EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室,，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標準）,，其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯

兆聲區(qū)域傳感器

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域：三角形,，確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性

材質(zhì)：不銹鋼和藍寶石

刷子

材質(zhì)：PVA

可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）

可調(diào)參數(shù)（刷壓縮,，介質(zhì)分配）

我們的服務(wù)包括通過安全的連接,，電話或電子郵件,，對包括現(xiàn)場驗證,，進行實時遠程診斷和設(shè)備/工藝排除故障,。半導(dǎo)體鍵合機供應(yīng)商家

GEMINI ? FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準,，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器,，該鍵合對準器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的,。ComBond鍵合機圖像傳感器應(yīng)用晶圓級涂層、封裝,，工程襯底智造,，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）,。

1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝在滿足實際應(yīng)用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,、對環(huán)境要求苛刻的問題,。

2) 由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實際應(yīng)用環(huán)境,，且具有工藝溫度低,，容易實現(xiàn)圖 形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點,。

3) 由破壞性試驗結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想,，還需對工藝流程進 一步優(yōu)化,，對工藝參數(shù)進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率,。

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝,。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,，要進行復(fù)雜的拋光處理,，這大 大加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程,。

鍵合機特征 高真空，對準,，共價鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合,，包括金屬（鋁） 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動,，卡帶,，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高達200毫米EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI，支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝,。內(nèi)蒙古鍵合機當?shù)貎r格

自動鍵合系統(tǒng)EVG?540，擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤,。半導(dǎo)體鍵合機供應(yīng)商家

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,，高產(chǎn)量環(huán)境中運行

盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機械平整或缺口對準的預(yù)鍵合

先進的遠程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200,、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對準類型：平面到平面或凹口到凹口

對準精度：X和Y：±50μm,，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 半導(dǎo)體鍵合機供應(yīng)商家

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是一家磁記錄、半導(dǎo)體,、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā),、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù),，國際貿(mào)易,、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù),。 【依法須經(jīng)批準的項目,，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動】磁記錄、半導(dǎo)體,、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā),、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù),，國際貿(mào)易,、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù),。 【依法須經(jīng)批準的項目,，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動】的公司，是一家集研發(fā),、設(shè)計,、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司,。公司自創(chuàng)立以來，投身于磁記錄,，半導(dǎo)體,，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā),，是儀器儀表的主力軍,。岱美儀器技術(shù)服務(wù)致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產(chǎn)品上的貼心，為用戶帶來良好體驗,。岱美儀器技術(shù)服務(wù)創(chuàng)始人陳玲玲,，始終關(guān)注客戶，創(chuàng)新科技,，竭誠為客戶提供良好的服務(wù),。