抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  ,。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學刻蝕液中，進行很多次的濕法腐蝕,。只有光刻膠具有很強的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能,。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時,，需要有較好的保護電路圖形的能力,，否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應起到的作用,，器件的電路性能受阻,。在集成電路制造領(lǐng)域，如果說光刻機是推動制程技術(shù)進步的“引擎”,，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”,。華東顯示面板光刻膠印刷電路板

日韓材料摩擦：半導體材料國產(chǎn)化是必然趨勢；2019年7月份,，在日韓貿(mào)易爭端的背景下,，日本宣布對韓國實施三種半導體產(chǎn)業(yè)材料實施禁運，包含刻蝕氣體，光刻膠和氟聚酰亞胺,。韓國是全球存儲器生產(chǎn)基地,，顯示屏生產(chǎn)基地，也是全球晶圓代工基地,，三星,，海力士，東部高科等一大批晶圓代工廠和顯示屏廠都需要日本的半導體材料,。這三種材料直接掐斷了韓國存儲器和顯示屏的經(jīng)濟支柱,。目前中國大陸對于電子材料，特別是光刻膠方面對國外依賴較高,。所以在半導體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢,。江浙滬PCB光刻膠顯影經(jīng)過多年技術(shù)積累，國內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學品產(chǎn)能,，國內(nèi)公司市場份額逐步提升,，國產(chǎn)替代正在進行。

受制于國內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平,，目前我國前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平,。盡管國內(nèi)光刻膠市場保持良好的增長趨勢，但以KrF,、ArF光刻膠為主的半導體光刻膠領(lǐng)域國內(nèi)市場份額仍然較小,，前沿光刻膠市場長期為國外巨頭所壟斷。從技術(shù)水平來看,，目前中國本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國際先進水平存在明顯差距,，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域，而在半導體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低,。具體而言,，半導體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國產(chǎn)化率為10%，而ArF/KrF光刻膠的國產(chǎn)化率為1%,，對于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段,。

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額，行業(yè)集中度高,。其中,，日本 JSR、東京應化,、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%,。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司，如杜邦,、JSR 株式會社,、信越化學、東京應化工業(yè),、Fujifilm,，以及韓國東進等企業(yè)。整個光刻膠市場格局來看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。高壁壘和高價值量是光刻膠的典型特征。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),，全球供應市場高度集中,。

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻,。聚焦離子束光刻用途較多,，常以鎵離子修補傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+,、H2+,、H3+、He+,，以鏤空式模板,，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似,，不需要掩膜板,，應用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強,，因此具有更好的分辨率,。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射,，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm）,，因此利用離子光學系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細微離子束,，從而進行高分辨率的離子束曝光。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對光敏感的混合液體,。普陀半導體光刻膠溶劑

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。華東顯示面板光刻膠印刷電路板

在半導體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻,。在每次的光刻和刻蝕工藝中,，光刻膠都要通過預烘、涂膠,、前烘,、對準、曝光,、后烘,、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié)，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上,。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大,。因此光刻膠是半導體集成電路制造的重要材料,。 華東顯示面板光刻膠印刷電路板

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