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來源: 發(fā)布時間:2025-06-06

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件,,也稱晶閘管,。它具有體積小,、效率高、壽命長等優(yōu)點,。在自動控制系統(tǒng)中,,可作為大功率驅動器件,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備,。它在交直流電機調速系統(tǒng),、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,,這種可控硅具有雙向導通功能,。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通,。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關使用,??煽毓?Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件,,也稱晶閘管,。松江區(qū)挑選可控硅服務熱線

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常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等,??煽毓璧闹饕獏?shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,,處于反向關斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時,,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。長寧區(qū)特點可控硅量大從優(yōu)反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM),,俗稱耐壓,。

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晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結構與符號,。它屬于NPNP四層器件,,三個電極分別是T1、T2,、G,。因該器件可以雙向導通,故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子,,用T1,、T2。表示,,不再劃分成陽極或陰極,。其特點是,當G極和T2極相對于T1,,的電壓均為正時,,T2是陽極,T1是陰極,。反之,,當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時,T1變成陽極,,T2為陰極,。雙向晶閘管的伏安特性,由于正,、反向特性曲線具有對稱性,,所以它可在任何一個方向導通。

可控硅有多種分類方法,。(一)按關斷,、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO),、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調壓單元(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,,金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。“一觸即發(fā)”,。但是,,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通,。

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額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個,,如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,,1000V以上的管子每200V為一級,。取電壓教除以100做為級別標志,如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,,用宇毋表示,如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V,,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅綜上所述,小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,,有三個電極,,用硅半導體材料制成的管芯由可控硅的弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導通,。長寧區(qū)特點可控硅量大從優(yōu)

鑒別可控硅三個極的方法很簡單,,根據(jù)P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。松江區(qū)挑選可控硅服務熱線

1,、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,,并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,,則也會被觸發(fā)導通,。應用安裝時,首先要使柵極外的連線盡可能短,。當連線不能很短時,,可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,,也可以再并聯(lián)一個100nf的電容,,來濾掉高頻噪聲。2,、關于轉換電壓變化率當驅動一個大的電感性負載時,在負載電壓和電流間有一個很大的相移,。當負載電流過零時,,雙向可控硅(晶閘管)開始換向,但由于相移的關系,,電壓將不會是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,,就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉,,而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態(tài)。松江區(qū)挑選可控硅服務熱線

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