磁轉(zhuǎn)子12放置在待加工部件20的待加工表面上,，用于通過旋轉(zhuǎn)對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨,，對(duì)待加工表面進(jìn)行減薄。由于減薄過程中待加工部件20如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn),，因此,，可以降低拋光減薄過程中對(duì)待加工部件20如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力，降低待加工部件20如inp基晶圓的機(jī)械加工損傷,?？蛇x地，本發(fā)明實(shí)施例中通過光刻膠鍵合固定待加工部件20和托盤10,。當(dāng)然,，本發(fā)明并不限于此，在其他實(shí)施例中,，待加工部件20和托盤10還可以采用其他膠體進(jìn)行鍵合固定,。基于此,，如圖2所示,，本發(fā)明實(shí)施例中的拋光減薄裝置還包括熱板14，該熱板14設(shè)置在托盤10底部,，用于對(duì)托盤10進(jìn)行加熱,，以使待加工部件20與托盤10鍵合固定。具體地,，將待加工部件20背面噴涂厚度約為2μm的光刻膠21，如az4620光刻膠,，然后在托盤10表面噴涂厚度約為3μm的光刻膠21,，如az4620光刻膠，之后,，將托盤10光刻膠面向上放于溫度為90℃的熱板14上,，將待加工部件20光刻膠面和托盤10光刻膠面貼合，在2×10-2mabr真空下,，施加1bar壓強(qiáng)于待加工部件20上進(jìn)行鍵合,，鍵合時(shí)間20min,。本發(fā)明實(shí)施例中，采用噴頭11向待加工部件20的待加工表面噴涂拋光液110,，來對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行拋光,。需要說明的是。哪家減薄用清洗劑的質(zhì)量比較高,？南通顯示面板用減薄用清洗劑供應(yīng)

    將待加工部件固定在托盤上包括：采用光刻膠將待加工部件固定在托盤上,。具體地，將待加工部件背面噴涂厚度約為2μm的光刻膠,，如az4620光刻膠,，然后在托盤表面噴涂厚度約為3μm的光刻膠，如az4620光刻膠,，之后,，將托盤光刻膠面向上放于溫度為90℃的熱板上，將待加工部件光刻膠面和托盤光刻膠面貼合,，在2×10-2mabr真空下,，施加1bar壓強(qiáng)于待加工部件上進(jìn)行鍵合，鍵合時(shí)間20min,。s102：通過噴頭向待加工部件的待加工表面噴涂拋光液,，來對(duì)待加工表面進(jìn)行拋光；s103：通過磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)對(duì)待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨,，來對(duì)待加工表面進(jìn)行減薄,。可選地,，本發(fā)明實(shí)施例中,，s102和s103可以交替進(jìn)行，也就是說,，控制磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)一段時(shí)間后,，控制磁轉(zhuǎn)子停止旋轉(zhuǎn)，并控制噴頭噴涂拋光液,，停止噴涂拋光液后,，再次控制磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)，以此類推,。本發(fā)明實(shí)施例中,，通過磁轉(zhuǎn)子和噴頭交替工作，實(shí)現(xiàn)了減薄和拋光兩種工藝交替作用,，使得減薄和拋光一體化完成,，整個(gè)過程穩(wěn)定，速度快,，控制性好,，重復(fù)度高,，無粉塵污染，襯底減薄終厚度達(dá)到20μm,，拋光面ra＜2nm,。由于減薄過程中待加工部件20如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn)，因此,，可以降低拋光減薄過程中對(duì)待加工部件20如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力,。揚(yáng)州什么是減薄用清洗劑溶劑蘇州質(zhì)量好的減薄用清洗劑的公司。

    即兩所述側(cè)板422之間設(shè)置有一排所述固定板423,，從而形成對(duì)應(yīng)設(shè)置有所述側(cè)支撐件44的所述豎直平板421,，在各所述放置部?jī)?nèi)放置有一排玻璃，可實(shí)現(xiàn)所述放置部結(jié)構(gòu)的小型化,，便于在同一所述玻璃加工治具4上設(shè)置若干所述放置部以使各所述放置部對(duì)應(yīng)不同尺寸的玻璃,。圖4為所述調(diào)節(jié)槽的另一種實(shí)施方式，所述調(diào)節(jié)槽包括若干所述水平槽424和與所述水平槽424均豎直貫通連接的所述豎直槽425,，所述固定槽426設(shè)置于所述水平槽424的下邊緣,；兩所述豎直平板421均設(shè)置有所述側(cè)支撐件44，同一所述水平槽424可設(shè)置兩個(gè)所述固定卡塊427,，即兩所述側(cè)板422之間設(shè)置有兩排所述固定板423,，兩所述固定板423分別對(duì)應(yīng)兩所述豎直平板421，使在同一所述放置部?jī)?nèi)分割處兩個(gè)放置空間,，從而在各所述放置部?jī)?nèi)可放置兩排玻璃,，便于節(jié)省所述玻璃加工治具4上的有限空間，可大尺寸玻璃和小尺寸玻璃配合設(shè)置于同一所述放置部?jī)?nèi),。較佳的,，兩相鄰所述水平槽424之間還設(shè)置有至少兩個(gè)定位槽428，所述固定板423兩端設(shè)置有定位孔429,，當(dāng)所述固定卡塊427設(shè)置于所述固定槽426內(nèi)時(shí),，所述定位槽428和所述定位孔429位置對(duì)應(yīng)；通過將螺釘穿過所述固定槽426螺紋固定在所述定位孔429中,，保證所述固定卡塊427在所述固定槽426內(nèi),。

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說,，涉及一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法,。背景技術(shù)：采用iii-v族化合物制作的半導(dǎo)體器件和超高速數(shù)字/數(shù)模混合電路等憑借其優(yōu)良的頻率特性,，已經(jīng)成為通訊、雷達(dá),、制導(dǎo),、空間防御,、高速智能化武器及電子對(duì)抗等現(xiàn)代化裝備的部件之一。在眾多的iii-v族化合物中,，inp(磷化銦)化合物具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),，這主要得益于其優(yōu)良的材料特性，例如,，inp和ingaas(銦鎵砷)之間的晶格失配很小,，以及電子飽和速率很高等，所以不論是hemt(highelectronmobilitytransistor,，高電子遷移率晶體管)結(jié)構(gòu)還是hbt(heterojunctionbipolartransistor,，異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)結(jié)構(gòu)，都具有非常優(yōu)異的高頻,、大功率性能,。但是，inp材料的物理性能卻很差,，非常易碎,，很小的碰撞或振動(dòng)都會(huì)導(dǎo)致晶圓碎裂而前功盡棄，因此,，inp材料的制造加工面臨著很多工藝上的難題,。尤其是在超高頻率、大功率的inp基rfic(射頻集成電路)的制造工藝中,，如何在對(duì)inp基晶圓進(jìn)行減薄拋光時(shí),，減小或避免inp基晶圓的損傷是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此,，本發(fā)明提供了一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法,，以減小或避免inp基晶圓的減薄拋光損傷。為實(shí)現(xiàn)上述目的,。減薄清洗劑,，輕松解決涂層過厚問題，讓您的產(chǎn)品更好,。

    用于實(shí)現(xiàn)將所述玻璃加工治具從所述轉(zhuǎn)換區(qū)經(jīng)所述沖洗區(qū)向所述蝕刻區(qū)的減薄前移動(dòng),，以及從所述蝕刻區(qū)經(jīng)所述沖洗區(qū)向所述轉(zhuǎn)換區(qū)的減薄后移動(dòng)；所述沖洗區(qū)設(shè)置于所述轉(zhuǎn)換區(qū)和所述蝕刻區(qū)之間,。較佳的,，所述蝕刻區(qū)包括腔室、主厚度測(cè)量?jī)x,、噴淋組件和控制器,；所述主厚度測(cè)量?jī)x、所述噴淋組件設(shè)置于所述腔室上，所述噴淋組件在所述腔室中對(duì)設(shè)置于所述玻璃加工治具上的玻璃施加減薄處理,，所述主厚度測(cè)量?jī)x實(shí)時(shí)測(cè)量在所述腔室內(nèi)經(jīng)歷減薄處理的玻璃厚度,；所述控制器與所述噴淋組件、所述主厚度測(cè)量?jī)x,、所述傳輸組件連接,。較佳的，所述噴淋組件包括設(shè)置于所述腔室頂部的噴淋頭,、設(shè)置于所述腔室底部的收集槽,、以及與所述噴淋頭、所述收集槽均連通的外部噴淋液管路,，通過所述噴淋頭對(duì)所述玻璃加工治具上的玻璃噴淋噴淋液從而實(shí)現(xiàn)玻璃的減薄處理,，所述收集槽收集減薄處理后的噴淋液并傳輸至所述噴淋液管路從所述腔室內(nèi)排出。較佳的,，所述主厚度測(cè)量?jī)x包括用于發(fā)射激光束的發(fā)射器,、用于接收被玻璃反射光束的接收器以及用于分析所述接收器中接收光束并且計(jì)算玻璃厚度的分析器。較佳的,，所述主厚度測(cè)量?jī)x還包括空氣噴射器,，用于將空氣噴射到玻璃表面，將被檢測(cè)部位暴露于所述發(fā)射器對(duì)應(yīng)位置,。哪家的減薄用清洗劑成本價(jià)比較低,？廣東國產(chǎn)減薄用清洗劑產(chǎn)品介紹

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