X射線對物質(zhì)的化學作用類似電子束,，X射線曝光時,，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應(yīng)，它的能量是消耗的光電子放射過程而產(chǎn)生低能電子束上,。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化,，并激勵產(chǎn)生化學反應(yīng)，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離,，或鍵合成高分子,，在某些顯影液中變成易溶或不溶,。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒有本質(zhì)的區(qū)別  ，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用,，一部分248 nm光學光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ,，X射線光刻膠的分辨率十分高，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯  ,，負膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯,。國內(nèi)光刻膠市場增速遠高于全球，國內(nèi)企業(yè)投入加大,，未來有望實現(xiàn)技術(shù)趕超,。昆山PCB光刻膠顯示面板材料

光刻膠屬于半導(dǎo)體八大重要材料之一，根據(jù)全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SEMI）近期數(shù)據(jù),，光刻膠在半導(dǎo)體晶圓制造材料價值占比5%,，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%,，光刻膠及輔助材料是繼硅片,、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是指通過紫外光,、電子束、離子束,、X射線等照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路加工制作環(huán)節(jié),。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）,、感光樹脂（聚合劑）、溶劑與助劑構(gòu)成,。光交聯(lián)型光刻膠光引發(fā)劑目前,，我國光刻膠自給率較低，生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品,，國產(chǎn)替代的空間廣闊,。

此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作,。90年代后半期,，遵從摩爾定律的指引，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下,，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù),。深紫外光由于波長更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源,。隨著 KrF,、ArF等稀有氣體鹵化物準分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）,、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實際使用,。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠,，這意味著光刻分辨率會受到嚴重影響,。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系，這種技術(shù)體系被稱為化學放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR),。

歷史上光刻機所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢,。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀80年代,，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間,。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進,，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高,，波長**短的兩個譜線,。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此很早被用來當作光刻光源,。使用波長短,，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發(fā)光化學反應(yīng)、提高光刻分別率,。以研究光譜而聞名的近代德國科學家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長的光譜分別命名為G線和I線,。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來。光刻膠市場 ArF 與 KrF 占據(jù)主流,，EUV 增長較快,。

雖然在2007年之后,，一些波長更短的準分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學材料吸收，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作,。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學材料,，比如氟化鈣（螢石）等，成本長期居高不下,。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn),，193nm波長ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用,。在與浸沒光刻相對的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學反應(yīng),。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體,。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射,，波長變短。這樣,，在不改變光源的前提條件下,，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率,。在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠,、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等,。昆山TFT-LCD正性光刻膠顯示面板材料

光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。昆山PCB光刻膠顯示面板材料

質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性,、一致性要求高,，包括不同批次間的一致性，通常希望對感光靈敏度,、膜厚的一致性保持在較高水平,，因此，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測試儀器,，還需要建立一套嚴格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定,。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴格設(shè)計的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品,，由成膜劑,、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料,，通過不同的排列組合,，經(jīng)過復(fù)雜、精密的加工工藝而制成,。因此,，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。對于半導(dǎo)體化學化學試劑的純度,，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標準,。昆山PCB光刻膠顯示面板材料