BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,，每個平臺針對不同的應(yīng)用,。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應(yīng)用,，例如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū),。

特征：

在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料,，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成

支持邏輯縮放,，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配）,，N＆P堆棧,，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200,、300毫米

蕞高數(shù)量或過程模塊8通量

每小時蕞多40個晶圓

處理系統(tǒng)

4個裝載口

特征：

多達八個預(yù)處理模塊,，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊,，對準驗證模塊和解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實現(xiàn)蕞高吞吐量

光學(xué)邊緣對準模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ GEMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用,。值得買鍵合機推薦型號

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室,，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標準），其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯

兆聲區(qū)域傳感器

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域：三角形,，確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性

材質(zhì)：不銹鋼和藍寶石

刷子

材質(zhì)：PVA

可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）

可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）

北京官方鍵合機EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),，同時結(jié)合了自動光學(xué)對準和鍵合操作功能,。

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路,。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢,，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種,。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同,。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn),。通常將純硅錠切成薄片,，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ),。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離,。分離后，將它們封裝成單獨的組件,，然后將焊料引線施加到封裝上,。

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］,。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝,。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,，要進行復(fù)雜的拋光處理，這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］,。EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋,，可快速排空，快速加熱和冷卻,。

在鍵合過程中,，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度）,，和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極,，這就是所謂的陰極,，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸,。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,，并在到達邊界時與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）,。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起,。EVG的 GEMINI系列，在醉小占地面積上,，一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對準技術(shù),。寧夏晶圓鍵合機

EVG鍵合機通過控制溫度，壓力,，時間和氣體,，允許進行大多數(shù)鍵合過程。值得買鍵合機推薦型號

從表面上看,，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語,，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復(fù)雜得多,。為了將各種組件長久地連接在一起,，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程,，但是由于項目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對鍵合溫度,，通常*應(yīng)用金,，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,，超聲波能量和微量壓力的技術(shù),，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng),，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤,，因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習(xí)，然后再嘗試進行引線鍵合,。值得買鍵合機推薦型號

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