可控硅可控硅簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用,。江西進(jìn)口可控硅模塊大概價(jià)格多少

早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等,?？煽毓枘K優(yōu)點(diǎn)編輯體積小、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高、外接線簡單,、互換性好,、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長足發(fā)展,。重慶進(jìn)口可控硅模塊銷售廠按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。2：大,；功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。可控硅鑒別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓,。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,?？煽毓桦妷簻y方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的第1,、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管。

⑴視覺屏障作用玄關(guān)對的視線產(chǎn)生了一定的視覺屏障,，不至于開門見廳，讓人們一進(jìn)門就對客廳的情形一覽無余,。它注重人們戶內(nèi)行為的私密性及隱蔽性,，保證了廳內(nèi)的安全性和距離感，在客人來訪和家人出入時(shí),，能夠很好的解決干擾和心理安全問題,，使人們出門入戶過程更加有序。⑵較強(qiáng)的使用功能玄關(guān)在使用功能上,，可以用來作為簡單地接待客人,、接受郵件、換衣,、換鞋,、擱包的地方，也可設(shè)置放包及鑰匙等小物品的平臺,。⑶保溫作用玄4觸摸出門開關(guān)有什么特點(diǎn)只要碰到就能開燈,，黑暗中方便開燈；只要碰到就能開燈,黑暗中方便開燈;5多聯(lián)墻壁開關(guān)有哪些特點(diǎn)多聯(lián)墻壁開關(guān)采用lonworks工控電力載波技術(shù),利用家中的零火線電網(wǎng)來傳輸信號,安裝布線和傳統(tǒng)開關(guān)一致,不需要任何信號線通信線,對電工簡單說明后,即可完成安裝,無需專業(yè)技術(shù)工程人員專門安裝,。因此無需高額的安裝維護(hù)費(fèi)用,。6房屋裝修電源控制開關(guān)有何規(guī)定高度離地130cm，離門口15到20cm###亮就行7大門玄關(guān)有何講究1,、天花板宜高不宜低,，太低會(huì)有壓迫感，象征居住者難以出人頭地,，受人壓制,。2、墻壁間隔之間應(yīng)下實(shí)上虛,，面對大門的玄關(guān)下半部應(yīng)以磚墻或木板來進(jìn)行裝修,，上半部裝修可以明亮的裝飾材料，如磨砂玻璃,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài),。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí),，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,，門極已失去作用,。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),。可控硅原理主要用途編輯可控硅原理整流普通可控硅基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成可控硅，就可以構(gòu)成可控整流電路,。我畫一個(gè)簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕,。過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅。甘肅可控硅模塊推薦廠家

普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測,。江西進(jìn)口可控硅模塊大概價(jià)格多少

指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小,。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極,，指針立即退回∞位置,，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞,?？砂磮D2方法進(jìn)一步測量，對于單向可控硅,，閉合開關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅,，否則說明可控硅損壞,。對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮,，斷開K，燈應(yīng)不息滅,。然后將電池反接,，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果,，才說明是好的,。否則說明該器件已損壞。左手665收藏時(shí)間：2016年2月6日18：40如何鑒別可控硅的三個(gè)極關(guān)鍵字：可控硅檢測方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）,?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過，因此,，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,。江西進(jìn)口可控硅模塊大概價(jià)格多少