2010年,，美國英特爾公司的Masson報(bào)道了一種含有Co的聚合物光刻膠,，由Co2（CO）8與高分子鏈中的炔烴部分絡(luò)合反應(yīng)生成。EUV曝光后,，在光酸的作用下發(fā)生高分子斷鏈反應(yīng),，溶解度發(fā)生變化，可形成30nm的光刻線條,，具有較高的靈敏度,，但LER較差。2014年,，課題組報(bào)道了一種鉍化合物,，并將其用于極紫外光刻,。這種由氯原子或酯鍵配合的鉍寡聚物可在EUV光照后發(fā)生分子間交聯(lián)反應(yīng)。不過盡管鉍的EUV吸收能力很強(qiáng),，但此類配合物的靈敏度并不高,，氯配合鉍寡聚物能實(shí)現(xiàn)分辨率21nm，所需劑量高達(dá)120mJ·cm?2,。在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。華東KrF光刻膠單體

2005 年起，Gonsalves 課題組將陽離子基團(tuán)（硫鎓鹽等）修飾的甲基丙烯酸酯與其他光刻膠單體共聚,，制備了一系列側(cè)基連接光致產(chǎn)酸劑的光刻膠,，聚合物中金剛烷基團(tuán)的引入可以有效提升抗刻蝕性。這類材料與主體材料和產(chǎn)酸劑簡單共混的配方相比,，呈現(xiàn)出更高的靈敏度和對比度,。2009年起，Thackeray等則將陰離子基團(tuán)連接在高分子主鏈上,，通過EUV曝光可以得到的光刻圖形分辨率為22nm光刻圖形,，其對應(yīng)的靈敏度和線邊緣粗糙度分別為12mJ·cm?2和4.2nm。2011年,，日本富士膠片的Tamaoki等也報(bào)道了一系列對羥基苯乙烯型主鏈鍵合光致產(chǎn)酸劑的高分子光刻膠,，并研究了不同產(chǎn)酸劑基團(tuán)、高分子組成對分辨率,、靈敏度和粗糙度的影響,，最高分辨率可達(dá)17.5nm。普陀化學(xué)放大型光刻膠曝光有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料,。

全息光刻-單晶硅各向異性濕法刻蝕是制作大高度比硅光柵的一種重要且常用的方法,，全息光刻用來產(chǎn)生光刻膠光柵圖形，單晶硅各向異性濕法刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到硅基底中形成硅光柵,。這種方法制作的硅光柵質(zhì)量非常高,，側(cè)壁可以達(dá)到原子級光滑，光柵線條的高度比可以高達(dá)160,。但由于單晶硅各向異性濕法刻蝕在垂直向下刻蝕的同時(shí)存在著橫向鉆蝕,，所以要獲得大高度比的硅光柵，光刻膠光柵圖形的占寬比要足夠大,，且越大越好,。占寬比越大，單晶硅各向異性濕法刻蝕的工藝寬容度越大,，成功率越高,，光柵質(zhì)量越好,。

由于早期制約EUV光刻發(fā)展的技術(shù)瓶頸之一是光源功率太小，因此,，在不降低其他光刻性能的前提下提高EUV光刻膠的靈敏度一直是科研人員的工作重點(diǎn),。為了解決這一問題，2013年,，大阪大學(xué)的Tagawa等提出了光敏化化學(xué)放大光刻膠（PSCAR?）,。與其他EUV化學(xué)放大光刻膠不同的是，PSCAR體系除了需在掩模下進(jìn)行產(chǎn)生圖案的EUV曝光,，還要在EUV曝光之后進(jìn)行UV整片曝光,。PSCAR體系中除了有主體材料、光致產(chǎn)酸劑,，還包括光敏劑前體,。這是一種模型光敏劑前體的結(jié)構(gòu)，它本身對UV光沒有吸收,，但在酸性條件下可以轉(zhuǎn)化為光敏劑,，對UV光有吸收。氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成,。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時(shí)非常有用,。

環(huán)狀單分子樹脂中除了杯芳烴類物質(zhì)以外，還有一類被稱為“水車”（Noria）的光刻膠,，該類化合物由戊二醛和間苯二酚縮合而成,，是一種中心空腔的雙層環(huán)梯狀結(jié)構(gòu)分子，外形像傳統(tǒng)的水車,，因此得名,，起初在2006年時(shí)由日本神奈川大學(xué)的Nishikubo課題組報(bào)道出來。隨后,，日本JSR公司的Maruyama課題組將Noria改性,，通過金剛烷基團(tuán)保護(hù)得到了半周期為22nm的光刻圖形。但是這種光刻膠的靈敏度較低,、粗糙度較大,，仍需進(jìn)一步改進(jìn)才能推廣應(yīng)用。光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑,、光致產(chǎn)酸劑）,、光刻膠樹脂,、單體,、溶劑和其他助劑。浦東光刻膠其他助劑

光刻膠也稱為光致抗蝕劑,，是一種光敏材料,，受到光照后特性會發(fā)生改變,，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。華東KrF光刻膠單體

無論是高分子型光刻膠,，還是單分子樹脂型光刻膠,，都難以解決EUV光吸收和抗刻蝕性兩大難題。光刻膠對EUV吸收能力的要求曾隨著EUV光刻技術(shù)的進(jìn)展而發(fā)生改變,，而由于EUV光的吸收只與原子有關(guān),，因而無論是要透過性更好，還是要吸收更強(qiáng),，只通過純有機(jī)物的分子設(shè)計(jì)是不夠的,。若想降低吸收，則需引入低吸收原子,；若想提高吸收,，則需引入高吸收原子。此外,，由于EUV光刻膠膜越來越薄,，對光刻膠的抗刻蝕能力要求也越來越高，而無機(jī)原子的引入可以增強(qiáng)光刻膠的抗刻蝕能力,。于是針對EUV光刻,，研發(fā)人員設(shè)計(jì)并制備了一大批有機(jī)-無機(jī)雜化型光刻膠。這類光刻膠既保留了高分子及單分子樹脂光刻膠的設(shè)計(jì)靈活性和較好的成膜性,，又可以調(diào)節(jié)光刻膠的EUV吸收能力,，增強(qiáng)抗刻蝕性。華東KrF光刻膠單體