一般硅管的反向電流比鍺管小得多,，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級,。溫度升高時,，半導體受熱激發(fā),，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加,。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時,，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿,。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓,。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,，則單向導電性不一定會被長久破壞,，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復,，否則二極管就損壞了,。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。在電子技術中常用的數(shù)碼管,，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反,。嘉定區(qū)國產(chǎn)二極管銷售廠

紅外發(fā)光二極管1. 判別紅外發(fā)光二極管的正、負電極,。紅外發(fā)光二極管有兩個引腳,，通常長引腳為正極，短引腳為負極,。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀,，所以管殼內的電極清晰可見，內部電極較寬較大的一個為負極,，而較窄且小的一個為正極,。 [8]2. 先測量紅個發(fā)光二極管的正、反向電阻,，通常正向電阻應在30k左右,，反向電阻要在500k以上，這樣的管子才可正常使用,。 [8]紅外接收二極管1. 識別管腳極性（1）從外觀上識別,。常見的紅外接收二極管外觀顏色呈黑色。識別引腳時,，面對受光窗口,，從左至右,，分別為正極和負極,。另外在紅外接收二極管的管體頂端有一個小斜切平面，通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極,，另一端為正極,。崇明區(qū)優(yōu)勢二極管量大從優(yōu)當無光照時,，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。

電子電路應用二極管幾乎在所有的電子電路中,，都要用到半導體二極管,。半導體二極管在電路中的使用能夠起到保護電路，延長電路壽命等作用,。半導體二極管的發(fā)展,，使得集成電路更加優(yōu)化，在各個領域都起到了積極的作用,。二極管在集成電路中的作用很多,，維持著集成電路正常工作。下面簡要介紹二極管在以下四種電路中的作用,。 [6]（1）開關電路在數(shù)字,、集成電路中利用二極管的單向導電性實現(xiàn)電路的導通或斷開，這一技術已經(jīng)得到廣泛應用,。開關二極管可以很好的保護的電路,，防止電路因為短路等問題而被燒壞，也可實現(xiàn)傳統(tǒng)開關的功能,。開關二極管還有一個特性就是開關的速度很快,。這是傳統(tǒng)開關所無法比擬的。 [6]

當外界有正向電壓偏置時,，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流,。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強,，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流,。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,，產(chǎn)生大量電子空穴對,，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象,。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分,。外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大,，這種現(xiàn)象稱為電擊穿,。

在電子技術中常用的數(shù)碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反,。當發(fā)光二極管正向偏置通過電流時會發(fā)出光來,，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄,，其波長由所使用的基本材料而定,。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標,，稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù),。 [4]伏安特性二極管具有單向導電性,，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 [5]。圖2 二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓,，當電壓值較小時,，電流極小,；當電壓超過0.6V時,，電流開始按指數(shù)規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓,；當電壓達到約0.7V時,，二極管處于完全導通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導通電壓,，用符號UD表示 [4],。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數(shù)載流子,，自由電子為少數(shù)載流子,。上海制造二極管量大從優(yōu)

發(fā)光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode),。嘉定區(qū)國產(chǎn)二極管銷售廠

常用的紅外發(fā)光二極管有SIR系列,、SIM系列、PLT系列,、GL系列,、HIR系列和HG系列等。紫外發(fā)光二極管基于半導體材料的紫外發(fā)光二極管(UV LED)具有節(jié)能,、環(huán)保和壽命長等優(yōu)點,，在殺菌消毒、醫(yī)療和生化檢測等領域有重大的應用價值,。近年來,，半導體紫外光電材料和器件在全球引起越來越多的關注，成為研發(fā)熱點,。 2018年12月9一12日,，由中國科學院半導體研究所主辦的第三屆“國際紫外材料與器件研討會” (IWUMD一2018)在云南昆明召開，來自十二個國家的270余位**出席了會議,。本次會議匯聚了國內外在紫外發(fā)光二極管材料和器件相關領域的多位前列**的***研發(fā)成果報告嘉定區(qū)國產(chǎn)二極管銷售廠

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