熱壓法能夠有效增大光刻膠光柵的占寬比你,，工藝簡單、可靠,，無需昂貴設(shè)備、成本低,，獲得的光柵質(zhì)量高,、均勻性好。將該方法應(yīng)用到大寬度比的硅光柵的制作工藝中,，硅光柵線條的高度比達(dá)到了12.6,，氮化硅光柵掩模的占寬比更是高達(dá)0.72，光柵質(zhì)量很高,，線條粗細(xì)均勻,、邊緣光滑。值得注意的是,，熱壓法通過直接展寬光刻膠光柵線條來增大占寬比,，可以集成到全息光刻-離子束刻蝕等光柵制作工藝中，為光柵衍射效率的調(diào)節(jié)與均勻性修正提供了新思路,。我國光刻膠行業(yè)起步較晚,，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品,。昆山LCD觸摸屏用光刻膠顯示面板材料

1983年,，Joy以PMMA作為模型化合物，利用蒙特卡羅方法計(jì)算了EUV光刻的空間分辨率,。1989年,，Kurihara課題組利用PMMA評測了光學(xué)器件，并測試了EUV光對PMMA膜的透過性,。1990年,，Windt課題組利用14nmEUV光對PMMA光刻膠進(jìn)行光刻,，獲得了50nm的線條。2001~2004年,，Bokor課題組利用PMMA光刻膠,、Shipley公司早期工具光刻膠EUV-2D先后評測了其自制的EUV光刻設(shè)備和美國光源的EUV光刻線站的性能?？梢?，在EUV光技術(shù)發(fā)展早期，PMMA光刻膠對EUV光刻設(shè)備的調(diào)試,、測試起了重要作用,。但是PMMA的曝光機(jī)理不涉及化學(xué)放大過程，因此其靈敏度較差,，而早期制約EUV光刻技術(shù)發(fā)展的瓶頸問題之一便是曝光光源功率很小,，因而以PMMA為主的非化學(xué)放大型光刻膠一度被化學(xué)放大型光刻膠取代。普陀化學(xué)放大型光刻膠溶劑光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠,。

EUV光刻膠的基本原理與所有使用其他波長光曝光的光刻膠是相同的,，都是在光照后發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)及熱化學(xué)反應(yīng)，主體材料結(jié)構(gòu)改變導(dǎo)致光刻膠溶解度轉(zhuǎn)變,，從而可以被部分顯影,。但與其他波長曝光的光刻工藝相比，EUV光刻也有著諸多的不同,。從化學(xué)反應(yīng)機(jī)理來看,，EUV光刻與前代光刻差異是，引發(fā)反應(yīng)的,，不僅有光子,，還有由13.5nm軟X射線激發(fā)出的二次電子。EUV光刻用到的光子能量高達(dá)92eV,，曝光過程中,，幾乎所有的原子都能吸收EUV光子而發(fā)生電離，并產(chǎn)生高能量的二次電子（65~87eV）和空穴,，二次電子可以繼續(xù)激發(fā)光敏劑,，形成活性物種。

20世紀(jì)七八十年代,，我國光刻膠研發(fā)水平一直與國外持平,。1977年，化學(xué)研究所曾出版了我國一部有關(guān)光刻膠的專著《光致抗蝕劑：光刻膠》,。但隨后的1990~2010年,，由于缺乏芯片產(chǎn)業(yè)的牽引,，我國光刻膠研發(fā)處于停滯狀態(tài)。直到2010年后,，我國才又開始重新組建光刻膠研發(fā)隊(duì)伍,。目前我國的EUV光刻膠主要集中在單分子樹脂型和有機(jī)-無機(jī)雜化型，暫無傳統(tǒng)高分子EUV光刻膠的相關(guān)工作見諸報(bào)道,。我國開展EUV光刻膠研究的主要有化學(xué)研究所楊國強(qiáng)課題組和理化技術(shù)研究所李嫕課題組,。光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。

從光刻設(shè)備角度來看,，EUV光刻與其他波長光刻關(guān)鍵的兩點(diǎn)差異是光源強(qiáng)度和散粒噪聲。盡管有多種方式可獲得EUV光,，商用EUV光刻機(jī)使用的是激光激發(fā)的等離子體（LPP）發(fā)光,，其輸出功率曾長期是制約EUV光刻技術(shù)商用的瓶頸問題；另外,，EUV光刻使用的是反射鏡成像系統(tǒng),，而非傳統(tǒng)的透過折射鏡片組，且效率不高,。因此在EUV光刻發(fā)展的早期,，通常都要求EUV光刻膠具有較高的靈敏度。同時(shí),，EUV光子能量（約為92eV）遠(yuǎn)高于以前幾代光刻技術(shù)光源的光子能量（是193nm光子能量的14.4倍）,，也就是說,，對于同樣的曝光能量,，光子數(shù)目遠(yuǎn)少于前幾代的光刻技術(shù)，這就導(dǎo)致散粒噪聲增加,，從而造成線寬/線邊緣粗糙度的升高,。而靈敏度過高并不利于克服散粒噪聲的影響，所以隨著EUV光源功率不斷提升,，業(yè)界對EUV光刻膠的要求從“提高靈敏度”逐漸變?yōu)椤?span>利用一定程度的靈敏度來降低粗糙度”,。光刻膠達(dá)到下游客戶要求的技術(shù)指標(biāo)后，還需要進(jìn)行較長時(shí)間驗(yàn)證測試（1-3 年）,。華東濕膜光刻膠顯影

光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對光敏感的混合液體。昆山LCD觸摸屏用光刻膠顯示面板材料

2008年起,，日本大阪府立大學(xué)的Okamura課題組利用聚對羥基苯乙烯衍生物來構(gòu)造非化學(xué)放大型光刻膠,。他們制備了對羥基苯乙烯單元和含有光敏基團(tuán)的對磺酰胺苯乙烯單元的共聚物，作為光刻膠的主體材料,。光照下,，光敏劑產(chǎn)生自由基,，使對羥基苯乙烯鏈之間發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，可作為EUV負(fù)性光刻膠使用,。隨后,，他們又在對羥基苯乙烯高分子上修飾烯烴或炔烴基團(tuán)，體系中加入多巰基化合物作為交聯(lián)劑,，以及光照下可以產(chǎn)生自由基的引發(fā)劑,，構(gòu)建了光引發(fā)硫醇-烯烴加成反應(yīng)體系，該體系同樣可以作為EUV負(fù)性光刻膠使用,。值得指出的是,，上述工作使用的對羥基苯乙烯衍生物的分子量均比較小，有助于提高光刻膠的分辨率,。由于均為自由基反應(yīng),，光刻過程的產(chǎn)氣量也明顯小于一般的光刻膠體系。昆山LCD觸摸屏用光刻膠顯示面板材料