光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù)、分離技術(shù),、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過(guò)程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。同時(shí),，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場(chǎng)景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力,，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的個(gè)性化需求,。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過(guò)程是將感光材料,、樹(shù)脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合,，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體，經(jīng)過(guò)多次過(guò)濾,，并通過(guò)中間過(guò)程控制和檢驗(yàn),，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn),，合格后在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下包裝,、打標(biāo)、入庫(kù),。按顯示效果分類(lèi)：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠,。華東正性光刻膠印刷電路板

    光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場(chǎng)上不同種類(lèi)光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡,。智研咨詢(xún)的數(shù)據(jù)還顯示,，受益于半導(dǎo)體、顯示面板,、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì),，自 2011年至今，光刻膠中國(guó)本土供應(yīng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率達(dá)到11%,，高于全球平均 5%的增速,。2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模約70億元，全球占比約 10%,，發(fā)展空間巨大,。目前,，中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。昆山化學(xué)放大型光刻膠溶劑光刻膠也稱(chēng)為光致抗蝕劑，是一種光敏材料,，受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變,，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴(lài),，中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,，是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝,，對(duì)制造出更先進(jìn)，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程,。其中不同的光刻過(guò)程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求,。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。

半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中除了美國(guó)杜邦,，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場(chǎng)高度壟斷,。近年來(lái)，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象,。目前大陸企業(yè)在g/i線(xiàn)光刻膠已形成一定規(guī)模的銷(xiāo)售,，光刻膠方面，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國(guó)內(nèi)主要12英寸,、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行,，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過(guò)下游客戶(hù)驗(yàn)證,，有望在未來(lái)形成銷(xiāo)售,。光刻膠保質(zhì)期通常在6個(gè)月以?xún)?nèi)，無(wú)法囤貨,，一旦斷供可能會(huì)引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面,，由此國(guó)產(chǎn)化重要性更加凸顯。聚合度越小,，發(fā)生微相分離的尺寸越小,，對(duì)應(yīng)的光刻圖形越小。

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過(guò)程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過(guò)程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中,，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強(qiáng)的抗蝕性,，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形，更好體現(xiàn)器件性能,。在干法刻蝕中,，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時(shí)，需要有較好的保護(hù)電路圖形的能力,，否則光刻膠會(huì)因?yàn)樵谧⑷氕h(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度,。此時(shí)注入的離子將不會(huì)起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用，器件的電路性能受阻,。在集成電路制造領(lǐng)域,，如果說(shuō)光刻機(jī)是推動(dòng)制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”,。普陀化學(xué)放大型光刻膠顯影

光刻膠是一大類(lèi)具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料,，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。華東正性光刻膠印刷電路板

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要  ,。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光,，正膠較慢，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3~4倍  ,。靈敏度反映了光刻膠材料對(duì)某種波長(zhǎng)的光的反應(yīng)程度,。不同的光刻膠對(duì)于不同的波長(zhǎng)的光是有選擇性的,。比如248 nm波長(zhǎng)光刻膠的成膜樹(shù)脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu)，對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光具有很強(qiáng)的吸收作用,，即對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光是不透明的,，因此193 nm光刻膠必須改變樹(shù)脂主體。同時(shí),，高的產(chǎn)出要求短的曝光時(shí)間,，對(duì)光刻膠的靈敏度要求也越來(lái)越高。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo),，曝光劑量值越小,，光刻膠的靈敏度越高。i線(xiàn)光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右,，而KrF和ArF的光刻膠材料,，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對(duì)比度曲線(xiàn)上,。華東正性光刻膠印刷電路板