質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高,，包括不同批次間的一致性,，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平,，因此,，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定,。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計的復(fù)雜,、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑,、光敏劑,、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過不同的排列組合,，經(jīng)過復(fù)雜,、精密的加工工藝而制成。因此,，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用,。對于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),。在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。嘉定光聚合型光刻膠曝光

在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開始使用深紫外（DUV）光源以后，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流,。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中,，樹脂是具有化學(xué)基團保護因而難以溶解的聚乙烯,。化學(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑,。當(dāng)光刻膠曝光后,，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑,，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解?；瘜W(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍,，對深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性，同時具有高對比度,，對高分辨率等優(yōu)點,。按照曝光波長分類；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）,、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV,，13.5nm）,、電子束光刻膠、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等,。不同曝光波長的光刻膠,，其適用的光刻極限分辨率不同。通常來說,，在使用工藝方法一致的情況下,，波長越短，加工分辨率越佳,。蘇州PCB光刻膠集成電路材料一旦達(dá)成合作,，光刻膠廠商和下游集成電路制造商會形成長期合作關(guān)系。

此外,，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作,。90年代后半期,，遵從摩爾定律的指引,，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù),。深紫外光由于波長更短,，衍射作用小,，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨著 KrF,、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展,，248nm（KrF）、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實際使用,。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強烈吸收效應(yīng),，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠,，這意味著光刻分辨率會受到嚴(yán)重影響。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系,，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR),。

中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點不斷縮小,，光刻工藝對光刻膠要求越來越高,，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元,，年復(fù)合增速為5.4%，預(yù)計未來5年年均增速約8%-10%,；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣,，年復(fù)合增速為9.8%，預(yù)計未來5年年均增速約10%,。以前,，光刻膠主要依賴進口，隨著科技的逐漸發(fā)展,，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯,，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會越來越成熟,，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢。光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史,，現(xiàn)已用于集成電路,、顯示、PCB 等領(lǐng)域,，是光刻工藝的重要材料,。

通常光刻膠等微電子化學(xué)品不僅品質(zhì)要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需,。如果沒有規(guī)模效益,，供應(yīng)商就無法承擔(dān)滿足多樣化需求帶來的開銷。因此,，品種規(guī)模構(gòu)成了進入該行業(yè)的重要壁壘,。同時，一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性,，對生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求,，且生產(chǎn)環(huán)境需要進行無塵或微塵處理。制備微電子化學(xué)品還需要全封閉,、自動化的工藝流程,，以避免污染，提高質(zhì)量,。因此,，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備,、生產(chǎn)工藝系統(tǒng),、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高,。如果沒有強大的資金實力,，企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競爭優(yōu)勢,，以提升可持續(xù)發(fā)展能力,。因此，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘,。彩色光刻膠及黑色光刻膠市場也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導(dǎo)的格局,，國內(nèi)企業(yè)有雅克科技、飛凱材料,、彤程新材等,。普陀光聚合型光刻膠光引發(fā)劑

在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠,、感光阻焊油墨等,。嘉定光聚合型光刻膠曝光

目前國內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份,、南大光電、上海新陽,、北京科華等,。相關(guān)企業(yè)以i 線、g線光刻膠生產(chǎn)為主,，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上,。在KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華,、博康已實現(xiàn)量產(chǎn),。國內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進程相對較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔(dān)國家02專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”,，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內(nèi)通過客戶驗證的國產(chǎn)ArF光刻膠,，其他國內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗證階段。嘉定光聚合型光刻膠曝光