如果只算碳化硅芯片,，在功率半導(dǎo)體方面碳化硅的對比傳統(tǒng)硅基功率芯片，有著無可比擬的優(yōu)勢：碳化硅能承受更大的電流和電壓、更高的開關(guān)速度,、更小的能量損失,、更耐高溫。因此用碳化硅的做成的功率模組可以相應(yīng)的減少了電容,、電感,、線圈、散熱組件的部件,，使得整個功率器件模組更加輕巧,、節(jié)能、輸出功率更強(qiáng),，同時還增強(qiáng)了可靠性,，優(yōu)點(diǎn)十分明顯，具體總結(jié)如下： 1,、更低的阻抗,，帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率； 2,、適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度,； 3、較佳的高溫特性,，能在更高溫度下工作。 晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致,。長寧區(qū)碳化硅生產(chǎn)廠家

碳化硅（SiC）功率器件耐高溫,、抗輻射、具有較高的擊穿電壓和工作頻率,，適于在惡劣條件下工作,，特別是與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅功率器件可將功耗降低一半,，因此可大幅度降低開關(guān)電源,、電機(jī)驅(qū)動器等電路的熱耗、體積和重量,。雖然,，碳化硅功率器件在近幾年才向市場推廣，但目前已應(yīng)用于混合動力汽車和電動汽車設(shè)備中,，正因其在很多方面具有普通硅功率器件****的優(yōu)點(diǎn),，把碳化硅功率器件向航天電子產(chǎn)品中推廣就具有了很重要的實(shí)際意義。 碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用：根據(jù)上述分析,，結(jié)合航天實(shí)際,，碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用主要集中在下面幾個領(lǐng)域。奉賢區(qū)碳化硅定制哪家好通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物,。

純碳化硅為無色,，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致,。純碳化硅是無色透明的晶體,。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃,、綠,、藍(lán)乃至黑色，透明度隨其純度不同而異,。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅),。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種,。β-SiC于2100℃以上時轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC,。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)越石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊,，經(jīng)破碎,、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品,。

利用碳化硅具有耐高溫,，強(qiáng)度大，導(dǎo)熱性能良好,，抗沖擊,，作高溫間接加熱材料，如堅(jiān)罐蒸餾爐,，精餾爐塔盤,，鋁電解槽，銅熔化爐內(nèi)襯,，鋅粉爐用弧型板,，熱電偶保護(hù)管等。利用碳化硅的耐腐蝕,，抗熱沖擊耐磨損,，導(dǎo)熱好的特點(diǎn)，用于大型高爐內(nèi)襯提高了使用壽命,。碳化硅硬度只次于金剛石,，具有較強(qiáng)的耐磨性能，是耐磨管道,、葉輪,、泵室,、旋流器、礦斗內(nèi)襯的理想材料,，其耐磨性能是鑄鐵.橡膠使用壽命的5-20倍也是航空飛行跑道的理想材料之一,。利用其導(dǎo)熱系數(shù)、熱輻射,、高熱強(qiáng)度大的特性,，制造薄板窯具，不只能減少窯具容量,，還提高了窯爐的裝容量和產(chǎn)品質(zhì)量,，縮短了生產(chǎn)周期，是陶瓷釉面烘烤燒結(jié)理想的間接材料,。綠碳化硅含SiC約97%以上,，自銳性好、鈦合金和光學(xué)玻璃,，用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具,。

與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強(qiáng)是傳統(tǒng)硅基器件的10倍,，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍,，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源,、太陽能逆變器,、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。另外,，SiC還用于制造LED,。碳化硅材料各項(xiàng)指標(biāo)均優(yōu)于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍,，理論工作溫度可達(dá)600℃，遠(yuǎn)高于硅器件工作溫度,。技術(shù)成熟度較高,，應(yīng)用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻,。在低擊穿電壓 (約 50V 下）,碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100,。在高擊穿電壓 (約 5kV 下）,比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機(jī)效率,。碳化硅,，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC,。浦東新區(qū)碳化硅定制

碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,，莫桑石。長寧區(qū)碳化硅生產(chǎn)廠家

目前碳化硅的拋光方法主要有：機(jī)械拋光、磁流變拋光,、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）,、電化學(xué)拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）,、摩擦化學(xué)拋光（TCP,，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（***）等?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是目前半導(dǎo)體加工的重要手段,，也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑較有效的工藝方法，是能在加工過程中同時實(shí)現(xiàn)局部和全局平坦化的實(shí)用技術(shù),。CMP的加工效率主要由工件表面的化學(xué)反應(yīng)速率決定,。通過研究工藝參數(shù)對SiC材料拋光速率的影響，結(jié)果表明：旋轉(zhuǎn)速率和拋光壓力的影響較大,；溫度和拋光液pH值的影響不大,。為提高材料的拋光速率應(yīng)盡量提高轉(zhuǎn)速，雖然增加拋光壓力也可提高去除速率,，但容易損壞拋光墊,。長寧區(qū)碳化硅生產(chǎn)廠家

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