在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠、i線光刻膠,、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過(guò)程中,，一般要對(duì)硅片進(jìn)行超過(guò)十次光刻,。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過(guò)預(yù)烘,、涂膠、前烘,、對(duì)準(zhǔn),、曝光、后烘,、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%，并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,，市場(chǎng)巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料,。 亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件,。江浙滬半導(dǎo)體光刻膠樹脂

半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中除了美國(guó)杜邦,，其余四家均為日本企業(yè)。其中JSR,、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場(chǎng)高度壟斷。近年來(lái),，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn)，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象,。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售，光刻膠方面,，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國(guó)內(nèi)主要12英寸,、8英寸晶圓廠，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中,，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行,，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過(guò)下游客戶驗(yàn)證，有望在未來(lái)形成銷售,。光刻膠保質(zhì)期通常在6個(gè)月以內(nèi),，無(wú)法囤貨，一旦斷供可能會(huì)引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面,，由此國(guó)產(chǎn)化重要性更加凸顯,。江浙滬光分解型光刻膠曝光光刻膠市場(chǎng) ArF 與 KrF 占據(jù)主流,，EUV 增長(zhǎng)較快,。

雖然在2007年之后，一些波長(zhǎng)更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收,，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無(wú)法正常工作。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料,，比如氟化鈣（螢石）等,，成本長(zhǎng)期居高不下。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn),，193nm波長(zhǎng)ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸,，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用,。在與浸沒光刻相對(duì)的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過(guò)這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射,，波長(zhǎng)變短,。這樣，在不改變光源的前提條件下,，更短波長(zhǎng)的紫外光被投影光刻膠上,，提高了光刻加工的分辨率。

光刻膠屬于半導(dǎo)體八大重要材料之一,，根據(jù)全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）近期數(shù)據(jù),，光刻膠在半導(dǎo)體晶圓制造材料價(jià)值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%,，二者合計(jì)占比12%,，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料,。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是指通過(guò)紫外光、電子束,、離子束,、X射線等照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,，目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路加工制作環(huán)節(jié),。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）、感光樹脂（聚合劑）,、溶劑與助劑構(gòu)成,。在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠,、感光阻焊油墨等,。

目前國(guó)內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電,、上海新陽(yáng),、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線,、g線光刻膠生產(chǎn)為主,，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域,，北京科華,、博康已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。國(guó)內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對(duì)較快的企業(yè)為南大光電,，其先后承擔(dān)國(guó)家02專項(xiàng)“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”,，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國(guó)內(nèi)通過(guò)客戶驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠,，其他國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗(yàn)證階段。我國(guó)光刻膠行業(yè)起步較晚,，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠,、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品。PCB光刻膠顯影

氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成,。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時(shí)非常有用,。江浙滬半導(dǎo)體光刻膠樹脂

美國(guó)能源部布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來(lái),，創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無(wú)機(jī)光刻膠,。他們?cè)趯⑼坑蠵MMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽,。這個(gè)蒸汽通過(guò)PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴(kuò)散,，與聚合物鏈內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)結(jié)合到一起。然后,，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水）,，與前驅(qū)物反應(yīng)形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅,。江浙滬半導(dǎo)體光刻膠樹脂