在...發(fā)表于2017-06-1217:28?875次閱讀電阻電容標(biāo)準(zhǔn)值取值法則及電阻的技術(shù)范疇和常見特性如E6系列的公比為6√10≈,，系列的***個(gè)量取,，接下來的量為上臨的量乘以公比值6√10...發(fā)表于2017-06-0914:45?504次閱讀基礎(chǔ)知識：伏安法如何取電阻值及電阻色環(huán)的取值標(biāo)準(zhǔn)拿到色環(huán)電阻要把**靠近電阻端部的那一環(huán)認(rèn)為***環(huán)，否則會讀反,，如三個(gè)環(huán)分別是紅橙黃,，正確讀是2300...發(fā)表于2017-06-0817:15?479次閱讀絕緣電阻該如何測量功率？如何使用兆歐表測量絕緣電...兆歐表的接線柱共有三個(gè)：一個(gè)為“L”即線端,，一個(gè)“E”即為地端,，再一個(gè)“G”即屏蔽端（也叫保護(hù)環(huán)）。...發(fā)表于2017-06-0810:41?336次閱讀什么是電阻分壓,？電阻分壓的工作原理是什么,？電阻分...當(dāng)電流表和其相連電阻連接時(shí)起到分壓效果，此時(shí)用外接（電流表內(nèi)阻一般不足一歐,，但如果于其相連的電阻也只...發(fā)表于2017-06-0716:17?3161次閱讀什么是電阻的高頻工作模式,？電阻電橋的工作原理及其...電橋是用來精密測量電阻或其他模擬量的一種非常有效的方法。作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),，在軌道交通,、智能電網(wǎng)、航空航天,、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣,。浙江哪里有模塊品牌

    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種溝槽柵igbt,。背景技術(shù)：igbt隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)的升級,，主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示)，現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示,，先在半導(dǎo)體襯底上光刻出溝槽,，接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示),，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示),，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示),，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升,，但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來的結(jié)電容的大幅度上升,，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應(yīng)用于高頻場景。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型為解決現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容較大的問題,，提供了一種新的溝槽柵igbt結(jié)構(gòu),。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導(dǎo)體襯底,，所述半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)設(shè)置兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu),；兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)對稱,，溝槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層,，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設(shè)置在溝道區(qū),，所述第二氧化層設(shè)置在非溝道區(qū),，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進(jìn)一步地,。天津智能模塊進(jìn)貨價(jià)IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。

    交直流電壓還可以測量直流電壓。甚至有的萬用表還可以測量晶體管...發(fā)表于2018-01-1819:18?3013次閱讀驗(yàn)證了LCL型濾波器參數(shù)設(shè)計(jì)及光伏并入配電網(wǎng)的逆...從濾波器的原理入手,，對單L型和LCL型濾波器原理進(jìn)行對比分析,，在設(shè)計(jì)方法上，對比傳統(tǒng)的分步設(shè)計(jì)法,，本...發(fā)表于2018-01-1716:00?1327次閱讀怎么用示波器測功率本文介紹了怎么用示波器測功率,，小編為大家總結(jié)了使用示波器執(zhí)行功率測量的七大秘訣。那么,，在測量功率時(shí)我...發(fā)表于2018-01-1510:55?699次閱讀示波器如何測量直流電壓_示波器測量直流電壓方法示波器測量直流電壓方法有兩種,，一種是直接測量法，一種是比較測量法,，這兩種方法都能準(zhǔn)確測出直流電壓,。發(fā)表于2018-01-1509:53?2013次閱讀示波器測量電壓范圍_示波器測量電壓**大量程示波器是***應(yīng)用的測試儀器，利用示波器能觀察各種不同信號幅度隨時(shí)間變化的波形曲線,，還可以用它測試各種...發(fā)表于2018-01-1509:42?408次閱讀如何用示波器測量交流電壓_示波器測量交流電壓方法在電子測量儀器中,，示波器是一種電信號的時(shí)域測量和分析儀器,；它顯示信號隨時(shí)間變化的波形。

    我國的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計(jì),、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段,。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計(jì)+代工”模式，即由設(shè)計(jì)公司提出芯片設(shè)計(jì)方案,，由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn),。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工,，所以設(shè)計(jì)生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片,。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題,，如芯片的減薄工藝,，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù),，更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備,，這些都是我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有非穿通型(NPT),、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類型,，在改善IGBT的開關(guān)性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設(shè)計(jì)在工藝上實(shí)現(xiàn)卻有相當(dāng)大的難度,。尤其是薄片工藝和背面工藝,。工藝上正面的絕緣鈍化，背面的減薄國內(nèi)的做的都不是很好,。低溫藥芯錫絲薄片工藝,，特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件，芯片厚度也是特定的,，需要減薄到200-100um,，甚至到80um，現(xiàn)在國內(nèi)可以將晶圓減薄到175um,，再低就沒有能力了,。比如在100~200um的量級，當(dāng)硅片磨薄到如此地步后,，后續(xù)的加工處理就比較困難了,。IGBT既可以幫助空調(diào)、洗衣機(jī)實(shí)現(xiàn)較小的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,，實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排,。

    四種IGBT模塊常規(guī)測量儀器作者：微葉科技時(shí)間：2015-10-1516:38看了很多的IGBT測量方法，其中不乏極具精髓的,，但不怎么的***?，F(xiàn)在我總結(jié)介紹四招,，有這四招，足以應(yīng)付日常工作中的要求了,。但這是在簡單工具的前提下,，只能說是常規(guī)測量吧。下面先擺出四大裝備（排名不分先后）：數(shù)字萬用表：雖然,，用它來測量有太多的局限性,，但它卻是我們**常用和普遍的工具**。用它測量二極管的管壓降,，不僅能在一定程度上判斷其好壞,，還能判定它們的離散性。數(shù)字電容表：這個(gè)可能是很多人用的比較少吧,，其實(shí)我們都知道,，IGBT的容量大小是有規(guī)律的，容量大它的各種等效電容容量也將同比加大,，如**重要的Cies就是我們的測量對象,。但是，官方給出的多是VGE=0VVCE=10Vf=1MHZ時(shí)的參考數(shù)值,，我們根本沒有條件來做直接對比,。我們使用的數(shù)字電容表多在800HZ的測試頻率。但這不并不影響我們的測量,，我們只要總結(jié)規(guī)律,，以我們現(xiàn)有的這種簡單測試儀表也還是具有非大的靠性的，而且在一定程度上能判斷各個(gè)IGBT管的同一性?，F(xiàn)在很多***商以小充大來賺取暴利,，所以這是一個(gè)很好的方法。萬一你用上了“來歷不明”的模塊而爆機(jī)時(shí)有可能就是這種情況,，不是你技術(shù)不好或是你維修的不夠仔細(xì)。作為與動力電池電芯齊名的“雙芯”之一,，IGBT占整車成本約為7-10%,，是除電池外成本比較高的元件。云南模塊多少錢

對IGBT模塊需求也在逐步擴(kuò)大,，新興行業(yè)的加速發(fā)展將持續(xù)推動IGBT市場的高速增長,。浙江哪里有模塊品牌

    本實(shí)用新型涉及驅(qū)動電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路,。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v,，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關(guān)速度快,，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt,，帶來emc電磁干擾問題,，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚至損壞igbt模塊,，為了提高抗干擾能力,，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號,，控制電路弱信號與igbt模塊的強(qiáng)信號實(shí)現(xiàn)電氣完全隔離,，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高,，但是光纖成本昂貴,；2）、通常采用**的驅(qū)動器和驅(qū)動芯片,，例如風(fēng)電**驅(qū)動器2sd300,，采用專業(yè)的調(diào)制與解調(diào)芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅(qū)動信號,，抗干擾能力強(qiáng),，可靠性高，大量應(yīng)用于風(fēng)電變流器領(lǐng)域,。以上兩種方案雖然解決了風(fēng)電變流器emc抗干擾問題,，但是成本相對較高，較為經(jīng)濟(jì)的解決方案是采用光耦來實(shí)現(xiàn)電氣隔離,，但是光耦的原邊一般采用低壓電路（15v或者5v）,，容易受干擾。另外,，大功率igbt模塊在運(yùn)行過程中產(chǎn)生高的di/dt和du/dt,，會導(dǎo)致igbt模塊上下管門極誤觸發(fā)，導(dǎo)致igbt模塊上下管直通,，產(chǎn)生短路電流,，如果不及時(shí)保護(hù)就會導(dǎo)致igbt模塊損壞，嚴(yán)重影響變流器正常運(yùn)行,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于提供風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路,。浙江哪里有模塊品牌

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司成立于2022-03-29，是一家專注于IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器的****,，公司位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機(jī)電城北樓A201,。公司經(jīng)常與行業(yè)內(nèi)技術(shù)**交流學(xué)習(xí)，研發(fā)出更好的產(chǎn)品給用戶使用。公司業(yè)務(wù)不斷豐富,，主要經(jīng)營的業(yè)務(wù)包括：IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等多系列產(chǎn)品和服務(wù),。可以根據(jù)客戶需求開發(fā)出多種不同功能的產(chǎn)品,，深受客戶的好評,。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)研發(fā)，產(chǎn)品在按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測試完成后,，通過質(zhì)檢部門檢測后推出,。我們通過全新的管理模式和周到的服務(wù)，用心服務(wù)于客戶,。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼秉承著誠信服務(wù),、產(chǎn)品求新的經(jīng)營原則，對于員工素質(zhì)有嚴(yán)格的把控和要求,，為IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器行業(yè)用戶提供完善的售前和售后服務(wù),。