光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的要點(diǎn),，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ),。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是IC芯片和FPD面板制造商，不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求,，同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求,。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程，由于基板不同,、分辨率要求不同,、蝕刻方式不同等，不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類(lèi)似的光刻過(guò)程,，不同的廠商也會(huì)有不同的要求,。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多,，這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn),。因此，通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方,，滿足差異化的應(yīng)用需求,，是光刻膠制造商重要的技術(shù)。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對(duì)光敏感的混合液體,。江蘇g線光刻膠溶劑
光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游：為光刻膠制造環(huán)節(jié)，當(dāng)前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要被日本JSR,、信越化學(xué),、住友化學(xué)、東京應(yīng)化,、美國(guó)陶氏化學(xué)等制造商所壟斷,，中國(guó)本土企業(yè)在光刻膠市場(chǎng)的份額較低，與國(guó)外光刻膠制造商相比仍存明顯差距,。
光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈下游：主要涉及半導(dǎo)體,、平板顯示器,、PCB等領(lǐng)域,。伴隨消費(fèi)升級(jí)、應(yīng)用終端產(chǎn)品更新迭代速度加快,，下游應(yīng)用領(lǐng)域企業(yè)對(duì)半導(dǎo)體,、平板顯示和PCB制造提出愈加精細(xì)化的要求，將帶動(dòng)光刻膠行業(yè)持續(xù)發(fā)展,。 江浙滬顯示面板光刻膠光致抗蝕劑光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜,，技術(shù)壁壘高，其研發(fā)和量產(chǎn)對(duì)企業(yè)都具有極高要求,。
在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠、i線光刻膠,、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過(guò)程中,，一般要對(duì)硅片進(jìn)行超過(guò)十次光刻,。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過(guò)預(yù)烘,、涂膠,、前烘,、對(duì)準(zhǔn)、曝光,、后烘,、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié)，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上,。
光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%,，并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場(chǎng)巨大,。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料,。
黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強(qiáng)度。主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力,。它不僅與光刻膠本身的性質(zhì)有關(guān),，而且與襯底的性質(zhì)和其表面情況等有密切關(guān)系 。作為刻蝕阻擋層,，光刻膠層必須和晶圓表面黏結(jié)得很好,，才能夠忠實(shí)地把光刻層圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面層，光刻膠的黏附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形,。光刻膠的黏附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝（刻蝕,、離子注入等）。通常負(fù)膠比正膠有更強(qiáng)的黏結(jié)能力,。
表面張力指液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力,。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動(dòng)性和覆蓋,。 聚合度越小,，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對(duì)應(yīng)的光刻圖形越小,。
光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專業(yè)公司壟斷,。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng) 87%的份額,，行業(yè)集中度高。其中,，日本 JSR,、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%,。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷,，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司,，如杜邦、JSR 株式會(huì)社,、信越化學(xué),、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm,，以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè),。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關(guān)系,，市場(chǎng)新進(jìn)入者很難與現(xiàn)有企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，簽約新客戶的難度高,。浦東黑色光刻膠曝光
高壁壘和高價(jià)值量是光刻膠的典型特征,。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè)，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中,。江蘇g線光刻膠溶劑
g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹(shù)脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度,。曝光后，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?，與水接觸時(shí),，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時(shí)除去,。由此,，曝光過(guò)的光刻膠會(huì)溶解于顯影液而被去除,，而未曝光的光刻膠部分則得以保留,。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類(lèi)似，但是其樹(shù)脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化,，因而具有不同的分辨率,。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作,。江蘇g線光刻膠溶劑
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