光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游：為光刻膠制造環(huán)節(jié),，當(dāng)前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要被日本JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)、東京應(yīng)化、美國陶氏化學(xué)等制造商所壟斷,，中國本土企業(yè)在光刻膠市場的份額較低,，與國外光刻膠制造商相比仍存明顯差距,。
光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈下游：主要涉及半導(dǎo)體,、平板顯示器、PCB等領(lǐng)域,。伴隨消費(fèi)升級,、應(yīng)用終端產(chǎn)品更新迭代速度加快，下游應(yīng)用領(lǐng)域企業(yè)對半導(dǎo)體,、平板顯示和PCB制造提出愈加精細(xì)化的要求,，將帶動光刻膠行業(yè)持續(xù)發(fā)展。 有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料,。蘇州PCB光刻膠單體
在平板顯示行業(yè)：主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠,、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等,。在光刻和蝕刻生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,，光刻膠涂覆于晶體薄膜表面，經(jīng)曝光,、顯影和蝕刻等工序?qū)⒐庹郑ㄑ谀ぐ妫┥系膱D形轉(zhuǎn)移到薄膜上,，形成與掩膜版對應(yīng)的幾何圖形,。
在PCB行業(yè),；主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠,、感光阻焊油墨等,。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上，進(jìn)行曝光顯影,；濕膜和光成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上,，待其干燥后進(jìn)行曝光顯影。干膜與濕膜各有優(yōu)勢,，總體來說濕膜光刻膠分辨率高于干膜,，價(jià)格更低廉，正在對干膜光刻膠的部分市場進(jìn)行替代,。 江蘇ArF光刻膠集成電路材料按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠,。
X射線對物質(zhì)的化學(xué)作用類似電子束，X射線曝光時(shí),，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應(yīng),，它的能量是消耗的光電子放射過程而產(chǎn)生低能電子束上。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化,，并激勵產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離，或鍵合成高分子，在某些顯影液中變成易溶或不溶,。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒有本質(zhì)的區(qū)別 ,，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用，一部分248 nm光學(xué)光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ,，X射線光刻膠的分辨率十分高,，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯 ，負(fù)膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯,。
根據(jù)2019年數(shù)據(jù),，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場87%份額。其中日本占有四家,，分別是JSR,、東京應(yīng)化(TOK)、信越化學(xué)與富士電子材料,，這四家的市場份額達(dá)到72%,，市場集中度明顯。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域,，日本廠商在市場中具有較強(qiáng)話語權(quán),。（1）g/i線光刻膠市場：日本的東京應(yīng)化、JSR,、住友化學(xué)和富士膠片分別占據(jù)26%,、15%、15%,、8%的份額,，在全球市場占據(jù)64%份額。（2）KrF光刻膠市場：日本企業(yè)東京應(yīng)化,、信越化學(xué)和JSR在全球KrF光刻膠細(xì)分市場分別占據(jù)34%,、22%和18%份額，合計(jì)占比達(dá)到74%,。（3）ArF光刻膠市場：日本企業(yè)JSR,、信越化學(xué)、東京應(yīng)化和住友化學(xué)包攬前四,，分別占據(jù)全球ArF光刻膠細(xì)分市場25%,、23%、20%和15%市場份額,，合計(jì)市場份額達(dá)到83%,。（4）EUV光刻膠市場：較先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域完全被日本企業(yè)所主導(dǎo)，日本JSR,、東京應(yīng)化,、信越化學(xué)成為EUV光刻膠市場可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的廠商,。目前引入EUV工藝的*有三星電子和臺積電兩家公司。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對光敏感的混合液體,。
黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強(qiáng)度。主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力,。它不僅與光刻膠本身的性質(zhì)有關(guān),，而且與襯底的性質(zhì)和其表面情況等有密切關(guān)系 。作為刻蝕阻擋層,，光刻膠層必須和晶圓表面黏結(jié)得很好,，才能夠忠實(shí)地把光刻層圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面層，光刻膠的黏附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形,。光刻膠的黏附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝（刻蝕,、離子注入等）。通常負(fù)膠比正膠有更強(qiáng)的黏結(jié)能力,。
表面張力指液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力,。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋,。 在平板顯示行業(yè),；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠,、TFT-LCD正性光刻膠等,。江浙滬化學(xué)放大型光刻膠印刷電路板
在集成電路制造領(lǐng)域，如果說光刻機(jī)是推動制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”,，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”,。蘇州PCB光刻膠單體
此外,，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作,。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引,，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下,，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長更短,，衍射作用小,，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨著 KrF,、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展,，248nm（KrF）、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實(shí)際使用,。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng),，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠,，這意味著光刻分辨率會受到嚴(yán)重影響。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系,，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR),。蘇州PCB光刻膠單體
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