EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來光刻領(lǐng)域的進展,。由于目前可供利用的光學材料無法很好支持波長13nm以下的輻射的反射和透射,，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進,。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長尺度上,，量子的不確定性效應開始顯現(xiàn)，為相應光源,，光罩和光刻膠的設(shè)計和使用帶來了前所未有的挑戰(zhàn),。目前 EUV 光刻機只有荷蘭 ASML 有能力制造，許多相應的技術(shù)細節(jié)尚不為外界所知,。在即將到來的 EUV 光刻時代,，業(yè)界預期已經(jīng)流行長達 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉砑夹g(shù)變革,。光刻膠達到下游客戶要求的技術(shù)指標后,，還需要進行較長時間驗證測試（1-3 年）。嘉定黑色光刻膠溶劑

浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下,，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級,。與此同時，這兩項技術(shù)對光刻膠也提出了新的要求,。在浸沒工藝中,；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學反應或浸出擴散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭,；其次,，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層,。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達到1.9以上,；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變,，影響加工精度,；當浸沒工藝目標分辨率接近10nm時,，將對于光刻膠多個性能指標的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠,，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一,。上海黑色光刻膠溶劑光刻膠下游為印刷電路板,、顯示面板和電子芯片,，廣泛應用于消費電子、航空航天等領(lǐng)域,。

隨著IC集成度的提高,，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級,、深亞微米級進入到納米級階段,。集成電路線寬不斷縮小的趨勢，對包括光刻在內(nèi)的半導體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn),。在半導體制程的光刻工藝中,，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸,；k1是瑞利常數(shù),，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個相關(guān)系數(shù)；λ是曝光波長,，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機的孔徑數(shù)值,。因此，光刻機需要通過降低瑞利常數(shù)和曝光波長,，增大孔徑尺寸來制造具有更小特征尺寸的集成電路,。其中降低曝光波長與光刻機使用的光源以及光刻膠材料高度相關(guān)。

在半導體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻,。在每次的光刻和刻蝕工藝中,，光刻膠都要通過預烘、涂膠,、前烘,、對準、曝光,、后烘,、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的重要材料,。 光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面,。

光刻膠是集成電路領(lǐng)域微加工的關(guān)鍵性材料，為推動光刻膠等半導體材料行業(yè)的發(fā)展,，近年來,，我國發(fā)布了多項利好政策支持光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展，同時國內(nèi)企業(yè)也積極研發(fā)產(chǎn)品,，主動尋求光刻膠及其他材料國產(chǎn)化?，F(xiàn)階段，我國光刻膠企業(yè)有晶瑞電材,、彤程新材,、華懋科技、南大光電等,，在國產(chǎn)替代大契機下,，國內(nèi)光刻膠企業(yè)將迎來發(fā)展良機。國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)逐漸意識到材料國產(chǎn)化的重要性,，國內(nèi)廠商也在積極研發(fā)產(chǎn)品,、加速客戶和產(chǎn)品導入、擴建相關(guān)產(chǎn)能,，在探索中砥礪前行,，從而抓住國產(chǎn)化的契機。目前已有少數(shù)企業(yè)已開始嶄露頭角,，實現(xiàn)從0到1的突破,。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。華東TFT-LCD正性光刻膠顯影

半導體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動態(tài)噴灑法,。嘉定黑色光刻膠溶劑

雖然在2007年之后，一些波長更短的準分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學材料吸收,，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學材料,，比如氟化鈣（螢石）等,，成本長期居高不下,。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn)，193nm波長ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸,，所以在45nm 到10nm之間的半導體制程工藝中,，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應用。在與浸沒光刻相對的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學反應。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射,，波長變短。這樣,，在不改變光源的前提條件下,，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率,。嘉定黑色光刻膠溶劑

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