隨著IC集成度的提高,，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級,、亞微米級,、深亞微米級進入到納米級階段,。集成電路線寬不斷縮小的趨勢，對包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn),。在半導(dǎo)體制程的光刻工藝中,，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸,；k1是瑞利常數(shù)，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個相關(guān)系數(shù),；λ是曝光波長,，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機的孔徑數(shù)值。因此,，光刻機需要通過降低瑞利常數(shù)和曝光波長,，增大孔徑尺寸來制造具有更小特征尺寸的集成電路。其中降低曝光波長與光刻機使用的光源以及光刻膠材料高度相關(guān),。光刻膠的研發(fā)是不斷進行配方調(diào)試的過程,，且難以通過現(xiàn)有產(chǎn)品反向解構(gòu)出其配方，這對技術(shù)有很大的要求。江蘇光刻膠顯影

在CAR技術(shù)體系中,，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度,，而是產(chǎn)生酸。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下,，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度,。因此CAR技術(shù)體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會在曝光過程中消耗而是作為催化劑而存在,，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用,。CAR光刻膠的光敏感性很強，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少,，因此加強了光刻的效率,。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右。蘇州g線光刻膠其他助劑在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠,、濕膜光刻膠,、感光阻焊油墨等。

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進步的“燃料”,，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝,，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程,。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求,。光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。

在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻,。在每次的光刻和刻蝕工藝中,，光刻膠都要通過預(yù)烘,、涂膠、前烘,、對準,、曝光、后烘,、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,，市場巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料,。 氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成,。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時非常有用。

浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下,，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級,。與此同時，這兩項技術(shù)對光刻膠也提出了新的要求,。在浸沒工藝中,；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭,；其次,，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層,。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達到1.9以上,；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變,，影響加工精度,；當浸沒工藝目標分辨率接近10nm時，將對于光刻膠多個性能指標的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn),。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠,，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),，目前主要技術(shù)主要掌握在日,、美等國際大公司手中,，全球供應(yīng)市場高度集中,。普陀光交聯(lián)型光刻膠光引發(fā)劑

在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。江蘇光刻膠顯影

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高、功能性強,、產(chǎn)品更新快等特點,，其產(chǎn)品品質(zhì)對下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響。因此,，下游企業(yè)對微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視,，常采用認證采購的模式，需要通過送樣檢驗,、技術(shù)研討,、信息回饋、技術(shù)改進,、小批試做,、大批量供貨、售后服務(wù)評價等嚴格的篩選流程,。認證時間久,，要求嚴苛；一般產(chǎn)品得到下游客戶的認證需要較長的時間周期,。顯示面板行業(yè)通常為1-2年,，集成電路行業(yè)由于要求較高，認證周期能達到2-3年時間,；認證階段內(nèi),，光刻膠供應(yīng)商沒有該客戶的收入，這需要供應(yīng)收有足夠的資金實力,。光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大,；一般情況下，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,，下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后,，不會輕易更換。通過建立反饋機制,，滿足個性化需求,，光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加。后來者想要加入到供應(yīng)商行列,，往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求,。所以光刻膠行業(yè)對新進入者壁壘較高。江蘇光刻膠顯影

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