g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度,。曝光后,，重氮萘醌(DQN)基團轉變?yōu)橄┩c水接觸時,，進一步轉變?yōu)檐崃u酸,，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時除去。由此,，曝光過的光刻膠會溶解于顯影液而被去除,，而未曝光的光刻膠部分則得以保留。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似,，但是其樹脂和感光劑在微觀結構上均有變化,，因而具有不同的分辨率。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作,，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作。光刻膠的研發(fā)是不斷進行配方調試的過程,，且難以通過現(xiàn)有產(chǎn)品反向解構出其配方,，這對技術有很大的要求。華東PCB光刻膠顯示面板材料

按顯示效果分類,；光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠,。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同,。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致,，區(qū)別在于主要原材料不同。

按照化學結構分類,；光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型，光交聯(lián)型和化學放大型,。光聚合型光刻膠采用烯類單體,，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合,，生成聚合物,；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應,，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,，在光的作用下,，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結構，而起到抗蝕作用,，可以制成負性光刻膠,。 江蘇LCD觸摸屏用光刻膠光致抗蝕劑氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成,。在制造高質量微電子設備時非常有用。

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉移到晶片的過程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  。在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學刻蝕液中,，進行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強的抗蝕性,，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能。在干法刻蝕中,，例如集成電路工藝中在進行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時,，需要有較好的保護電路圖形的能力，否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度,。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應起到的作用,，器件的電路性能受阻。

隨著IC集成度的提高,，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級,、亞微米級、深亞微米級進入到納米級階段,。集成電路線寬不斷縮小的趨勢,，對包括光刻在內的半導體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn)。在半導體制程的光刻工藝中,，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA,。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸；k1是瑞利常數(shù),，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個相關系數(shù),；λ是曝光波長，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機的孔徑數(shù)值,。因此,，光刻機需要通過降低瑞利常數(shù)和曝光波長，增大孔徑尺寸來制造具有更小特征尺寸的集成電路,。其中降低曝光波長與光刻機使用的光源以及光刻膠材料高度相關,。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。

目前國內從事半導體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份,、南大光電,、上海新陽,、北京科華等。相關企業(yè)以i 線,、g線光刻膠生產(chǎn)為主,，應用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領域,，北京科華,、博康已實現(xiàn)量產(chǎn)。國內在ArF光刻膠領域產(chǎn)業(yè)化進程相對較快的企業(yè)為南大光電,，其先后承擔國家02專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠產(chǎn)品關鍵技術研發(fā)項目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”,，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內通過客戶驗證的國產(chǎn)ArF光刻膠，其他國內企業(yè)尚處于研發(fā)和驗證階段,。光刻膠的技術壁壘包括配方技術,，質量控制技術和原材料技術。華東光分解型光刻膠樹脂

聚合度越小,，發(fā)生微相分離的尺寸越小,，對應的光刻圖形越小。華東PCB光刻膠顯示面板材料

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額,，行業(yè)集中度高。其中,，日本 JSR,、東京應化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%,。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導體光刻膠技術亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司，如杜邦,、JSR 株式會社,、信越化學、東京應化工業(yè),、Fujifilm,，以及韓國東進等企業(yè)。整個光刻膠市場格局來看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。華東PCB光刻膠顯示面板材料

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