chǎn)。國內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進程相對較快的企業(yè)為南大光電,，其先后承擔(dān)國家02專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”,，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內(nèi)通過客戶驗證的國產(chǎn)ArF光刻膠，其他國內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗證階段,。江蘇半導(dǎo)體光刻膠單體

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