由于早期制約EUV光刻發(fā)展的技術(shù)瓶頸之一是光源功率太小，因此,，在不降低其他光刻性能的前提下提高EUV光刻膠的靈敏度一直是科研人員的工作重點(diǎn),。為了解決這一問題，2013年,，大阪大學(xué)的Tagawa等提出了光敏化化學(xué)放大光刻膠（PSCAR?）。與其他EUV化學(xué)放大光刻膠不同的是,，PSCAR體系除了需在掩模下進(jìn)行產(chǎn)生圖案的EUV曝光,，還要在EUV曝光之后進(jìn)行UV整片曝光。PSCAR體系中除了有主體材料,、光致產(chǎn)酸劑,，還包括光敏劑前體。這是一種模型光敏劑前體的結(jié)構(gòu),，它本身對(duì)UV光沒有吸收,，但在酸性條件下可以轉(zhuǎn)化為光敏劑，對(duì)UV光有吸收,。光刻膠的研發(fā)是不斷進(jìn)行配方調(diào)試的過程,，且難以通過現(xiàn)有產(chǎn)品反向解構(gòu)出其配方，這對(duì)技術(shù)有很大的要求,。華東正性光刻膠單體

20世紀(jì)七八十年代,，我國(guó)光刻膠研發(fā)水平一直與國(guó)外持平,。1977年,，化學(xué)研究所曾出版了我國(guó)一部有關(guān)光刻膠的專著《光致抗蝕劑：光刻膠》,。但隨后的1990~2010年,，由于缺乏芯片產(chǎn)業(yè)的牽引，我國(guó)光刻膠研發(fā)處于停滯狀態(tài),。直到2010年后,，我國(guó)才又開始重新組建光刻膠研發(fā)隊(duì)伍,。目前我國(guó)的EUV光刻膠主要集中在單分子樹脂型和有機(jī)-無機(jī)雜化型，暫無傳統(tǒng)高分子EUV光刻膠的相關(guān)工作見諸報(bào)道,。我國(guó)開展EUV光刻膠研究的主要有化學(xué)研究所楊國(guó)強(qiáng)課題組和理化技術(shù)研究所李嫕課題組,。江蘇光分解型光刻膠顯示面板材料光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠,。

從光刻設(shè)備角度來看,，EUV光刻與其他波長(zhǎng)光刻關(guān)鍵的兩點(diǎn)差異是光源強(qiáng)度和散粒噪聲,。盡管有多種方式可獲得EUV光,，商用EUV光刻機(jī)使用的是激光激發(fā)的等離子體（LPP）發(fā)光，其輸出功率曾長(zhǎng)期是制約EUV光刻技術(shù)商用的瓶頸問題,；另外,，EUV光刻使用的是反射鏡成像系統(tǒng),，而非傳統(tǒng)的透過折射鏡片組,，且效率不高,。因此在EUV光刻發(fā)展的早期,，通常都要求EUV光刻膠具有較高的靈敏度。同時(shí),，EUV光子能量（約為92eV）遠(yuǎn)高于以前幾代光刻技術(shù)光源的光子能量（是193nm光子能量的14.4倍）,，也就是說，對(duì)于同樣的曝光能量,，光子數(shù)目遠(yuǎn)少于前幾代的光刻技術(shù),，這就導(dǎo)致散粒噪聲增加，從而造成線寬/線邊緣粗糙度的升高,。而靈敏度過高并不利于克服散粒噪聲的影響,，所以隨著EUV光源功率不斷提升，業(yè)界對(duì)EUV光刻膠的要求從“提高靈敏度”逐漸變?yōu)椤?span>利用一定程度的靈敏度來降低粗糙度”,。

除了枝狀分子之外,，環(huán)狀單分子樹脂近年來也得到了迅速發(fā)展,。這些單分子樹脂的環(huán)狀結(jié)構(gòu)降低了分子的柔性，從而通常具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱化學(xué)穩(wěn)定性,。由于構(gòu)象較多,，此類分子也難以結(jié)晶，往往具有很好的成膜性,。起初將杯芳烴應(yīng)用于光刻的是東京科技大學(xué)的Ueda課題組,，2002年起，他們報(bào)道了具有間苯二酚結(jié)構(gòu)的杯芳烴在365nm光刻中的應(yīng)用,。2007年,，瑞士光源的Solak等利用對(duì)氯甲氧基杯芳烴獲得了線寬12.5nm、占空比1∶1的密集線條,，但由于為非化學(xué)放大光刻膠,，曝光機(jī)理為分子結(jié)構(gòu)被破壞，靈敏度較差,，為PMMA的1/5,。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。

構(gòu)建負(fù)膠除了可通過改變小分子本身的溶解性以外,，還可以利用可發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的酸敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)分子間的交聯(lián),，從而改變?nèi)芙舛取enderson課題組報(bào)道了一系列含有環(huán)氧乙烷基團(tuán)的枝狀單分子樹脂,。環(huán)氧乙烷基團(tuán)在酸的作用下發(fā)生開環(huán)反應(yīng)再彼此連接,，從而可形成交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使光刻膠膜的溶解性能降低,，可作為負(fù)性化學(xué)放大光刻膠,。通過增加體系內(nèi)的芳香結(jié)構(gòu)來進(jìn)一步破壞分子的平面性，可以獲得更好的成膜性和提高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,；同時(shí),，每個(gè)分子上的環(huán)氧基團(tuán)從兩個(gè)增加為四個(gè)后，靈敏度提高了,，分辨率也有所提高,。光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。昆山光刻膠曝光

光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在展開,，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè),。華東正性光刻膠單體

關(guān)于光刻膠膜對(duì)EUV光的吸收能力,，研究人員的觀點(diǎn)曾發(fā)生過較大的轉(zhuǎn)變。剛開始研究人員認(rèn)為光刻膠應(yīng)對(duì)EUV盡量透明，以便EUV光可以順利透過光刻膠膜,。對(duì)于紫外,、深紫外光刻來說，如果光子不能透過膠膜,，則會(huì)降低光刻的對(duì)比度,，即開始曝光劑量和完全曝光劑量之間存在較大的差值，從而使曝光邊界處圖案不夠陡直,。所以,，早期的EUV光刻膠研發(fā)通常會(huì)在分子結(jié)構(gòu)中引入Si、B等EUV吸收截面較小的元素,，而避免使用F等EUV吸收截面較大的元素,。隨后研究人員又發(fā)現(xiàn)，即使是對(duì)EUV光吸收較強(qiáng)的主體材料,，還是“過于透明”了,，以至于EUV光刻的靈敏度難以提高。因此,，科研人員開始轉(zhuǎn)向?qū)で笪崭鼜?qiáng)的主體材料,，研發(fā)出了一系列基于金屬元素的有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠。華東正性光刻膠單體