光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑,，是指通過(guò)紫外光,、電子束,、離子束、X射線等的照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體,。在光刻工藝過(guò)程中,，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí),，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠,，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類(lèi)有正性,、負(fù)性兩大類(lèi),。在光刻膠工藝過(guò)程中，涂層曝光,、顯影后,，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來(lái),，該涂層材料為正性光刻膠,。如果曝光部分被保留下來(lái)，而未曝光被溶解,，該涂層材料為負(fù)性光刻膠,。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正,、負(fù)性光刻膠）,、深紫外光刻膠、X-射線膠,、電子束膠,、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板,、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè) ,。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜,，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中,，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要求,。有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠結(jié)合了有機(jī)和無(wú)機(jī)材料的優(yōu)點(diǎn)，在可加工性,、抗蝕刻性,、極紫外光吸收具有優(yōu)勢(shì)。嘉定黑色光刻膠顯示面板材料

導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動(dòng)態(tài)噴灑法。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過(guò)滴膠頭堆積在硅片的中心,，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開(kāi),，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過(guò)程中,，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分,。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會(huì)導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片,，量大了會(huì)導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面,，影響工藝質(zhì)量。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足新型的硅片加工需求,。相對(duì)靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言，動(dòng)態(tài)噴灑法在光刻膠對(duì)硅片進(jìn)行澆注的時(shí)刻就開(kāi)始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進(jìn)行**初的擴(kuò)散,。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展,，以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。普陀ArF光刻膠集成電路材料光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類(lèi)——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后,，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的,。一般來(lái)說(shuō)，橡膠具有較好的耐腐蝕性,，但是它的感光活性很差,。橡膠的分子量在數(shù)十萬(wàn)以上，因此溶解性甚低,，無(wú)論在光刻膠的配制還是顯影過(guò)程中都有很大困難,。因此無(wú)法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類(lèi)光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑,，又稱架橋劑,，可以起到光化學(xué)固化作用,，依賴于帶有雙感光性官能團(tuán)的交聯(lián)劑參加反應(yīng)，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基,，它和聚烴類(lèi)樹(shù)脂相作用,，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì),。

EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來(lái)光刻領(lǐng)域的進(jìn)展,。由于目前可供利用的光學(xué)材料無(wú)法很好支持波長(zhǎng)13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長(zhǎng)為13.5nm的紫外光作為光刻光源,。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進(jìn),。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長(zhǎng)尺度上，量子的不確定性效應(yīng)開(kāi)始顯現(xiàn),，為相應(yīng)光源,，光罩和光刻膠的設(shè)計(jì)和使用帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn)。目前 EUV 光刻機(jī)只有荷蘭 ASML 有能力制造,，許多相應(yīng)的技術(shù)細(xì)節(jié)尚不為外界所知,。在即將到來(lái)的 EUV 光刻時(shí)代，業(yè)界預(yù)期已經(jīng)流行長(zhǎng)達(dá) 20 年之久的 KrF,、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉?lái)技術(shù)變革,。高壁壘和高價(jià)值量是光刻膠的典型特征。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中,。

雖然在2007年之后，一些波長(zhǎng)更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收,，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無(wú)法正常工作。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料,，比如氟化鈣（螢石）等,，成本長(zhǎng)期居高不下。再加上浸沒(méi)光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn),，193nm波長(zhǎng)ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸,，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用,。在與浸沒(méi)光刻相對(duì)的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。在浸沒(méi)光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體,。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過(guò)這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射,，波長(zhǎng)變短,。這樣，在不改變光源的前提條件下,，更短波長(zhǎng)的紫外光被投影光刻膠上,，提高了光刻加工的分辨率。光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi),，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠,?；瘜W(xué)放大型光刻膠

一旦達(dá)成合作，光刻膠廠商和下游集成電路制造商會(huì)形成長(zhǎng)期合作關(guān)系,。嘉定黑色光刻膠顯示面板材料

根據(jù)2019年數(shù)據(jù),，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)87%份額。其中日本占有四家,，分別是JSR、東京應(yīng)化(TOK),、信越化學(xué)與富士電子材料,，這四家的市場(chǎng)份額達(dá)到72%，市場(chǎng)集中度明顯,。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域,，日本廠商在市場(chǎng)中具有較強(qiáng)話語(yǔ)權(quán)。（1）g/i線光刻膠市場(chǎng)：日本的東京應(yīng)化,、JSR,、住友化學(xué)和富士膠片分別占據(jù)26%、15%,、15%,、8%的份額，在全球市場(chǎng)占據(jù)64%份額,。（2）KrF光刻膠市場(chǎng)：日本企業(yè)東京應(yīng)化,、信越化學(xué)和JSR在全球KrF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)分別占據(jù)34%、22%和18%份額,，合計(jì)占比達(dá)到74%,。（3）ArF光刻膠市場(chǎng)：日本企業(yè)JSR、信越化學(xué),、東京應(yīng)化和住友化學(xué)包攬前四,，分別占據(jù)全球ArF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)25%、23%,、20%和15%市場(chǎng)份額,，合計(jì)市場(chǎng)份額達(dá)到83%,。（4）EUV光刻膠市場(chǎng)：較先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域完全被日本企業(yè)所主導(dǎo)，日本JSR,、東京應(yīng)化,、信越化學(xué)成為EUV光刻膠市場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的廠商。目前引入EUV工藝的*有三星電子和臺(tái)積電兩家公司,。嘉定黑色光刻膠顯示面板材料

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