滑環(huán)12的底部固定連接有與傳動桿10配合使用的移動框13,，移動框13位于圓盤9的前側(cè)，傳動桿10的前端延伸至移動框13的內(nèi)部,，傳動桿10的表面與移動框13的內(nèi)壁接觸,，移動框13的底部固定連接有導向桿19，容納槽2內(nèi)壁的底部開設有導向槽20,，導向桿19與導向槽20滑動連接,，通過設置導向桿19和導向槽20,，能夠增加移動框13移動的穩(wěn)定性，防止移動框13移動時傾斜,，滑環(huán)12的頂部固定連接有移動板14,，移動板14的頂部貫穿至底座1的外部，移動板14內(nèi)側(cè)的頂部固定連接有卡桿15,，底座1的頂部設置有igbt功率模塊本體16,，igbt功率模塊本體16底部的兩側(cè)均固定連接有橡膠墊21，橡膠墊21的底部與底座1的頂部接觸,，通過設置橡膠墊21,，能夠增加igbt功率模塊本體16與底座1的摩擦力，防止igbt功率模塊本體16在底座1的頂部非正常移動,，igbt功率模塊本體16兩側(cè)的底部均開設有卡槽17,，卡桿15遠離移動板14的一端延伸至卡槽17的內(nèi)部，通過設置底座1,、容納槽2、一軸承3,、蝸桿4,、轉(zhuǎn)盤5、第二軸承6,、轉(zhuǎn)軸7,、蝸輪8、圓盤9,、傳動桿10,、滑桿11、滑環(huán)12,、移動框13,、移動板14、卡桿15,、igbt功率模塊本體16和卡槽17的配合使用,，解決了現(xiàn)有igbt功率模塊的安裝機構(gòu)操作時繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問題,。模塊化,、復合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應用,。本地Mitsubishi三菱IPM模塊報價

    該igbt芯片上設置有：工作區(qū)域,、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括一表面和第二表面,，且,，一表面和第二表面相對設置；一表面上設置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元,，以及，工作區(qū)域的一發(fā)射極單元,、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元,，其中,，第三發(fā)射極單元與一發(fā)射極單元連接，公共柵極單元與一發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開,；第二表面上設有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元；接地區(qū)域設置于一發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處,；電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產(chǎn)生電壓,，并根據(jù)電壓檢測工作區(qū)域的工作電流,。第二方面，本發(fā)明實施例還提供一種半導體功率模塊,，半導體功率模塊配置有一方面的igbt芯片,，還包括驅(qū)動集成塊和檢測電阻；其中,，驅(qū)動集成塊與igbt芯片中公共柵極單元連接,，以便于驅(qū)動工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域工作；以及,，還與檢測電阻連接,，用于獲取檢測電阻上的電壓。本發(fā)明實施例帶來了以下有益效果：本發(fā)明實施例提供了igbt芯片及半導體功率模塊,，igbt芯片上設置有：工作區(qū)域,、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域,；其中,，igbt芯片還包括一表面和第二表面，且,。浙江優(yōu)勢Mitsubishi三菱IPM模塊供應采用功率開關(guān)器件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）,。

    傳統(tǒng)焊錫)的高功率模塊的制備方法。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種奈米銀粒子與微米銀粒子的特定比例范圍,，且因主要組成銀粒子的尺寸為100nm以下的奈米銀粒子,，故所使用的熱處理溫度低于250℃，可避免電子組件在封裝制程中受到高溫而破壞的高功率模塊的制備方法,。本發(fā)明的再一目的在于,，提供一種采用全新非接觸式探針點膠技術(shù)將可避免破壞基板的高功率模塊的制備方法。本發(fā)明的又一目的在于,，提供一種添加具有特殊設計之有機銀離子化合物作為銀前驅(qū)物,，可有效提高燒結(jié)后熱界面材料層之致密性，提高導熱性質(zhì)與機械性質(zhì),，并且有效降低材料成本之高功率模塊之制備方法,。為達以上目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種高功率模塊的制備方法,，其至少包含以下步驟：步驟一：提供一非接觸式探針點膠設備,，以非接觸式探針配合電壓量測自動回饋方式，將一銀基奈米漿料涂布在一散熱基板上,，而該銀基奈米漿料以重量份計,，包含65～70份銀基金屬粒子、5～10份有機銀離子化合物,、1-5份有機添加物,、以及30～40份一溶劑,；其中該銀基金屬粒子由作為主銀粒子,、表面由有機酸保護，且粒徑小于100nm的奈米銀粒子,，以及作為副銀粒子且粒徑為500～1000nm的微米銀粒子組成,。

    該銀基金屬粒子是以化學合成法合成兩種以上粒徑的銀粒子并混合，由作為主銀粒子,、表面由有機酸(如：庚酸或丙酸)保護,，且粒徑小于100nm的奈米銀粒子，以及作為副銀粒子且粒徑為500～1000nm的微米銀粒子組成,，而該奈米銀粒子與該微米銀粒子的重量比為9:1～1:1,；5～10份有機銀離子化合物作為銀前驅(qū)物，主要含有長碳鏈脂肪酸的官能基與銀離子,，并可為2-乙基己酸銀(silver2-ethylhexanoate),；1-5份的有機添加物，可為乙基纖維素或甘油,；30～40份一溶劑,，可為松油醇(α-terpineol)；以及1-3份的第二溶劑，主要為于0～25℃仍為液態(tài)的三級醇類與各級酮醇類的有機溶劑,，并可為醇(1-hydroxybutanone或acetol),、二醇(4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone或diacetonealcohol)、2-甲基-2-丁醇(2-methyl-2-butanol),、或2-丙醇(2-propanol),。上述非接觸式探針點膠設備1如圖2所示，其包含一容器11,，可容納該銀基奈米漿料,；一制動裝置12，設于該容器11的一側(cè),，內(nèi)含步進馬達,，用以作為推壓的動力源；一推進活塞13,，設于該容器11上并與該制動裝置12電性連接,，該推進活塞13的一端為活塞頭131,，另一端為連桿132,，受該制動裝置12驅(qū)動而產(chǎn)生上、下運動,；一探針14,，設于該容器11底端；以及一組傳感器15,。門極驅(qū)動電路,，輸出故障信號。為避免發(fā)生過大的di/dt,，大多數(shù)IPM采用兩級關(guān)斷模式,。

    公共柵極單元與一發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元,；接地區(qū)域設置于一發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處,；電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產(chǎn)生電壓,，并根據(jù)電壓檢測工作區(qū)域的工作電流,。本申請避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠睿岣吡藱z測電流的精度,。本發(fā)明實施例提供的半導體功率模塊,，與上述實施例提供的一種igbt芯片具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問題,，達到相同的技術(shù)效果,。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的半導體功率模塊的具體工作過程,，可以參考前述方法實施例中的igbt芯片對應過程,，在此不再贅述。另外,，在本發(fā)明實施例的描述中,，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”,、“相連”,、“連接”應做廣義理解，例如,，可以是固定連接,，也可以是可拆卸連接，或一體地連接,；可以是機械連接,，也可以是電連接；可以是直接相連,，也可以通過中間媒介間接相連,，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義,。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是,。保護電路可以實現(xiàn)控制電壓欠壓保護,、過熱保護、過流保護和短路保護,。浙江優(yōu)勢Mitsubishi三菱IPM模塊供應

具有GTR(大功率晶體管)高電流密度,、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點。本地Mitsubishi三菱IPM模塊報價

    其中vccu,、vccv,、vccw分別為u、v,、w相上橋臂控制電源輸入的+端,，GNDU、GNDV,、GNDW分別為對應的一端;Vinu,、vinV、vinW分別為上橋臂u,、v,、w相控制信號輸入端,，vcc、GND為下橋臂公用控制電源輸入;vinX,、vinY,、vinZ分別為下橋臂x、Y,、z相控制信號輸入端;vinDB為制動單元控制信號輸入端;ALM為保護電路動作時的報警信號輸出端,。圖1IPM結(jié)構(gòu)框圖R系列IGBT—IPM產(chǎn)品包括：中容量600v系列50A～150A、1200v系列25A～75A;大容量600v系列200A～300A,、1200v系列100A一150A,。共計20多個品種。3功能特點IGBT驅(qū)動功能全部IGBT的驅(qū)動功能為內(nèi)置,。采用軟開關(guān)控制,，分別使用單獨門極電阻，根據(jù)驅(qū)動元件的特性,，可地控制各自的開關(guān)山/dl,。單電源驅(qū)動無需反偏電源，共需4組驅(qū)動電源,，上橋臂側(cè)3組,，下橋臂側(cè)1組公用。由于設計為低阻抗接地方式,，可防止因噪聲而產(chǎn)生的誤導通,。通過檢測IGBT集電極電流進行過電流保護，如集電極電流超過容許值6—8ps,，則軟關(guān)斷IGBT，由于有6—8ps的保護動作延時,，瞬間過電流及噪聲不會導致誤動作,。同時還具有防止誤動作閉鎖功能，在保護動作閉鎖期間,，即使有控制信號輸入,，IGBT也不工作。過電流保護動作時,，短路保護將聯(lián)動,，能抑制因負載短路及橋臂短路的峰值電流。本地Mitsubishi三菱IPM模塊報價