在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此功率,，因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加，允許通過(guò)的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花,、無(wú)噪音,；效率高，成本低等等,?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。崇明區(qū)挑選可控硅圖片

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS,，NEC,，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA，JX ，SANREX,，SANKEN ,，SEMIKRON ，EUPEC,，IR,，JBL等。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門(mén)極觸發(fā)電流VGT--門(mén)極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門(mén)極峰值功率PG----門(mén)極平均功率松江區(qū)特點(diǎn)可控硅現(xiàn)價(jià)可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多。

1,、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通,。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當(dāng)連線不能很短時(shí),，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來(lái)降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容,，來(lái)濾掉高頻噪聲。2,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí),，雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向,，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓,。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí)，就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。

無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用,。其***特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng),。可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1,、A2間壓降也約1V,。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài),。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小,，小于維持電流或A1,、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通） [1],。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò),，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好,。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。松江區(qū)特點(diǎn)可控硅現(xiàn)價(jià)

額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。崇明區(qū)挑選可控硅圖片

可控硅有多種分類(lèi)方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。TY300/TY301可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧ǘ┌匆_和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。（三）按封裝形式分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型,。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。崇明區(qū)挑選可控硅圖片

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