氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積,、表面轉(zhuǎn)化或其它表面技術(shù)制備的氮化鋁覆蓋層 。氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料,、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應(yīng)用前景,。由于它的聲表面波速度高,，具有壓電性,，可用作聲表面波器件。此外,，氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能,，可用作防護(hù)膜。氮化鋁膜很早用化學(xué)氣相沉積(CVI)制備,，其沉積溫度高達(dá)1000攝氏度以上,。后來，通過采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,，或用物相沉積((PVD)方法,，其沉積溫度逐步降到500攝氏度以下、甚至可以在接近室溫條件下沉積,。大多數(shù)氮化鋁膜為多晶,，但已在藍(lán)寶石基材上成功地外延生長(zhǎng)制成單晶氮化鋁膜。此外,，也曾沉積出非晶氮化鋁膜,。在氮化鋁一系列重要的性質(zhì)中，很為明顯的是高的熱導(dǎo)率,。天津耐溫氮化鋁粉體銷售公司

氮化鋁的應(yīng)用：應(yīng)用于陶瓷及耐火材料,，氮化鋁可應(yīng)用于結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)，制備出來的氮化鋁陶瓷,，不但機(jī)械性能好,，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，硬度高,，還耐高溫耐腐蝕,。利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性，可用于制作坩堝,、Al蒸發(fā)皿等高溫耐蝕部件,。此外，純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體,，具有優(yōu)異的光學(xué)性能,，可以用作透明陶瓷制造電子光學(xué)器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。復(fù)合材料,，環(huán)氧樹脂/AlN復(fù)合材料作為封裝材料,，需要良好的導(dǎo)熱散熱能力，且這種要求愈發(fā)嚴(yán)苛,。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學(xué)性能和力學(xué)穩(wěn)定性的高分子材料,，它固化方便，收縮率低,，但導(dǎo)熱能力不高,。通過將導(dǎo)熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂中,，可有效提高材料的熱導(dǎo)率和強(qiáng)度。多孔氮化鋁廠家推薦制備氮化鋁粉末一般都需要較高的溫度,，從而導(dǎo)致生產(chǎn)制備過程中的能耗較高,，同時(shí)存在安全風(fēng)險(xiǎn)。

氮化鋁陶瓷基片（AlN）是新型功能電子陶瓷材料,，是以氮化鋁粉作為原料,，采用流延工藝，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而制成的陶瓷基片,。氮化鋁陶瓷基板具有氮化鋁材料的各種優(yōu)異特性,，符合封裝電子基片應(yīng)具備的性質(zhì)，能高效地散除大型集成電路的熱量,，是高密度,，大功率，多芯片組件等半導(dǎo)體器件和大功率,，高亮度的LED基板及封裝材料的關(guān)鍵材料,，被認(rèn)為是很理想的基板材料。較廣應(yīng)用于功率晶體管模塊基板,、激光二極管安裝基板,、半導(dǎo)體制冷器件、大功率集成電路,，以及作為高導(dǎo)熱基板材料在IC封裝中使用,。

氮化鋁基板材料熱膨脹系數(shù)（4.6×10-6/K）與SiC芯片熱膨脹系數(shù)（4.5×10-6/K）相近，導(dǎo)熱率系數(shù)大（170-230W/m?K）,，絕緣性能優(yōu)異，可以適應(yīng)SiC的應(yīng)用要求,，是搭載SiC半導(dǎo)體的理想基板材料,。以往，氮化鋁基板主要通過如下工藝制備：在氮化鋁粉末中混合煅燒助劑,、粘合劑,、增塑劑、分散介質(zhì),、脫模機(jī)等添加劑,，通過擠出成型在空氣中或氮等非氧化性氣氛中加熱到350-700℃而將粘合劑去除后（脫脂），在1800-1900℃的氮等非氧化性氣氛中保持0.5-10小時(shí)的（煅燒）,。該法制備氮化鋁基板的缺陷：通過上述工藝制備出來的氮化鋁基板材料,，其擊穿電壓在室溫下顯示為30-40kV/mm左右的高絕緣性，但在400℃的高溫下則降低到10kV/mm左右,。在高溫下具備優(yōu)異絕緣特性的氮化鋁基板的制備方法,。通過該法可制備出耐高溫氮化鋁基板材料具有如下特點(diǎn)：氮化鋁晶粒平均大小為2-5μm,；熱導(dǎo)率為170W/m?K以上；不含枝狀晶界相,；在400℃下的擊穿電壓為30kV/mm以上,。大多數(shù)氮化鋁膜為多晶，但已在藍(lán)寶石基材上成功地外延生長(zhǎng)制成單晶氮化鋁膜,。

脫脂體中的殘留碳被除去,，以得到具有理想煅燒體組織和熱導(dǎo)率的氮化鋁煅燒體。如果爐內(nèi)壓力超過150Pa,，則不能充分地除去碳,，如果溫度超過1500℃進(jìn)行加熱，氮化鋁晶粒將會(huì)有致密化的趨勢(shì),，碳的擴(kuò)散路徑將會(huì)被閉合,，因此不能充分的除去碳。此處,，如果在爐內(nèi)壓力0.4MPa以上的加壓氣氛下進(jìn)行煅燒,，則液相化的煅燒助劑不易揮發(fā)，能有效的預(yù)制氮化鋁晶粒的空隙產(chǎn)生,，能有效的提高氮化鋁基板的絕緣特性,；如果煅燒溫度不足1700℃，則由于氮化鋁的晶粒的粒子生長(zhǎng)不充分而無法得到致密的的煅燒體組織,，導(dǎo)致基板的導(dǎo)熱率下降,，；另一方面,，如果煅燒溫度超過1900℃,，則氮化鋁晶粒過度長(zhǎng)大，導(dǎo)致氧化鋁晶粒間的空隙增大,，從而導(dǎo)致氮化鋁基板的絕緣性下降,。一般而言，氮化鋁晶粒的平均粒徑在2μm到5μm之間可以有較好的熱導(dǎo)率及機(jī)械強(qiáng)度,。晶粒過小,，致密度下降，則導(dǎo)熱率下降,；晶粒過大,，則氮化鋁晶粒間隙增大，從而存在絕緣性,、機(jī)械強(qiáng)度下降的情況,。此處，非氧化性氣氛是指不含氧等氧化性氣體的惰性氣氛，還原氣氛等,。氮化鋁與氮化硅是目前很適合用作電子封裝基片的材料,，但他們也有個(gè)共同的問題就是價(jià)格過高。深圳超細(xì)氮化鋁哪家好

氮化鋁的價(jià)格高居不下,，每公斤上千元的價(jià)格也在一定程度上限制了它的應(yīng)用,。天津耐溫氮化鋁粉體銷售公司

AIN的作用：關(guān)于密集六角結(jié)構(gòu)的A1N(a=0．3104，C=0．4965nm)與硅鐵母相的析出方位關(guān)系,。在2000個(gè)約1微米左右的針狀A(yù)1N中,，對(duì)用電子射線可明確分析的單晶中122個(gè)、冷軋后155個(gè)試樣進(jìn)行了調(diào)查,。結(jié)果是,，觀察到大半的針狀A(yù)IN似乎沿{100}Fe及{120}Fe為慣析面析出，但實(shí)際上,，A1N與硅鐵母相之間具有一定關(guān)系,。關(guān)于晶界通過一個(gè)析出物時(shí)，其對(duì)移動(dòng)的抑制力,，如按Zener公式,，一直用取決于形狀、尺寸,、體積比等因子的機(jī)械抑制力IR來進(jìn)行討論,。從母相晶體與AIN之問的特殊析出位向關(guān)系出發(fā)，產(chǎn)生了新的抑制效果,，在此,，稱之為選擇抑制力。AIN對(duì)母相晶體之所以具有特定的析出位向關(guān)系,，是因?yàn)槠湮龀龇轿环€(wěn)定的原因,。天津耐溫氮化鋁粉體銷售公司