本文介紹了如何實(shí)現(xiàn)具有較大信號輸出的硅應(yīng)變計...發(fā)表于2017-06-0714:12?518次閱讀負(fù)反饋電阻在運(yùn)放電路中有什么作用,？射頻電阻并聯(lián)同...在射頻和微波頻段使用的高功率電阻,，大多數(shù)使用在Wilkinson功分器或者合路器產(chǎn)品中,。為得到**好的...發(fā)表于2017-06-0709:01?1724次閱讀什么是泄漏電阻,？泄漏電流的原因個絕緣電阻有關(guān)系嗎...通過絕緣體,，導(dǎo)體或地線的電流很少（微安）。如果絕緣劣化會出現(xiàn)電流增加或吸收電流消失后有電流增加,。（參...發(fā)表于2017-06-0617:17?2236次閱讀**電阻標(biāo)準(zhǔn)衡量值,，電阻和電壓之間的交互關(guān)系我現(xiàn)在知道的是：金屬導(dǎo)體里的自由電子產(chǎn)生規(guī)律運(yùn)動而產(chǎn)生的電流，而電阻是由自由電子在導(dǎo)體中碰撞其他的分...發(fā)表于2017-06-0614:34?402次閱讀何為水泥電阻,？四,、五線共線電阻屏的設(shè)計與考量五線電阻技術(shù)觸摸屏的基層把兩個方向的電壓場通過精密電阻網(wǎng)絡(luò)都加在玻璃的導(dǎo)電工作面上,，我們可以簡單的理...發(fā)表于2017-06-0609:01?396次閱讀AC電機(jī)如何利用電容來調(diào)整速度？電學(xué)單位換算該如...就是說容抗與頻率成反比,，與容量成反比,。容抗也是有電壓降的。容量越小,，容抗越大,。作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通,、智能電網(wǎng),、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣,。天津貿(mào)易模塊進(jìn)貨價

    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術(shù)：igbt隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計和工藝技術(shù)的升級,，主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示),，現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示，先在半導(dǎo)體襯底上光刻出溝槽,，接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示),，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示),，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示),，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升,，但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來的結(jié)電容的大幅度上升,，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應(yīng)用于高頻場景。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型為解決現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容較大的問題,，提供了一種新的溝槽柵igbt結(jié)構(gòu),。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導(dǎo)體襯底,，所述半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)設(shè)置兩個溝槽柵結(jié)構(gòu),；兩個溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個所述溝槽柵結(jié)構(gòu)對稱,，溝槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層,，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設(shè)置在溝道區(qū),，所述第二氧化層設(shè)置在非溝道區(qū),，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進(jìn)一步地,。河北大規(guī)模模塊批發(fā)左邊所示為一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),， N+區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。

    您所在位置：網(wǎng)站首頁>海量文檔>理工科>能源/化工富士IGBT應(yīng)用手冊.pdf92頁本文檔一共被下載：次,您可全文**在線閱讀后下載本文檔,。下載提示1.本站不保證該用戶上傳的文檔完整性,，不預(yù)覽、不比對內(nèi)容而直接下載產(chǎn)生的反悔問題本站不予受理,。2.該文檔所得收入(下載+內(nèi)容+預(yù)覽三)歸上傳者,、原創(chuàng)者。3.登錄后可充值,，立即自動返金幣,，充值渠道很便利同意并開始全文預(yù)覽下載地址文檔糾錯收藏文檔下載幫助下載源文檔（pdf格式，）特別說明：下載前務(wù)必先預(yù)覽,，自己驗(yàn)證一下是不是你要下載的文檔,。上傳作者：kolr（上傳創(chuàng)作收益人）發(fā)布時間：2018-03-04需要金幣：180(10金幣=人民幣1元)瀏覽人氣：下載次數(shù)：收藏次數(shù)：文件大小：MB下載過該文檔的會員：這個文檔不錯0%(0)文檔有待改進(jìn)0%,。

    本實(shí)用新型涉及驅(qū)動電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路,。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v,，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關(guān)速度快,，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt,，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運(yùn)行,，甚至損壞igbt模塊,，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）,、采用光纖傳遞控制信號,，控制電路弱信號與igbt模塊的強(qiáng)信號實(shí)現(xiàn)電氣完全隔離，抗干擾能力強(qiáng),，可靠性高,，但是光纖成本昂貴；2）,、通常采用**的驅(qū)動器和驅(qū)動芯片,，例如風(fēng)電**驅(qū)動器2sd300，采用專業(yè)的調(diào)制與解調(diào)芯片,，通過脈沖變壓器傳遞驅(qū)動信號,，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高,，大量應(yīng)用于風(fēng)電變流器領(lǐng)域,。以上兩種方案雖然解決了風(fēng)電變流器emc抗干擾問題,，但是成本相對較高，較為經(jīng)濟(jì)的解決方案是采用光耦來實(shí)現(xiàn)電氣隔離,，但是光耦的原邊一般采用低壓電路（15v或者5v）,，容易受干擾。另外,，大功率igbt模塊在運(yùn)行過程中產(chǎn)生高的di/dt和du/dt,，會導(dǎo)致igbt模塊上下管門極誤觸發(fā)，導(dǎo)致igbt模塊上下管直通,，產(chǎn)生短路電流,，如果不及時保護(hù)就會導(dǎo)致igbt模塊損壞，嚴(yán)重影響變流器正常運(yùn)行,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于提供風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路,。對IGBT模塊需求也在逐步擴(kuò)大，新興行業(yè)的加速發(fā)展將持續(xù)推動IGBT市場的高速增長,。

    是一種非常直觀...發(fā)表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯(lián)網(wǎng)未來發(fā)聲——物聯(lián)網(wǎng)微功率頻譜應(yīng)用研討會***上午,，來自全國各地及海外的一百多家物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)企業(yè)、用戶單位和科研機(jī)構(gòu)**齊聚北京,，共同參與了“為...發(fā)表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區(qū)別功率是指物體在單位時間內(nèi)所做的功的多少,，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定,，時間越短,，功率值...發(fā)表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護(hù)_電解電容浪涌電壓措施在電子設(shè)計中，浪涌主要指的是電源（只是主要指電源）剛開通的那一瞬息產(chǎn)生的強(qiáng)力脈沖,，由于電路本身的非線...發(fā)表于2018-01-1111:11?301次閱讀什么是浪涌電壓_浪涌電壓產(chǎn)生原因浪涌也叫突波,，就是超出正常電壓的瞬間過電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流...發(fā)表于2018-01-1111:09?686次閱讀解析充電IC中的功率管理策略：動態(tài)路徑管理***MPS小編要和大家聊一聊充電IC中的功率管理策略：動態(tài)路徑管理,。在照明,、工業(yè)、消費(fèi),、交通,、醫(yī)療、可再生能源,、電力傳輸?shù)缺姸囝I(lǐng)域中獲得了***的應(yīng)用,。貴州私人模塊

新能源汽車上用的IGBT模塊，客戶要求CTI值大于250V左右,。天津貿(mào)易模塊進(jìn)貨價

    我國的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計,、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計+代工”模式，即由設(shè)計公司提出芯片設(shè)計方案,，由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn),。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工,，所以設(shè)計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片,。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題,，如芯片的減薄工藝,，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù),，更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備,，這些都是我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計有非穿通型(NPT),、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類型,，在改善IGBT的開關(guān)性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設(shè)計在工藝上實(shí)現(xiàn)卻有相當(dāng)大的難度,。尤其是薄片工藝和背面工藝,。工藝上正面的絕緣鈍化，背面的減薄國內(nèi)的做的都不是很好,。低溫藥芯錫絲薄片工藝,，特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件，芯片厚度也是特定的,，需要減薄到200-100um,，甚至到80um,，現(xiàn)在國內(nèi)可以將晶圓減薄到175um,，再低就沒有能力了。比如在100~200um的量級,，當(dāng)硅片磨薄到如此地步后,，后續(xù)的加工處理就比較困難了。天津貿(mào)易模塊進(jìn)貨價

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司是以IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器研發(fā),、生產(chǎn),、銷售、服務(wù)為一體的一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù),、技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,、技術(shù)推廣,；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售,；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售,；電子測量儀器銷售,；機(jī)械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動和電動工具銷售,；電氣設(shè)備銷售,；光電子器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售,；半導(dǎo)體照明器件銷售,；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件銷售,；集成電路銷售,；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售,；模具銷售,；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售,；電工儀器儀表銷售,；電工器材銷售；儀器儀表銷售,；辦公設(shè)備銷售,；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售,；日用百貨銷售,；機(jī)械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售,；密封用填料銷售,；密封件銷售；高性能密封材料銷售,；橡膠制品銷售,；塑料制品銷售；文具用品批發(fā),；文具用品零售,；金屬材料銷售,；金屬制品銷售；金屬工具銷售,；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計,；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）企業(yè)，公司成立于2022-03-29,，地址在昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機(jī)電城北樓A201,。至創(chuàng)始至今，公司已經(jīng)頗有規(guī)模,。公司主要經(jīng)營IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等,，我們始終堅持以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，良好的服務(wù)理念,，優(yōu)惠的服務(wù)價格誠信和讓利于客戶,，堅持用自己的服務(wù)去打動客戶。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo),，并始終如一地堅守這一原則,，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求,，產(chǎn)品獲得市場及消費(fèi)者的高度認(rèn)可,。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器產(chǎn)品售前服務(wù),，為客戶提供周到的售后服務(wù)。價格低廉優(yōu)惠,，服務(wù)周到,，歡迎您的來電,！