伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國持續(xù)增長的下游需求和政策支持力度。同時，國內(nèi)晶圓廠進入投產(chǎn)高峰期，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點,，國內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴張。當(dāng)前我國光刻膠與全球先進水平有近40年的差距,，半導(dǎo)體國產(chǎn)化的大趨勢下,，國內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對光刻膠足夠的重視,，不斷向日本和歐美等發(fā)達國家學(xué)習(xí),，努力開發(fā)出性能優(yōu)異的國產(chǎn)光刻膠，使我國在未來的市場中占據(jù)一席之地,。中國半導(dǎo)體光刻膠的快速崛起離不開中國整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,。上海KrF光刻膠其他助劑

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光,、電子束,、離子束、X射線等的照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體,。在光刻工藝過程中,，用作抗腐蝕涂層材料,。半導(dǎo)體材料在表面加工時，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠,，可在表面上得到所需的圖像,。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類,。在光刻膠工藝過程中,，涂層曝光,、顯影后,，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來,，該涂層材料為正性光刻膠,。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解,，該涂層材料為負性光刻膠,。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正,、負性光刻膠）,、深紫外光刻膠、X-射線膠,、電子束膠,、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板,、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細微圖形加工作業(yè) ,。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜，品種規(guī)格較多,，在電子工業(yè)集成電路的制造中,，對所使用光刻膠有嚴格的要求。蘇州濕膜光刻膠曝光光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料,，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介,。

質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高,，包括不同批次間的一致性,，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平,，因此,，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定,。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴格設(shè)計的復(fù)雜,、精密的配方產(chǎn)品,，由成膜劑、光敏劑,、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料,，通過不同的排列組合，經(jīng)過復(fù)雜,、精密的加工工藝而制成,。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用,。對于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度,，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標準。

肉桂酸酯類的光刻膠：這類光刻膠在紫外光的照射下,，肉桂酸上的不飽和鍵會打開,，產(chǎn)生自由基，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu),。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠,、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物,，對二氧化硅,、鋁、氧化鉻等材料都有良好的附著力,，耐氫氟酸,、磷酸腐蝕；中者膠在曝光下幾乎不受氧的影響,，無須氮氣保護,，分辨率1 μm左右，靈敏度較前者膠高1倍,，黏附性好,，抗蝕能力強，圖形清晰,、線條整齊,，耐熱性好，顯影后可在190℃堅膜0.5 h不變質(zhì),，感光范圍在250~475 nm,，特別對436 nm十分敏感，屬線型高分子聚合物,；第三種膠能溶于酮類,、烷烴等溶劑，不溶于水,、乙醇等,。有較好的黏附性和感光性 ,，分辨率也很高，感光速度快,。光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜,，技術(shù)壁壘高，其研發(fā)和量產(chǎn)對企業(yè)都具有極高要求,。

隨著IC集成度的提高,，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級,、深亞微米級進入到納米級階段,。集成電路線寬不斷縮小的趨勢，對包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn),。在半導(dǎo)體制程的光刻工藝中,，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA,。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸,；k1是瑞利常數(shù)，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個相關(guān)系數(shù),；λ是曝光波長,，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機的孔徑數(shù)值。因此,，光刻機需要通過降低瑞利常數(shù)和曝光波長,，增大孔徑尺寸來制造具有更小特征尺寸的集成電路。其中降低曝光波長與光刻機使用的光源以及光刻膠材料高度相關(guān),。聚合度越小,，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對應(yīng)的光刻圖形越小,。普陀LCD觸摸屏用光刻膠印刷電路板

半導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動態(tài)噴灑法。上海KrF光刻膠其他助劑

受制于國內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平,，目前我國前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平,。盡管國內(nèi)光刻膠市場保持良好的增長趨勢，但以KrF,、ArF光刻膠為主的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國內(nèi)市場份額仍然較小,，前沿光刻膠市場長期為國外巨頭所壟斷。從技術(shù)水平來看,，目前中國本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國際先進水平存在明顯差距,，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域，而在半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低,。具體而言,，半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國產(chǎn)化率為10%,，而ArF/KrF光刻膠的國產(chǎn)化率為1%，對于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段,。上海KrF光刻膠其他助劑

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