長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開(kāi)來(lái),，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn),，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500個(gè),。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO）,，并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率,。針對(duì)MEMS,，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊,。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹,。EVG500系列鍵合機(jī)是基于獨(dú)特模塊化鍵合室設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換,。聯(lián)電鍵合機(jī)應(yīng)用

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）

無(wú)污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200,、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm,，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 聯(lián)電鍵合機(jī)售后服務(wù)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能,；200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng),。

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ,，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上,。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度,，即 363 ℃ ,， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài),，冷卻后形成良好的鍵合［12,，13］。而光刻,、深刻蝕,、清洗等工藝帶來(lái)的雜質(zhì)對(duì)于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合,，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn),。

EVG®510晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：

用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。

特色：

EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從碎片到200mm的基板尺寸,。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝,，例如陽(yáng)極，玻璃粉,，焊料,，共晶，瞬態(tài)液相和直接法,。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對(duì)不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化,，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用,。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,。 EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過(guò)遠(yuǎn)程通信的。

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,，以保護(hù)它們免受損壞,，污染，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng),。陽(yáng)極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián),，在該行業(yè)中，陽(yáng)極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備,。陽(yáng)極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無(wú)需粘合劑或過(guò)高的溫度,，而這是將組件融合在一起所需要的,。陽(yáng)極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制,，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說(shuō),，它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲,。

      而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽(yáng)極鍵合的問(wèn)題,，如果需要了解，請(qǐng)點(diǎn)擊：鍵合機(jī),。 烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層,。半導(dǎo)體鍵合機(jī)出廠價(jià)

EVG的 GEMINI系列，在醉小占地面積上,，一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對(duì)準(zhǔn)技術(shù),。聯(lián)電鍵合機(jī)應(yīng)用

共晶鍵合［8,，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層,，通過(guò)加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來(lái)實(shí)現(xiàn),。因此,，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量,。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁,、金,、鈦、鉻,、鉛—錫等,。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,，可以降低鍵合工藝難度,，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用,， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10,，11］。聯(lián)電鍵合機(jī)應(yīng)用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表,，是一家其他型公司,。公司業(yè)務(wù)分為磁記錄，半導(dǎo)體,，光通訊生產(chǎn),，測(cè)試儀器的批發(fā)等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn),，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù),。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念,，秉持誠(chéng)信為本的理念,，打造儀器儀表良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下,，持續(xù)創(chuàng)新,，不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持,。