光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額,，行業(yè)集中度高,。其中,，日本 JSR,、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%,。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司，如杜邦,、JSR 株式會社,、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè),、Fujifilm，以及韓國東進(jìn)等企業(yè),。整個光刻膠市場格局來看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑,、光致產(chǎn)酸劑）,、光刻膠樹脂、單體,、溶劑和其他助劑,。嘉定g線光刻膠印刷電路板

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑,。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度。曝光后,，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?，與水接觸時，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸,，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時除去,。由此，曝光過的光刻膠會溶解于顯影液而被去除,，而未曝光的光刻膠部分則得以保留,。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似，但是其樹脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化,，因而具有不同的分辨率,。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作,。嘉定g線光刻膠印刷電路板中國半導(dǎo)體光刻膠的快速崛起離不開中國整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,。

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻,。聚焦離子束光刻用途較多,，常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板,；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+,、H3+,、He+，以鏤空式模板,，縮小投影（4~5倍） ,。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似，不需要掩膜板,，應(yīng)用高能離子束直寫,。離子束的散射沒有電子束那么強(qiáng)，因此具有更好的分辨率,。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金,，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm）,，因此利用離子光學(xué)系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細(xì)微離子束，從而進(jìn)行高分辨率的離子束曝光,。

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝，對制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過程,。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會對芯片成品率造成重大影響,。在平板顯示行業(yè),；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠,、TFT-LCD正性光刻膠等,。

分辨率即光刻工藝中所能形成較小尺寸的有用圖像。是區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（CD,，Critical Dimension）來衡量分辨率,。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好 ,。此性質(zhì)深受光刻膠材質(zhì)本身物理化學(xué)性質(zhì)的影響,，必須避免光刻膠材料在顯影過程中收縮或在硬烤中流動。因此,，若要使光刻材料擁有良好的分辨能力,，需謹(jǐn)慎選擇高分子基材及所用的顯影劑。分辨率和焦深都是光刻中圖像質(zhì)量的關(guān)鍵因素,。在光刻中既要獲得更好的分辨率來形成關(guān)鍵尺寸圖形,，又要保持合適的焦深是非常矛盾的。雖然分辨率非常依賴于曝光設(shè)備,，但是高性能的曝光工具需要與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力,。光刻膠行業(yè)日系企業(yè)實力雄厚，國內(nèi)廠商有望復(fù)刻成功經(jīng)驗,。蘇州光聚合型光刻膠單體

目前,，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,，平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。嘉定g線光刻膠印刷電路板

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射,，波長變短,。這樣，在不改變光源的前提條件下,，更短波長的紫外光被投影光刻膠上,，提高了光刻加工的分辨率。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過兩次光刻使得加工分辨率翻倍,。實現(xiàn)這個目的的一種方法是在開始光刻過后平移同一個光罩進(jìn)行第二次光刻,，以提高加工分辨率。下圖右展示了這樣一個過程,。下圖右中雙重光刻子進(jìn)行了兩次涂膠,，兩次光刻和兩次刻蝕。隨著光刻膠技術(shù)的進(jìn)步，只需要一次涂膠,，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能,。嘉定g線光刻膠印刷電路板

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