IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時(shí)對其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,，在實(shí)際使用中除IGBT自身外,，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞,。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。高邊驅(qū)動(dòng)：則用于將功率開關(guān)器件連接在電源正極一側(cè),。嘉定區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路專賣店

在需要使用比較多的led產(chǎn)品時(shí),，如果將所有的LED串聯(lián),，將需要LED驅(qū)動(dòng)器輸出較高的電壓：如果將所有的LED并聯(lián),，則需要LED驅(qū)動(dòng)器輸出較大的電流,。將所有的LED串聯(lián)或并聯(lián),，不但限制著LED的嚴(yán)使用量，而且并聯(lián)LED負(fù)載電流較大，驅(qū)動(dòng)器的成本也會增加,，解決辦法是采用混聯(lián)方式。串、并聯(lián)的LED數(shù)量平均分配,，這樣,，分配在一個(gè)LED串聯(lián)支路上的電壓相同,，同一個(gè)串聯(lián)支路中每個(gè)LED上的電流也基本相同,，亮度一致,，同時(shí)通過每個(gè)串聯(lián)支路的電流也相近,。 [1]嘉定區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠電機(jī)控制：驅(qū)動(dòng)電路可以用來控制各種類型的電機(jī),，例如步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī),、交流電機(jī)等。

可控硅前沿調(diào)光器若直接用于控制普通的LED驅(qū)動(dòng)器,，LED燈會產(chǎn)生閃爍,，更不能實(shí)現(xiàn)寬范圍的調(diào)光控制,。原因歸結(jié)如下：(1)可控硅的維持電流問題,。目前市面上的可控硅調(diào)光器功率等級不同,，維持電流一般是7～75mA(驅(qū)動(dòng)電流則是7～100mA)，導(dǎo)通后流過可控硅的電流必須要大于這個(gè)值才能繼續(xù)導(dǎo)通,，否則會自行關(guān)斷,。(2)阻抗匹配問題,。當(dāng)可控硅導(dǎo)通后，可控硅和驅(qū)動(dòng)電路的阻抗都發(fā)生變化,，且驅(qū)動(dòng)電路由于有差模濾波電容的存在,，呈容性阻抗，與可控硅調(diào)光器存在阻抗匹配的問題,，因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)一般需要使用較小的差模濾波電容,。

表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作,。為使IGBT能可靠工作,。IGBT對其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后,。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài),。瞬時(shí)過載時(shí),，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),，在漏源電流一定的情況下,，VGE越高,，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小,，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力,。但是， VGE并非越高越好,，一般不允許超過20 V,，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高,，則電流幅值越高,，IGBT損壞的可能性就越大。通常,，綜合考慮取+15 V為宜,。MOSFET驅(qū)動(dòng)電路：使用MOSFET（場效應(yīng)晶體管）作為開關(guān)元件，適用于高效能的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng),。

一,、驅(qū)動(dòng)電路概述驅(qū)動(dòng)電路是位于主電路和控制電路之間,，用來對控制電路的信號進(jìn)行放大的中間電路,，即將控制電路輸出的信號放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管的程度，實(shí)現(xiàn)開關(guān)功率放大作用,。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備,、電視,、汽車、機(jī)器人等領(lǐng)域,。二,、驅(qū)動(dòng)電路的作用功率放大：驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號放大，以驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的開斷,。提高系統(tǒng)可靠性：優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠減少器件的開關(guān)損耗,，提高能量轉(zhuǎn)換效率，并降低電磁干擾（EMI/EMC）,?？刂菩盘枺捍_定控制信號的類型（如PWM信號、數(shù)字信號等）,。楊浦區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路服務(wù)熱線

個(gè)人的職業(yè)發(fā)展可能受到內(nèi)在驅(qū)動(dòng)（如興趣,、目標(biāo)）和外部驅(qū)動(dòng)（如薪水、晉升機(jī)會）的影響,。嘉定區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路專賣店

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。3,、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下，偶然加主電高壓,，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT,，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置,、門極電荷、耐固性和電源情況等,。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,，對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間,、開關(guān)損耗,、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見表1,。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性,、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負(fù)偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大,。在門極電路的設(shè)計(jì)中,，還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1),。嘉定區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路專賣店

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