靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）,、極深紫外光（EUV）等尤為重要 ,。負膠通常需5~15 s時間曝光，正膠較慢,，其曝光時間為負膠的3~4倍 ,。靈敏度反映了光刻膠材料對某種波長的光的反應(yīng)程度。不同的光刻膠對于不同的波長的光是有選擇性的,。比如248 nm波長光刻膠的成膜樹脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu),，對193 nm波長的光具有很強的吸收作用，即對193 nm波長的光是不透明的,，因此193 nm光刻膠必須改變樹脂主體,。同時，高的產(chǎn)出要求短的曝光時間,，對光刻膠的靈敏度要求也越來越高,。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo)，曝光劑量值越小,，光刻膠的靈敏度越高,。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右，而KrF和ArF的光刻膠材料,，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 ,。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對比度曲線上。國內(nèi)光刻膠市場增速遠高于全球,，國內(nèi)企業(yè)投入加大,，未來有望實現(xiàn)技術(shù)趕超。浙江ArF光刻膠溶劑
半導(dǎo)體光刻膠市場中除了美國杜邦，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR,、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種，尤其在EUV市場高度壟斷,。近年來,，隨著光刻膠的需求攀升，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售,，光刻膠方面,，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國內(nèi)主要12英寸、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中,，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進行，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過下游客戶驗證,，有望在未來形成銷售,。光刻膠保質(zhì)期通常在6個月以內(nèi)，無法囤貨,，一旦斷供可能會引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面,，由此國產(chǎn)化重要性更加凸顯。浦東光分解型光刻膠從化學(xué)組成來看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物,。
質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高,，包括不同批次間的一致性,，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平,，因此,，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定,。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計的復(fù)雜,、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑,、光敏劑,、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過不同的排列組合,，經(jīng)過復(fù)雜,、精密的加工工藝而制成,。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用,。對于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度,，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。
在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻,。在每次的光刻和刻蝕工藝中,，光刻膠都要通過預(yù)烘、涂膠,、前烘、對準(zhǔn),、曝光,、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上,。
光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,，市場巨大,。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料。 我國光刻膠行業(yè)起步較晚,，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠,、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品。
光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。配方技術(shù)是光刻膠實現(xiàn)功能的要點，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ),。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是IC芯片和FPD面板制造商,，不同的客戶會有不同的應(yīng)用需求，同一個客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求,。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中需要進行10-50道光刻過程,，由于基板不同,、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求,。針對以上不同的應(yīng)用需求,，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn),。因此,，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求,，是光刻膠制造商重要的技術(shù),。光刻膠行業(yè)日系企業(yè)實力雄厚，國內(nèi)廠商有望復(fù)刻成功經(jīng)驗,。光聚合型光刻膠光致抗蝕劑
氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成,。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時非常有用。浙江ArF光刻膠溶劑
X射線對物質(zhì)的化學(xué)作用類似電子束,，X射線曝光時,，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應(yīng)，它的能量是消耗的光電子放射過程而產(chǎn)生低能電子束上,。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化,，并激勵產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離,，或鍵合成高分子,，在某些顯影液中變成易溶或不溶。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒有本質(zhì)的區(qū)別 ,，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用,，一部分248 nm光學(xué)光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ，X射線光刻膠的分辨率十分高,，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯 ,，負膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯。浙江ArF光刻膠溶劑
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