目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域,，有2-3代差距，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè),、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間巨大,。當(dāng)今,，中國通過國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）撬動全社會資源對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行投資和扶持。同時,，國內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇,，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù)，力爭早日追上國際先進(jìn)水平,，打進(jìn)國內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈,。光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在展開，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè),。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域，盡管國產(chǎn)光刻膠距離國際先進(jìn)水平仍然有差距,，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下,，中國已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實現(xiàn)了技術(shù)突破。按曝光波長可分為紫外光刻膠,、深紫外光刻膠,、極紫外光刻膠、電子束光刻膠,、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等。江浙滬顯示面板光刻膠曝光

半導(dǎo)體光刻膠市場中除了美國杜邦,，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場高度壟斷,。近年來，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象,。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售,，光刻膠方面,，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國內(nèi)主要12英寸、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中,，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過下游客戶驗證,，有望在未來形成銷售,。光刻膠保質(zhì)期通常在6個月以內(nèi)，無法囤貨,，一旦斷供可能會引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面,，由此國產(chǎn)化重要性更加凸顯。蘇州半導(dǎo)體光刻膠曝光光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),，目前主要技術(shù)主要掌握在日,、美等國際大公司手中，全球供應(yīng)市場高度集中,。

雖然在2007年之后,，一些波長更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn)，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收,，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作,。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料，比如氟化鈣（螢石）等,，成本長期居高不下,。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn)，193nm波長ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸,，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中,，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用。在與浸沒光刻相對的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射,，波長變短,。這樣，在不改變光源的前提條件下,，更短波長的紫外光被投影光刻膠上,，提高了光刻加工的分辨率。

分辨率即光刻工藝中所能形成較小尺寸的有用圖像,。是區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力,。一般用關(guān)鍵尺寸（CD,，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,，光刻膠的分辨率越好 ,。此性質(zhì)深受光刻膠材質(zhì)本身物理化學(xué)性質(zhì)的影響，必須避免光刻膠材料在顯影過程中收縮或在硬烤中流動,。因此,，若要使光刻材料擁有良好的分辨能力，需謹(jǐn)慎選擇高分子基材及所用的顯影劑,。分辨率和焦深都是光刻中圖像質(zhì)量的關(guān)鍵因素,。在光刻中既要獲得更好的分辨率來形成關(guān)鍵尺寸圖形，又要保持合適的焦深是非常矛盾的,。雖然分辨率非常依賴于曝光設(shè)備，但是高性能的曝光工具需要與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力,。光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在展開,，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè),。

此外,，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期,，遵從摩爾定律的指引,，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù),。深紫外光由于波長更短,，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源,。隨著 KrF,、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）,、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實際使用,。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠,，這意味著光刻分辨率會受到嚴(yán)重影響,。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR),。光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。普陀光聚合型光刻膠

按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類：光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型,，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型,。江浙滬顯示面板光刻膠曝光

質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高,，包括不同批次間的一致性,，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平,，因此,，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定,。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計的復(fù)雜,、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑,、光敏劑,、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過不同的排列組合,，經(jīng)過復(fù)雜,、精密的加工工藝而制成。因此,，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用,。對于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),。江浙滬顯示面板光刻膠曝光