(3)沖擊電流問題,。由于可控硅前沿斬波使得輸入電壓可能一直處于峰值附近，輸入濾波電容將承受大的沖擊電流,，同時還可能使得可控硅意外截止,，導致可控硅不斷重啟，所以一般需要在驅動器輸入端串接電阻來減小沖擊,。(4)導通角較小時LED會出現(xiàn)閃爍,。當可控硅導通角較小時，由于此時輸入電壓和電流均較小,，導致維持電流不夠或者芯片供電Vcc不夠,，電路停止工作，使LED產(chǎn)生閃爍,?？煽仉娫淳€性調(diào)光存在的問題，即人眼在低亮度情況下對光線的細微變化很敏感;而在較亮時,，由于人眼視覺的飽和,，光線較大的變化卻不易被察覺。并提出了利用單片機編程來實現(xiàn)調(diào)光信號和調(diào)光輸出的非線性關系(如指數(shù),、平方等關系)的方法,，使得人眼感覺的調(diào)光是一個線性平穩(wěn)過程。電機驅動電路：直流電機驅動電路,、步進電機驅動電路和伺服電機驅動電路,，通常需要控制電機的轉速和方向。松江區(qū)本地驅動電路貨源充足

MOSFET驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器,，可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達 100V 的電源電壓來驅動兩個 N 溝道 MOSFET,。強大的驅動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關損耗。針對兩個與電源無關的輸入進行配置,。高壓側輸入邏輯信號在內(nèi)部被電平移位至自舉電源,，此電源可以在高出地電位達 114V 的電壓條件下運行?！穹植际诫娫醇軜嫛衿囯娫础窀呙芏取耠娦畔到y(tǒng)●欠壓閉鎖功能●自適應貫通保護功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強型 8 引腳 MSOP 封裝松江區(qū)本地驅動電路貨源充足顯示控制：驅動電路可以將數(shù)字信號轉換為模擬信號,，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設備,；

表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅動電路的變化而變化,，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作,。IGBT對其驅動電路提出了以下要求,。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導通后。柵極驅動電路提供給IGBT的驅動電壓和電流要有足夠的幅度,，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài),。瞬時過載時，柵極驅動電路提供的驅動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū),。IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關,，在漏源電流一定的情況下，VGE越高,，VDS值就越低,，器件的導通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力,。但是,， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V,，原因是一旦發(fā)生過流或短路,，柵壓越高，則電流幅值越高,，IGBT損壞的可能性就越大,。通常，綜合考慮取+15 V為宜,。

IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容,、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）,。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系,。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數(shù),，因為它是通過電橋測得的,，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),，在這種測量條件下,，所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。效率：選擇合適的元件以提高電路的效率,，減少功耗,。

門極驅動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅動器總功率 P = PG + PS（驅動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述,。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -根據(jù)具體的應用場景和需求,，還有推挽驅動、隔離驅動,、加速關斷驅動等多種設計方案,。奉賢區(qū)推廣驅動電路量大從優(yōu)

優(yōu)良的驅動電路能夠減少器件的開關損耗，提高能量轉換效率,，并降低電磁干擾（EMI/EMC）,。松江區(qū)本地驅動電路貨源充足

實驗及結果根據(jù)以上分析，本文設計一臺基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅動器,，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V,，最大輸出功率為25W，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負載;RC時間系數(shù)選擇0.5,，增益為0.2,。電路的實驗波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a),、b),、c)為可控硅導通角為115°時阻抗匹配開關驅動電壓VZ、輸入電流Iin,、輸入電壓Vin的波形,，電路的輸出電流為470mA，功率因數(shù)為0.78,。從圖中可看出,，當可控硅導通瞬間，由于驅動器輸入端有差模濾波電容導致輸入電流有沖擊電流尖峰,，而當輸入電流小于一定值時,，阻抗匹配開關開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流。松江區(qū)本地驅動電路貨源充足

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