光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤,、旋轉(zhuǎn)涂膠,、軟烘、曝光,、曝光后烘烤,、顯影、堅(jiān)膜烘烤,、顯影檢查等工序,。在光刻過(guò)程中，光刻膠被均勻涂布在襯底上,，經(jīng)過(guò)曝光,、顯影與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形,。光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40-50%,，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝,。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小,，光刻工藝對(duì)光刻膠要求逐步提高，需求量也隨之增加,。從全球市場(chǎng)來(lái)看,，專注電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11%,，達(dá)到19億美元,。彩色光刻膠及黑色光刻膠市場(chǎng)也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導(dǎo)的格局，國(guó)內(nèi)企業(yè)有雅克科技,、飛凱材料,、彤程新材等。彩色光刻膠溶劑

半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中除了美國(guó)杜邦,，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場(chǎng)高度壟斷,。近年來(lái)，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象,。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售,，光刻膠方面，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國(guó)內(nèi)主要12英寸,、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行,，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過(guò)下游客戶驗(yàn)證,，有望在未來(lái)形成銷售。光刻膠保質(zhì)期通常在6個(gè)月以內(nèi),，無(wú)法囤貨,，一旦斷供可能會(huì)引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面，由此國(guó)產(chǎn)化重要性更加凸顯,。彩色光刻膠溶劑從化學(xué)組成來(lái)看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物。

導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動(dòng)態(tài)噴灑法,。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過(guò)滴膠頭堆積在硅片的中心，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開(kāi),，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠,。在高速旋轉(zhuǎn)的過(guò)程中,，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵,，量少了會(huì)導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片,，量大了會(huì)導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質(zhì)量,。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足新型的硅片加工需求。相對(duì)靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言,，動(dòng)態(tài)噴灑法在光刻膠對(duì)硅片進(jìn)行澆注的時(shí)刻就開(kāi)始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進(jìn)行**初的擴(kuò)散,。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展，以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜,。

分辨率即光刻工藝中所能形成較小尺寸的有用圖像,。是區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（CD,，Critical Dimension）來(lái)衡量分辨率,。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好 ,。此性質(zhì)深受光刻膠材質(zhì)本身物理化學(xué)性質(zhì)的影響,，必須避免光刻膠材料在顯影過(guò)程中收縮或在硬烤中流動(dòng)。因此,，若要使光刻材料擁有良好的分辨能力,，需謹(jǐn)慎選擇高分子基材及所用的顯影劑。分辨率和焦深都是光刻中圖像質(zhì)量的關(guān)鍵因素,。在光刻中既要獲得更好的分辨率來(lái)形成關(guān)鍵尺寸圖形,，又要保持合適的焦深是非常矛盾的。雖然分辨率非常依賴于曝光設(shè)備,，但是高性能的曝光工具需要與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。高壁壘和高價(jià)值量是光刻膠的典型特征,。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中。

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑,。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度,。曝光后,，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩c水接觸時(shí),，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸,，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時(shí)除去,。由此，曝光過(guò)的光刻膠會(huì)溶解于顯影液而被去除,，而未曝光的光刻膠部分則得以保留,。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似，但是其樹脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化,，因而具有不同的分辨率,。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作,。光刻膠市場(chǎng) ArF 與 KrF 占據(jù)主流,，EUV 增長(zhǎng)較快。蘇州顯示面板光刻膠印刷電路板

在選擇光刻膠時(shí)需要考慮化學(xué)性質(zhì),、照射時(shí)間,、敏感度和穩(wěn)定性等因素，以確保所選的光刻膠能夠滿足制造要求,。彩色光刻膠溶劑

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高,、功能性強(qiáng)、產(chǎn)品更新快等特點(diǎn),，其產(chǎn)品品質(zhì)對(duì)下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響,。因此，下游企業(yè)對(duì)微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視,，常采用認(rèn)證采購(gòu)的模式,，需要通過(guò)送樣檢驗(yàn)、技術(shù)研討,、信息回饋,、技術(shù)改進(jìn)、小批試做,、大批量供貨,、售后服務(wù)評(píng)價(jià)等嚴(yán)格的篩選流程。認(rèn)證時(shí)間久,，要求嚴(yán)苛,；一般產(chǎn)品得到下游客戶的認(rèn)證需要較長(zhǎng)的時(shí)間周期。顯示面板行業(yè)通常為1-2年,，集成電路行業(yè)由于要求較高,，認(rèn)證周期能達(dá)到2-3年時(shí)間；認(rèn)證階段內(nèi),，光刻膠供應(yīng)商沒(méi)有該客戶的收入,，這需要供應(yīng)收有足夠的資金實(shí)力。光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大,；一般情況下,，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,，下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后，不會(huì)輕易更換,。通過(guò)建立反饋機(jī)制,，滿足個(gè)性化需求，光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加,。后來(lái)者想要加入到供應(yīng)商行列,，往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對(duì)新進(jìn)入者壁壘較高,。彩色光刻膠溶劑