g-line與i-line光刻膠均使用線(xiàn)性酚醛成分作為樹(shù)脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度,。曝光后，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?，與水接觸時(shí),，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時(shí)除去,。由此,，曝光過(guò)的光刻膠會(huì)溶解于顯影液而被去除，而未曝光的光刻膠部分則得以保留,。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類(lèi)似,，但是其樹(shù)脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化，因而具有不同的分辨率,。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作,，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作。光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑,，是一種對(duì)光敏感的混合液體,。華東顯示面板光刻膠集成電路材料

浸沒(méi)光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長(zhǎng)ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí)。與此同時(shí),，這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求,。在浸沒(méi)工藝中；光刻膠首先不能與浸沒(méi)液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散,，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭,；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡,，液體和頂部涂層,。因此光刻膠中主體樹(shù)脂的折射率一般要求達(dá)到1.9以上；接著,，光刻膠不能在浸沒(méi)液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過(guò)程中發(fā)生形變,，影響加工精度；當(dāng)浸沒(méi)工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時(shí),，將對(duì)于光刻膠多個(gè)性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn),。浸沒(méi) ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一,。浙江光刻膠光引發(fā)劑光刻膠市場(chǎng) ArF 與 KrF 占據(jù)主流,，EUV 增長(zhǎng)較快。

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物,，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則，能夠避免結(jié)晶,，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性,。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，有機(jī)配體中包含光敏基團(tuán),，借助光敏基團(tuán)的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能。從化學(xué)組成來(lái)看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物,。

肉桂酸酯類(lèi)的光刻膠：這類(lèi)光刻膠在紫外光的照射下，肉桂酸上的不飽和鍵會(huì)打開(kāi),，產(chǎn)生自由基,，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠,、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等,。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物，對(duì)二氧化硅,、鋁,、氧化鉻等材料都有良好的附著力,，耐氫氟酸、磷酸腐蝕,；中者膠在曝光下幾乎不受氧的影響，無(wú)須氮?dú)獗Ｗo(hù),，分辨率1 μm左右,，靈敏度較前者膠高1倍,，黏附性好,，抗蝕能力強(qiáng),，圖形清晰、線(xiàn)條整齊,，耐熱性好,，顯影后可在190℃堅(jiān)膜0.5 h不變質(zhì)，感光范圍在250~475 nm,，特別對(duì)436 nm十分敏感，屬線(xiàn)型高分子聚合物,；第三種膠能溶于酮類(lèi)、烷烴等溶劑,，不溶于水,、乙醇等。有較好的黏附性和感光性 ,，分辨率也很高,，感光速度快。有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠結(jié)合了有機(jī)和無(wú)機(jī)材料的優(yōu)點(diǎn),，在可加工性,、抗蝕刻性、極紫外光吸收具有優(yōu)勢(shì),。

分辨率即光刻工藝中所能形成較小尺寸的有用圖像。是區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力,。一般用關(guān)鍵尺寸（CD,，Critical Dimension）來(lái)衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,，光刻膠的分辨率越好 ,。此性質(zhì)深受光刻膠材質(zhì)本身物理化學(xué)性質(zhì)的影響,，必須避免光刻膠材料在顯影過(guò)程中收縮或在硬烤中流動(dòng)。因此,，若要使光刻材料擁有良好的分辨能力,，需謹(jǐn)慎選擇高分子基材及所用的顯影劑。分辨率和焦深都是光刻中圖像質(zhì)量的關(guān)鍵因素,。在光刻中既要獲得更好的分辨率來(lái)形成關(guān)鍵尺寸圖形,，又要保持合適的焦深是非常矛盾的。雖然分辨率非常依賴(lài)于曝光設(shè)備,，但是高性能的曝光工具需要與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力,。光刻膠也稱(chēng)為光致抗蝕劑，是一種光敏材料,，受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變,，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。江蘇彩色光刻膠曝光

光刻膠的研發(fā)是不斷進(jìn)行配方調(diào)試的過(guò)程,，且難以通過(guò)現(xiàn)有產(chǎn)品反向解構(gòu)出其配方,，這對(duì)技術(shù)有很大的要求。華東顯示面板光刻膠集成電路材料

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專(zhuān)業(yè)公司壟斷。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng) 87%的份額,，行業(yè)集中度高,。其中，日本 JSR,、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%,。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷,，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司，如杜邦,、JSR 株式會(huì)社,、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè),、Fujifilm,，以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。華東顯示面板光刻膠集成電路材料