靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要  ,。負膠通常需5~15 s時間曝光,，正膠較慢，其曝光時間為負膠的3~4倍  ,。靈敏度反映了光刻膠材料對某種波長的光的反應(yīng)程度,。不同的光刻膠對于不同的波長的光是有選擇性的。比如248 nm波長光刻膠的成膜樹脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu),，對193 nm波長的光具有很強的吸收作用,，即對193 nm波長的光是不透明的，因此193 nm光刻膠必須改變樹脂主體,。同時,，高的產(chǎn)出要求短的曝光時間,，對光刻膠的靈敏度要求也越來越高。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo),，曝光劑量值越小,，光刻膠的靈敏度越高。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右,，而KrF和ArF的光刻膠材料,，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對比度曲線上,。按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類：光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型,。江蘇光刻膠集成電路材料

光刻膠屬于半導(dǎo)體八大重要材料之一,，根據(jù)全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SEMI）近期數(shù)據(jù)，光刻膠在半導(dǎo)體晶圓制造材料價值占比5%,，光刻膠輔助材料占比7%,，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片,、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料,。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光,、電子束,、離子束、X射線等照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,，目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路加工制作環(huán)節(jié)。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）,、感光樹脂（聚合劑）,、溶劑與助劑構(gòu)成。江浙滬負性光刻膠光刻膠行業(yè)日系企業(yè)實力雄厚,，國內(nèi)廠商有望復(fù)刻成功經(jīng)驗,。

目前國內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電,、上海新陽,、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線,、g線光刻膠生產(chǎn)為主,，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域,，北京科華、博康已實現(xiàn)量產(chǎn)。國內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進程相對較快的企業(yè)為南大光電,，其先后承擔(dān)國家02專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”,，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內(nèi)通過客戶驗證的國產(chǎn)ArF光刻膠，其他國內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗證階段,。

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進步的“燃料”，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝，對制造出更先進,，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程,。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達標(biāo)會對芯片成品率造成重大影響,。在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。

    光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡,。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示,，受益于半導(dǎo)體、顯示面板,、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢,，自 2011年至今，光刻膠中國本土供應(yīng)規(guī)模年華增長率達到11%,，高于全球平均 5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元,，全球占比約 10%,，發(fā)展空間巨大,。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,，平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。一旦達成合作,，光刻膠廠商和下游集成電路制造商會形成長期合作關(guān)系,。浦東光分解型光刻膠顯影

從化學(xué)組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物,。江蘇光刻膠集成電路材料

受制于國內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平,，目前我國前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平。盡管國內(nèi)光刻膠市場保持良好的增長趨勢,，但以KrF,、ArF光刻膠為主的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國內(nèi)市場份額仍然較小，前沿光刻膠市場長期為國外巨頭所壟斷,。從技術(shù)水平來看,，目前中國本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國際先進水平存在明顯差距,，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域，而在半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低。具體而言,，半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國產(chǎn)化率為10%,，而ArF/KrF光刻膠的國產(chǎn)化率為1%,，對于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段,。江蘇光刻膠集成電路材料

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