中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導體材料領域,，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”,，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導制程的重要工藝,，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配?，F(xiàn)在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程,。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求,。光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。在選擇光刻膠時需要考慮化學性質(zhì),、照射時間,、敏感度和穩(wěn)定性等因素,，以確保所選的光刻膠能夠滿足制造要求,。上海KrF光刻膠光致抗蝕劑

光刻膠的技術壁壘包括配方技術，質(zhì)量控制技術和原材料技術,。配方技術是光刻膠實現(xiàn)功能的要點,，質(zhì)量控制技術能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎。配方技術：由于光刻膠的下游用戶是IC芯片和FPD面板制造商,，不同的客戶會有不同的應用需求,，同一個客戶也有不同的光刻應用需求。一般一塊半導體芯片在制造過程中需要進行10-50道光刻過程,，由于基板不同,、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求,。針對以上不同的應用需求,，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn),。因此,，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求,，是光刻膠制造商重要的技術,。嘉定半導體光刻膠溶劑我國光刻膠行業(yè)起步較晚,，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品,。

在雙重曝光工藝中,，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學反應，就可以節(jié)省一次刻蝕,，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程,。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會接受到相對少量的光刻輻射，在兩次曝光過程后,，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0,，而發(fā)生錯誤的光刻反應。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0,，那么就是一次合格的雙重曝光,。從這個例子可以看出，與單次曝光不同,，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強度之間的權衡,。

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉變溫度的單分散小分子有機化合物，其結構為非共面和不規(guī)則,，能夠避免結晶,，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形,。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構,，有機配體中包含光敏基團，借助光敏基團的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應實現(xiàn)光刻膠所需的性能,。從化學組成來看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。光刻膠生產(chǎn)工藝復雜,，技術壁壘高,，其研發(fā)和量產(chǎn)對企業(yè)都具有極高要求。

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學品有技術要求高,、功能性強,、產(chǎn)品更新快等特點，其產(chǎn)品品質(zhì)對下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響,。因此,，下游企業(yè)對微電子化學品供應商的質(zhì)量和供貨能力十分重視，常采用認證采購的模式,，需要通過送樣檢驗,、技術研討、信息回饋,、技術改進,、小批試做,、大批量供貨、售后服務評價等嚴格的篩選流程,。認證時間久,，要求嚴苛；一般產(chǎn)品得到下游客戶的認證需要較長的時間周期,。顯示面板行業(yè)通常為1-2年,，集成電路行業(yè)由于要求較高，認證周期能達到2-3年時間,；認證階段內(nèi),，光刻膠供應商沒有該客戶的收入，這需要供應收有足夠的資金實力,。光刻膠供應商與客戶粘性大,；一般情況下，為了保持光刻膠供應和效果的穩(wěn)定,，下游客戶與光刻膠供應商一旦建立供應關系后,，不會輕易更換。通過建立反饋機制,，滿足個性化需求,，光刻膠供應商與客戶的粘性不斷增加。后來者想要加入到供應商行列,，往往需要滿足比現(xiàn)有供應商更高的要求,。所以光刻膠行業(yè)對新進入者壁壘較高,。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠,。江浙滬黑色光刻膠溶劑

從化學組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物,。上海KrF光刻膠光致抗蝕劑

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑,，是指通過紫外光、電子束,、離子束,、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,。由感光樹脂,、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中,，用作抗腐蝕涂層材料,。半導體材料在表面加工時，若采用適當?shù)挠羞x擇性的光刻膠,，可在表面上得到所需的圖像,。光刻膠按其形成的圖像分類有正性,、負性兩大類。在光刻膠工藝過程中,，涂層曝光,、顯影后，曝光部分被溶解,，未曝光部分留下來,，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來,，而未曝光被溶解,，該涂層材料為負性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同,，又分為紫外光刻膠（包括紫外正,、負性光刻膠）、深紫外光刻膠,、X-射線膠,、電子束膠、離子束膠等,。光刻膠主要應用于顯示面板,、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業(yè) 。光刻膠生產(chǎn)技術較為復雜,，品種規(guī)格較多,，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對所使用光刻膠有嚴格的要求,。上海KrF光刻膠光致抗蝕劑

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