除了枝狀分子之外,，環(huán)狀單分子樹脂近年來也得到了迅速發(fā)展,。這些單分子樹脂的環(huán)狀結(jié)構(gòu)降低了分子的柔性，從而通常具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱化學(xué)穩(wěn)定性,。由于構(gòu)象較多,，此類分子也難以結(jié)晶，往往具有很好的成膜性,。起初將杯芳烴應(yīng)用于光刻的是東京科技大學(xué)的Ueda課題組,，2002年起，他們報(bào)道了具有間苯二酚結(jié)構(gòu)的杯芳烴在365nm光刻中的應(yīng)用,。2007年,，瑞士光源的Solak等利用對氯甲氧基杯芳烴獲得了線寬12.5nm、占空比1∶1的密集線條,，但由于為非化學(xué)放大光刻膠,，曝光機(jī)理為分子結(jié)構(gòu)被破壞，靈敏度較差,，為PMMA的1/5,。光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。上海PCB光刻膠集成電路材料

荷蘭光刻研究中心的Castellanos課題組采用三氟乙酸配體和甲基丙烯酸配體,，制備了一種鋅氧納米簇光刻膠Zn（MA）（TFA）,。由于鋅原子和三氟乙酸氟原子對 EUV 光都有較強(qiáng)的吸收能力，而甲基丙烯酸配體可通過光照后的雙鍵聚合和交聯(lián)反應(yīng)進(jìn)一步增強(qiáng)曝光前后的溶解度差異,。這一配體在自然環(huán)境下的穩(wěn)定性不好,，空氣中的水汽和自然光都會使甲基丙烯酸配體自發(fā)聚合；但在真空環(huán)境下則可穩(wěn)定存在,。不過這種納米顆粒只可獲得30nm線寬的光刻圖案,，曝光劑量為37mJ·cm?2，且制備的批次穩(wěn)定性較差,，距離實(shí)際應(yīng)用還有一段距離,。蘇州ArF光刻膠顯示面板材料光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料,，受到光照后特性會發(fā)生改變,，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。

目前使用的ZEP光刻膠即采用了前一種策略,。日本瑞翁公司開發(fā)的ZEP光刻膠起初用于電子束光刻,，常用的商用品種ZEP520A為α-氯丙烯酸甲酯和α-甲基苯乙烯的1∶1共聚物。氯原子的引入可提高靈敏度,，此外苯乙烯部分也可提高抗刻蝕性和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,。采用后一種策略時，常用的高分子主鏈有聚碳酸酯和聚砜,。2010年,，美國紐約州立大學(xué)的課題組報(bào)道了一系列以聚碳酸酯高分子為主體材料的光刻膠，高分子主鏈中具有二級或三級烯丙酯結(jié)構(gòu)可在酸催化下裂解形成雙鍵和羧酸,。此外,，他們還在高分子中引入了芳香基團(tuán)，以增強(qiáng)其抗刻蝕性,?？色@得36nm線寬、占空比為1∶1的線條,，22.5mJ·cm?2的劑量下可獲得線寬為26nm的線條,。

2005年，研究人員利用美國光源的高數(shù)值孔徑微觀曝光工具評價了RohmandHaas公司研發(fā)的新型ESCAP光刻膠MET-1K,，并將其與先前的EUV-2D光刻膠相比較,。與EUV-2D相比，MET-1K添加了更多的防酸擴(kuò)散劑,。使用0.3NA的EUV曝光工具,，在90~50nm區(qū)間，EUV-2D和MET-1K的圖形質(zhì)量都比較好,；但當(dāng)線寬小于50nm時,，EUV-2D出現(xiàn)明顯的線條坍塌現(xiàn)象,，而MET-1K則直到35nm線寬都能保持線條完整。在45nm線寬時,，MET-1K仍能獲得較好的粗糙度,，LER達(dá)到6.3nm?？梢奙ET-1K的光刻性能要優(yōu)于EUV-2D,。從此，MET-1K逐漸代替EUV-2D,，成為新的EUV光刻設(shè)備測試用光刻膠,。半導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動態(tài)噴灑法,。

2018年,，相關(guān)研究課題小組報(bào)道了一系列含有第VIII族元素的六配位型的配合物，配體為聯(lián)吡啶或草酸,。他們研究了聯(lián)吡啶數(shù)量和草酸根數(shù)量的多少對光刻膠靈敏度的影響情況,。其中含有兩個草酸配體、一個聯(lián)吡啶配體結(jié)構(gòu)的材料具有較高的靈敏度,，也可獲得分辨率較高的光刻線條,。其他配體結(jié)構(gòu)的靈敏度都不如以上配體結(jié)構(gòu)的靈敏度高。EUV光導(dǎo)致草酸根部分分解后,，會發(fā)生分子間的交聯(lián)反應(yīng),。配合物靈敏度與中心金屬原子相關(guān)，順序?yàn)镃r<Fe<Co,，剛好與其對EUV光的吸收能力一致。從化學(xué)組成來看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機(jī)化合物。蘇州ArF光刻膠顯示面板材料

光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑,、光致產(chǎn)酸劑）,、光刻膠樹脂、單體,、溶劑和其他助劑,。上海PCB光刻膠集成電路材料

光刻膠的曝光機(jī)理很復(fù)雜。Ober課題組和Giannelis課題組指出,，其中起主導(dǎo)作用的應(yīng)為配體交換過程,。若體系內(nèi)有光致產(chǎn)酸劑或光自由基引發(fā)劑，它們在受到光照后形成新的配體,，與金屬納米顆粒表面的配體交換,；若不加入光敏劑,，光照后納米顆粒殼層的少量羧酸基團(tuán)會與納米顆粒解離，從而改變金屬氧化物電荷,，使雙電層變寬,，促使納米顆粒的聚集。但美國德克薩斯大學(xué)達(dá)拉斯分校的Mattson等通過原位紅外光譜,、X射線光電子能譜和密度泛函計(jì)算等手段發(fā)現(xiàn),，溶解度轉(zhuǎn)變過程主要是由于配體發(fā)生了自由基引發(fā)的不飽和碳-碳雙鍵交聯(lián)反應(yīng)導(dǎo)致的。此類光刻膠的反應(yīng)機(jī)理還有待進(jìn)一步研究,。上海PCB光刻膠集成電路材料