在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開(kāi)始使用深紫外（DUV）光源以后,，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中,，樹(shù)脂是具有化學(xué)基團(tuán)保護(hù)因而難以溶解的聚乙烯,。化學(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑,。當(dāng)光刻膠曝光后,，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會(huì)產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑,，將會(huì)移除樹(shù)脂的保護(hù)基團(tuán)從而使得樹(shù)脂變得易于溶解,。化學(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍,，對(duì)深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性,，同時(shí)具有高對(duì)比度，對(duì)高分辨率等優(yōu)點(diǎn),。按照曝光波長(zhǎng)分類(lèi),；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）,、深紫外光刻膠（160~280nm）,、極紫外光刻膠（EUV,，13.5nm）、電子束光刻膠,、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等。不同曝光波長(zhǎng)的光刻膠,，其適用的光刻極限分辨率不同,。通常來(lái)說(shuō)，在使用工藝方法一致的情況下,，波長(zhǎng)越短,，加工分辨率越佳。光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。普陀PCB光刻膠樹(shù)脂

根據(jù)2019年數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)87%份額,。其中日本占有四家,，分別是JSR、東京應(yīng)化(TOK),、信越化學(xué)與富士電子材料,，這四家的市場(chǎng)份額達(dá)到72%，市場(chǎng)集中度明顯,。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域,，日本廠商在市場(chǎng)中具有較強(qiáng)話語(yǔ)權(quán)。（1）g/i線光刻膠市場(chǎng)：日本的東京應(yīng)化,、JSR,、住友化學(xué)和富士膠片分別占據(jù)26%、15%,、15%,、8%的份額，在全球市場(chǎng)占據(jù)64%份額,。（2）KrF光刻膠市場(chǎng)：日本企業(yè)東京應(yīng)化,、信越化學(xué)和JSR在全球KrF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)分別占據(jù)34%、22%和18%份額,，合計(jì)占比達(dá)到74%,。（3）ArF光刻膠市場(chǎng)：日本企業(yè)JSR、信越化學(xué),、東京應(yīng)化和住友化學(xué)包攬前四,，分別占據(jù)全球ArF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)25%、23%,、20%和15%市場(chǎng)份額,，合計(jì)市場(chǎng)份額達(dá)到83%,。（4）EUV光刻膠市場(chǎng)：較先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域完全被日本企業(yè)所主導(dǎo)，日本JSR,、東京應(yīng)化,、信越化學(xué)成為EUV光刻膠市場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的廠商。目前引入EUV工藝的*有三星電子和臺(tái)積電兩家公司,。華東負(fù)性光刻膠按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類(lèi)：光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型,。

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”，是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝，對(duì)制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程,。其中不同的光刻過(guò)程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響,。

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤,、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘,、曝光,、曝光后烘烤、顯影,、堅(jiān)膜烘烤,、顯影檢查等工序。在光刻過(guò)程中,，光刻膠被均勻涂布在襯底上,，經(jīng)過(guò)曝光、顯影與刻蝕等工藝,，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40-50%,，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝,。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小，光刻工藝對(duì)光刻膠要求逐步提高,，需求量也隨之增加,。從全球市場(chǎng)來(lái)看,，專(zhuān)注電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11%，達(dá)到19億美元,。一旦達(dá)成合作,，光刻膠廠商和下游集成電路制造商會(huì)形成長(zhǎng)期合作關(guān)系。

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高,、功能性強(qiáng),、產(chǎn)品更新快等特點(diǎn)，其產(chǎn)品品質(zhì)對(duì)下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響,。因此,，下游企業(yè)對(duì)微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視，常采用認(rèn)證采購(gòu)的模式,，需要通過(guò)送樣檢驗(yàn),、技術(shù)研討、信息回饋,、技術(shù)改進(jìn),、小批試做、大批量供貨,、售后服務(wù)評(píng)價(jià)等嚴(yán)格的篩選流程,。認(rèn)證時(shí)間久，要求嚴(yán)苛,；一般產(chǎn)品得到下游客戶的認(rèn)證需要較長(zhǎng)的時(shí)間周期,。顯示面板行業(yè)通常為1-2年，集成電路行業(yè)由于要求較高,，認(rèn)證周期能達(dá)到2-3年時(shí)間,；認(rèn)證階段內(nèi)，光刻膠供應(yīng)商沒(méi)有該客戶的收入,，這需要供應(yīng)收有足夠的資金實(shí)力,。光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大；一般情況下,，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,，下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后，不會(huì)輕易更換。通過(guò)建立反饋機(jī)制,，滿足個(gè)性化需求,，光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加。后來(lái)者想要加入到供應(yīng)商行列,，往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求,。所以光刻膠行業(yè)對(duì)新進(jìn)入者壁壘較高。光刻膠下游為印刷電路板,、顯示面板和電子芯片,，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域,。江蘇半導(dǎo)體光刻膠

氧化物型光刻膠：這種類(lèi)型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成,。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時(shí)非常有用。普陀PCB光刻膠樹(shù)脂

美國(guó)能源部布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng),，將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來(lái),，創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無(wú)機(jī)光刻膠。他們?cè)趯⑼坑蠵MMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后,，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽,。這個(gè)蒸汽通過(guò)PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴(kuò)散，與聚合物鏈內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)結(jié)合到一起,。然后,，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水），與前驅(qū)物反應(yīng)形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁,。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅,。普陀PCB光刻膠樹(shù)脂