在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠、i線光刻膠,、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過程中,，一般要對硅片進(jìn)行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中,，光刻膠都要通過預(yù)烘,、涂膠、前烘,、對準(zhǔn),、曝光,、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上,。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費(fèi)時間約占整個芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大,。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料,。 光刻膠下游為印刷電路板、顯示面板和電子芯片,，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域,。蘇州ArF光刻膠溶劑

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高,、功能性強(qiáng)、產(chǎn)品更新快等特點(diǎn),，其產(chǎn)品品質(zhì)對下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響,。因此，下游企業(yè)對微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視,，常采用認(rèn)證采購的模式,，需要通過送樣檢驗(yàn),、技術(shù)研討,、信息回饋、技術(shù)改進(jìn),、小批試做、大批量供貨,、售后服務(wù)評價等嚴(yán)格的篩選流程,。認(rèn)證時間久，要求嚴(yán)苛,；一般產(chǎn)品得到下游客戶的認(rèn)證需要較長的時間周期,。顯示面板行業(yè)通常為1-2年，集成電路行業(yè)由于要求較高,，認(rèn)證周期能達(dá)到2-3年時間,；認(rèn)證階段內(nèi)，光刻膠供應(yīng)商沒有該客戶的收入,，這需要供應(yīng)收有足夠的資金實(shí)力,。光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大；一般情況下,，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,，下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后，不會輕易更換,。通過建立反饋機(jī)制,，滿足個性化需求，光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加,。后來者想要加入到供應(yīng)商行列,，往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對新進(jìn)入者壁壘較高,。江蘇光刻膠溶劑在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等,。

在雙重曝光工藝中,，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，就可以節(jié)省一次刻蝕,，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程,。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會接受到相對少量的光刻輻射，在兩次曝光過程后,，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0,，而發(fā)生錯誤的光刻反應(yīng)。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0,，那么就是一次合格的雙重曝光,。從這個例子可以看出，與單次曝光不同,，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強(qiáng)度之間的權(quán)衡,。

光刻膠是集成電路領(lǐng)域微加工的關(guān)鍵性材料，為推動光刻膠等半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展,，近年來,，我國發(fā)布了多項(xiàng)利好政策支持光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展，同時國內(nèi)企業(yè)也積極研發(fā)產(chǎn)品,，主動尋求光刻膠及其他材料國產(chǎn)化?，F(xiàn)階段，我國光刻膠企業(yè)有晶瑞電材,、彤程新材,、華懋科技、南大光電等,，在國產(chǎn)替代大契機(jī)下,，國內(nèi)光刻膠企業(yè)將迎來發(fā)展良機(jī),。國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)逐漸意識到材料國產(chǎn)化的重要性,，國內(nèi)廠商也在積極研發(fā)產(chǎn)品、加速客戶和產(chǎn)品導(dǎo)入,、擴(kuò)建相關(guān)產(chǎn)能,，在探索中砥礪前行，從而抓住國產(chǎn)化的契機(jī),。目前已有少數(shù)企業(yè)已開始嶄露頭角,，實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。光刻膠達(dá)到下游客戶要求的技術(shù)指標(biāo)后,，還需要進(jìn)行較長時間驗(yàn)證測試（1-3 年）,。

歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀(jì)80年代,，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間,。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn),，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高,，波長**短的兩個譜線,。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此很早被用來當(dāng)作光刻光源,。使用波長短,，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率,。以研究光譜而聞名的近代德國科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長的光譜分別命名為G線和I線,。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來。按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類：光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型,，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。蘇州ArF光刻膠曝光

光刻膠也稱為光致抗蝕劑,，是一種光敏材料,，受到光照后特性會發(fā)生改變，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域,。蘇州ArF光刻膠溶劑

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體,。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射,，波長變短。這樣,，在不改變光源的前提條件下,，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過兩次光刻使得加工分辨率翻倍。實(shí)現(xiàn)這個目的的一種方法是在開始光刻過后平移同一個光罩進(jìn)行第二次光刻,，以提高加工分辨率,。下圖右展示了這樣一個過程。下圖右中雙重光刻子進(jìn)行了兩次涂膠，兩次光刻和兩次刻蝕,。隨著光刻膠技術(shù)的進(jìn)步,，只需要一次涂膠,，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能,。蘇州ArF光刻膠溶劑

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