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哪家剝離液配方技術(shù)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-02

    常在印刷電路板,,液晶顯示面板,半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中,,需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路,,形成微電路之后,,進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工藝主要包含光阻涂布,、顯影,、去光阻,、相關(guān)清洗作業(yè)四大階段,其中在去光阻階段會(huì)產(chǎn)生部分剝離液,。印制電路板生產(chǎn)工藝相當(dāng)復(fù)雜,。不僅設(shè)備和制造工藝的科技含量高,工藝流程長(zhǎng),,用水量大,,而且所用的化學(xué)藥品(包括各種添加劑)種類多,、用量大,。因此,,在用減成法生產(chǎn)印刷線路板的過程中,,產(chǎn)污環(huán)節(jié)多,,種類繁雜,物料損耗大,??煞譃楦煞庸?設(shè)計(jì)和布線,、模版制作,、鉆孔,、貼膜,、曝光和外形加工等)和濕法加工(內(nèi)層板黑膜氧化,、去孔壁樹脂膩污,、沉銅,、電鍍、顯影,、蝕刻、脫膜,、絲印,、熱風(fēng)整平等)過程,。其中在脫模(剝膜)工序?yàn)榱嗣摮龔U舊電路板表面殘留焊錫,,需用硝酸為氧化劑,氨基磺酸為穩(wěn)定劑,苯并三氮唑?yàn)殂~的緩蝕劑進(jìn)行操作,,整個(gè)工序中會(huì)產(chǎn)生大量的剝離液,,有機(jī)溶劑成分較大。 友達(dá)光電用的哪家的剝離液,?哪家剝離液配方技術(shù)

哪家剝離液配方技術(shù),剝離液

本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術(shù)::印刷布線板的制造,、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中,伴隨微細(xì)布線化而使用胺系的剝離液,。然而,以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難,、海外的法規(guī)制度的問題,,而避免其使用,。近年來,,為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點(diǎn),,還報(bào)道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻(xiàn)1),,由于剝離時(shí)的抗蝕劑沒有微細(xì)地粉碎,,因此存在近年的微細(xì)的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點(diǎn)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-323776號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:發(fā)明要解決的問題因此,,本發(fā)明的課題在于,,提供容易除去微細(xì)的布線間的抗蝕劑的技術(shù),。用于解決問題的手段本發(fā)明人等為了解決上述課題而深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn),,含有鉀鹽和溶纖劑的溶液與專利文獻(xiàn)1那樣的含有氫氧化鈉和溶纖劑的溶液相比,即使是非常微細(xì)的布線間的抗蝕劑也能細(xì)小地粉碎,,從而完成本發(fā)明。即,,本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的剝離液,,其特征在于,,含有鉀鹽和溶纖劑,。另外,,本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的除去方法,,其特征在于,用上述抗蝕劑的剝離液處理施加有抗蝕劑的基材,。深圳京東方用的蝕刻液剝離液主要作用剝離液的成分分類有哪幾種,;

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    避免接觸皮膚、眼睛和衣服,;存儲(chǔ):密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護(hù)極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風(fēng):良好的通風(fēng)措施,,保持良好通風(fēng)人員保護(hù)設(shè)備:橡膠手套、防護(hù)目鏡,,避免接觸皮膚、眼睛,、衣服,、避免吸入蒸汽壓;9.物理和化學(xué)性能物理測(cè)試:液體顏色:微黃氣味:類氨熔點(diǎn):-24~-23℃沸點(diǎn):165~204℃閃點(diǎn):110℃蒸汽壓mmHg@20℃蒸汽壓密度(空氣=1):密度(水=1):粘度:10~200cps水中溶解性:任意比例混溶其它溶劑:溶于部分有機(jī)溶劑PH值:10.穩(wěn)定性與活性穩(wěn)定性:穩(wěn)定危險(xiǎn)反應(yīng):有機(jī)和無機(jī)酸,、強(qiáng)氧化劑,、堿金屬、強(qiáng)酸混溶性:強(qiáng)氧化劑和酸不能混溶,,在高溫氣壓下可與二硫化碳反應(yīng)避免條件:熱,、火、火源及混溶11.毒性N-Methyl-2-pyrrolidone實(shí)際毒性LD50/口服:3600mg/kgLD50/皮膚接觸(兔):8000mg/kgLC50/吸入(鼠):>mg/1/4hN,N-DIMETHYLACETAMIDELD50/口服/鼠:>2000mg/kgLD50/皮膚接觸/兔:>,。

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過皮帶連接,,所述收卷驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述膠面收卷輥通過導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的,所述電加熱箱與所述干燥度感應(yīng)器通過導(dǎo)線連接,,所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過導(dǎo)線連接,。進(jìn)一步的,所述主支撐架由合金鋼壓制而成,,厚度為5mm,。進(jìn)一步的,所述干燥度感應(yīng)器與所述電氣控制箱通過導(dǎo)線連接,。進(jìn)一步的,,所述防濺射擋板共有兩塊,,傾斜角度為45°,。進(jìn)一步的,所述電氣控制箱與所述表面印刷結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)線連接,,所述電氣控制箱與所述膠面剝離結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)線連接,。本技術(shù)的有益效果在于:采用黏合方式對(duì)印刷品膠面印刷進(jìn)行剝離,同時(shí)能夠?qū)τ∷⑵纺z面進(jìn)行回收,,節(jié)約了大量材料,,降低了生產(chǎn)成本。剝離液的類別一般有哪些,。

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    但現(xiàn)有的回收裝置普遍存在如下問題:剝離廢液利用水洗裝置水洗過濾出光刻膠樹脂成分,,回收率低。為了解決這一問題,,現(xiàn)有技術(shù)通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續(xù)反應(yīng),,而后沉淀過濾出光刻膠樹脂成分,但所得到的光刻膠樹脂成分品質(zhì)不宜再用于光刻膠原料,,只能用于其他要求較低的樹脂需求場(chǎng)所,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型的目的是為了提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)置更為合理、使用方便可靠的光刻膠廢剝離液回收裝置,,從根本上解決現(xiàn)有回收裝置回收率低的問題,,同時(shí)分級(jí)回收輸出線性酚醛樹脂成分,分級(jí)儲(chǔ)存,,以用于不同場(chǎng)合,,物盡其用。為達(dá)到上述目的,,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種光刻膠廢剝離液回收裝置,,包括攪拌釜和與攪拌釜連通的過濾罐,攪拌釜頂部設(shè)有廢剝離液投料口,,其技術(shù)要點(diǎn)是:所述過濾罐的數(shù)量為兩個(gè),,由一級(jí)過濾罐和二級(jí)過濾罐組成,,所述一級(jí)過濾罐和二級(jí)過濾罐在垂直方向上位于攪拌釜下方,一級(jí)過濾罐和二級(jí)過濾罐的進(jìn)料管路分別與攪拌釜底部連通,,且進(jìn)料管路上分別設(shè)有電磁閥,,所述一級(jí)過濾罐的底部出液口連接有提升泵,所述提升泵的出料管路末端與攪拌釜頂部的循環(huán)料口連通,,所述攪拌釜頂部另設(shè)有功能切換口,。剝離液可以有正膠和負(fù)膠以及正負(fù)膠不同的分類。嘉興BOE蝕刻液剝離液聯(lián)系方式

銅剝離液的配方是什么,?哪家剝離液配方技術(shù)

    本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例,,用于半導(dǎo)體制造工藝中,可應(yīng)用于包括但不限于mos,、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟,,主要包括以下步驟:s1,在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層,;s2,,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成光刻圖形阻擋層,;s3,,執(zhí)行離子注入,離子注入劑量范圍為1×1013cm-2~1×1016cm-2,。s4,,采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕,對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離,,氫氮混合比例范圍為4:96~30:70,。s5,對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗,,清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液,。本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第三實(shí)施例,用于半導(dǎo)體制造工藝中,,可應(yīng)用于包括但不限于mos,、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟,主要包括以下步驟:s1,,在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層,;s2,,旋涂光刻膠并曝光顯影,,形成光刻圖形阻擋層;s3,,執(zhí)行離子注入,,離子注入劑量范圍為1×1013cm-2~1×1016cm-2,。s4,采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕,,對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離,,氫氮混合比例范圍為4:96~30:70。s5,,對(duì)硅片執(zhí)行單片排序清洗,,清洗液采用h2so4:h2o2配比范圍為6:1~4:1且溫度范圍為110℃~140℃的過氧化硫磺混合物溶液。哪家剝離液配方技術(shù)