可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管）,，是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制,?？煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅,、可關(guān)斷可控硅等,。可控硅的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?，以小電流控制大電流,，以低電壓控制高電壓?？煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè),。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),，形成3個(gè)PN結(jié),，具有3個(gè)外電極：陽(yáng)極A、陰極K,、控制極G,。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測(cè)時(shí),，萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔,，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K,，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,，應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示,。對(duì)調(diào)兩表筆后,，測(cè)其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些,。萬(wàn)用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,，紅表筆改接單向可控硅的陽(yáng)極A，阻值應(yīng)為無(wú)窮大,，如下圖所示,。對(duì)調(diào)兩表筆后，再測(cè),，阻值仍應(yīng)為無(wú)窮大,。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián)，正常情況下其正,、反向阻值均為無(wú)窮大,。二,、檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,，黑表筆接單向可控硅陽(yáng)極A，紅表筆接單向可控硅陰極K,，表針應(yīng)指示為無(wú)窮大,。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽(yáng)極A短接一下（短接后馬上斷開(kāi)）。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。陜西優(yōu)勢(shì)可控硅模塊現(xiàn)貨

早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA),、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等?？煽毓枘K優(yōu)點(diǎn)編輯體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡(jiǎn)單、互換性好,、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展,。山東哪里有可控硅模塊直銷價(jià)可控硅導(dǎo)通后,，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷,。

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,，一般由兩晶閘管反向連接而成,。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷,；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。目前可控硅在自動(dòng)控制,、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用,?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,。螺旋式應(yīng)用較多,。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽(yáng)極（A）,、陰極（C）和控制極（G）,，管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié),，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引入,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。可控硅應(yīng)用時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。

晶閘管等元件通過(guò)整流來(lái)實(shí)現(xiàn),。除此之外整流器件還有很多,，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管,，雙向晶閘管,，整流模塊,，功率模塊IGBT,，SIT，MOSFET等等,，這里只探討晶閘管,。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅,。是一種功率半導(dǎo)體器件,，由于它效率高，控制特性好,，壽命長(zhǎng),，體積小等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái),，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”,。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展,。目前國(guó)內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A,，國(guó)外更大。我國(guó)的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國(guó)自行研制的大功率晶閘管,。晶閘管的應(yīng)用：一,、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流,，并且在交流電壓不變的情況下,，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實(shí)現(xiàn)交流——可變直流二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開(kāi)關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器,、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓,。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了一種過(guò)零觸發(fā),，實(shí)現(xiàn)負(fù)載交流功率的無(wú)級(jí)調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器,。交流——可變交流。三,、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流,，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。

允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值?？煽毓璺庋b形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220ABC、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252,、SOT-23,、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來(lái)得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來(lái)得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅取Ｋ泄苄臼荘型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié)。新疆哪里有可控硅模塊現(xiàn)貨

雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。陜西?yōu)勢(shì)可控硅模塊現(xiàn)貨

這個(gè)電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號(hào)的相位。當(dāng)R值較少時(shí),，RC時(shí)間常數(shù)較少,，觸發(fā)信號(hào)的相移A1較少,，因此負(fù)載獲得較大的電功率,；當(dāng)R值較大時(shí)，RC時(shí)間常數(shù)較大,，觸發(fā)信號(hào)的相移A2較大,，因此負(fù)載獲得較少的電功率。這個(gè)典型的電功率無(wú)級(jí)調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它,?？煽毓柚饕獏?shù)有：1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下,，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3、反向陰斷峰值電壓當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽(yáng)極---陰極間加一定電壓,，使可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5,、維持電流在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流,。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行控制具有:電壓調(diào)節(jié)速度快,，精度高，可分時(shí)段實(shí)時(shí)調(diào)整,，有穩(wěn)壓作用,，采用電子元件。陜西優(yōu)勢(shì)可控硅模塊現(xiàn)貨