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場效應管傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極,、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上,，其工作電流基本上是沿水平方向流動,。VMOS管則不同,，其兩大結構特點:點，金屬柵極采用V型槽結構,；具有垂直導電性,。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動,，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，垂直向下到達漏極D,。因為流通截面積增大,，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管,。柵極(G)，調制溝道電導率的電極,。通過向柵極施加電壓,，可以控制ID,。上海st場效應管參數場效應管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰...

場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力:　將萬用表撥到R×100檔,，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓,。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用,，UDS和ID都將發(fā)生變化,，也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動,。如果手捏柵極時表針擺動很小,，說明管子的放大能力較弱；若表針不動,，說明管子已經損壞,。DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場效應晶體管，同時充當傳感器,、放大器和存儲器節(jié)點,。深圳大功率場效應管型號場效應管注意事項:結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路...

場效應管傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極,、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上,，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,，其兩大結構特點:點,，金屬柵極采用V型槽結構；具有垂直導電性,。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā),，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大,，所以能通過大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管,。場效應晶體管的溝道是摻雜n型半導體或p型半導體的結果,。寧波場效應管使用注意事項場效應晶體管的一個優(yōu)點是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ），從而使控制和流...

場效應管測放大能力:用感應信號法具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D,，給場效應管加上1.5V的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結型場效應管的柵極G,，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣,，由于管的放大作用,，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動,。如果手捏柵極表針擺動較小,，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大,；若表針不動,，說明管是壞的,。場效應管因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,。佛山N溝增強型場效應管現貨場效應管的分類:場效應管分結型、絕緣柵型兩大類,。...

場效應管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數字電路中,，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅動場效應管應用電路電路比較簡單,。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多,，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動,；其次MOSFET的開關速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應,；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理,，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,，還可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性 能,。MOSFET已經得到了大量應用，在消費電子,、工業(yè)產品,、機電設備、智能手機以及其他便攜式數碼電子產品中隨處可見,。柵極(G),，調...

場效應管的類型：DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場效應晶體管,，同時充當傳感器、放大器和存儲器節(jié)點,。它可以用作圖像(光子)傳感器,。FREDFET (快速反向或快速恢復外延二極管場效應晶體管)是一種用于提供非常快速的重啟（關閉）體二極管的特殊的場效應晶體管,，HIGFET (異質結構絕緣柵場效應晶體管)現在主要用于研究MODFET(調制摻雜場效應晶體管)是使用通過在有源區(qū)分級摻雜形成的量子阱結構的高電子遷移率晶體管,。TFET ( 隧道場效應晶體管)是以帶對帶隧道基的晶體管IGBT(IGBT高頻爐)是一種功率控制裝置。它與類雙極的主導電溝道的MOSFET的結構,，并常用于200-3000伏的漏源...

貼片場效應管:1：場效應管是電壓控制器件,，管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,，管子的導電情況取決于基極電流的大小。 2：場效應管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3：場效應管電流IDS與柵極UGS之間的關系由跨導Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關系由放大系數β決定,。也就是說,，場效應管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量,。4：場效應管的輸入阻抗很大,，輸入電流極小,；晶體管輸入阻抗很小,，在導電時輸入電流較大。5：一般場效應管功率較小,，晶體管功率較大,。場效應管極間電容場效應管三個電極之間的電容，它的值越小表示...

場效應管以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通,，二者總保持等電位,。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時,，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引,，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道,，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通,，形成漏極電流ID,。場效應晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。東莞MOS場效應管特點場效應管的參數:場效應管的參數很多,，包括直流參數,、交流參數和極限參數，但一般使用時關注以下主...

場效應管以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通,，二者總保持等電位,。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時,，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引,，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時,，N溝道管開始導通,，形成漏極電流ID。場效應管它靠半導體中的多數載流子導電,，又稱單極型晶體管,。絕緣柵型場效應管原理場效應管注意事項:為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率,，較大漏源電壓...

場效應管傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極,、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動,。VMOS管則不同,，其兩大結構特點:點，金屬柵極采用V型槽結構,；具有垂直導電性,。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動,，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā),，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，垂直向下到達漏極D,。因為流通截面積增大,，所以能通過大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管,。場效應管由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低。佛山P溝耗盡型場效應管生產VMOS場效應管:VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管...

場效應晶體管可以由各種半導體制成,，其中硅是目前常見的,。大多數場效應晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導體加工技術并由單晶半導體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅,、多晶硅,、其他非晶半導體以及薄膜晶體管、有機半導體基有機晶體管(OFET),。有機晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機材料制成,。這種特殊的場效應晶體管使用各種材料制造，例如碳化硅(SiC),、砷化鎵(GaAs),、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月,，IBM宣布已成功地將石墨烯基場效應晶體管應用于集成電路中,。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz,，比標準硅基場效應晶體管高得多,。結型場效應管(結型場效應晶體管)...

場效應晶體管可以由各種半導體制成，其中硅是目前常見的,。大多數場效應晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導體加工技術并由單晶半導體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成,。特殊的基體材料包括非晶硅、多晶硅,、其他非晶半導體以及薄膜晶體管,、有機半導體基有機晶體管(OFET)。有機晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機材料制成,。這種特殊的場效應晶體管使用各種材料制造,，例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs),、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs),。2011年6月，IBM宣布已成功地將石墨烯基場效應晶體管應用于集成電路中,。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz,，比標準硅基場效應晶體管高得多。DEPFET 是在完全耗盡的襯底...

場效應管大功率電路：(1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數的極限值.(2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性.如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓,。(3)MOS場效應管由于輸人阻抗極高,所以在運輸,、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場效應管放人塑料盒子內,保存時比較好放在金屬盒內,同時也要注意管的防潮.場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大...

用測電阻法判別結型場效應管的電極根據場效應管的PN結正,、反向電阻值不一樣的現象,，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上,，任選兩個電極,，分別測出其正、反向電阻值,。當某兩個電極的正,、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時,，則該兩個電極分別是漏極D和源極S,。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換,，剩下的電極肯定是柵極Ｇ,。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極,，測其電阻值,。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極,，其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結的反向,，即都是反向電阻,，可以判...

場效應管在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象,。其次,，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off),，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài),。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場,，只有靠近源極的很短部分,，這更使電流不能流通,。增強型場效應管特點:當Vgs=0時Id(漏極電流)=0。杭州st場效應管生產用測電阻法判別無標志的場效應管：首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,，也就...

場效應管轉移特性曲線：柵極電壓對漏極電流的控制稱為轉移特性,，反映兩者關系的曲線稱為轉移特性曲線。N溝結型場效應管的轉移特性曲線如圖,。當柵極電壓取出不同的電壓時,，漏極電流隨之變化。當柵極電壓=0時,，ID值為場效應管飽和漏極電流IDSS,；當漏極電流=0時，柵極電壓的值為結型場效應管夾斷UQ,。輸出特性曲線：當 Ugs確定時,，反映 ID與 Uds的關系曲線是輸出特征曲線，又稱漏極特性曲線,。按圖示可劃分為三個區(qū)域：飽和區(qū),、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。當起放大作用時,，應該在飽和區(qū)內工作,。請注意，這里的“飽和區(qū)”對應普通三極管的“放放區(qū)”,。增強型場效應管特點:當Vgs=0時Id(漏極電流)=0,。寧波常用場效應管型號場...

場效應管測放大能力:用感應信號法具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D,，給場效應管加上1.5V的電源電壓,，此時表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結型場效應管的柵極G，將人體的感應電壓信號加到柵極上,。這樣,，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小,，說明管的放大能力較差,；表針擺動較大，表明管的放大能力大,；若表針不動,，說明管是壞的,。結型場效應管可以被用來做恒流集成二極管或者定值電阻。中山場效應管作用場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源...

場效應管大功率電路：(1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數的極限值.(2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性.如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓,。(3)MOS場效應管由于輸人阻抗極高,所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場效應管放人塑料盒子內,保存時比較好放在金屬盒內,同時也要注意管的防潮.結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式,，它們是N溝道結型場效應管...

場效應管注意事項:在安裝場效應管時,，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動,，有必要將管殼體緊固起來,；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸5毫米處進行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達到30W。多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應增加,，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此,，并聯(lián)復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。結型場效應管(結型場效應晶體管)使用反向偏置的pn結將柵極與主體電極分開,。廣州st場效應管參數M...

場效應管介紹：場效應晶體管（縮寫FET）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,，也稱為單極型晶體管,。屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）,、噪聲小,、功耗低、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點,。場效應管是電壓控制器件,，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大,。它是利用多數載流子導電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數,；由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,，所以噪聲相對會比較低。場效應管高輸入阻抗容易驅動,，輸入阻抗隨頻率的變化比較小 ...

場效應晶體管既可以作為多數載流子器件（由多子導電）,，又可以作為少數載流子器件（由少子導電）。該器件由電荷載流子（電子或空穴）從源極流到漏極的有源溝道組成,。源極導體和漏極導體通過歐姆接觸聯(lián)結,。溝道的電導率是柵源電壓的函數。場效應晶體管的三個電極包括:源極(S),，載流子經過源極進入溝道,。通常，在源極處進入通道的電流由IS表示,。漏極(D),，載流子通過漏極離開溝道。通常,，在漏極處進入通道的電流由ID表示,。漏極與源極之間的電壓由VDS表示。柵極(G),，調制溝道電導率的電極,。通過向柵極施加電壓，可以控制ID,。場效應管的噪聲系數很小,，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。寧波常用場...

場效應管的檢測方法：（1）判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻,。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極,，因為它和另外兩個管腳是絕緣的,。（2）判定源極S,、漏極D在源-漏之間有一個PN結,，因此根據PN結正、反向電阻存在差異,，可識別S極與D極,。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極,，紅表筆接D極,。（3）測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔,，黑表筆接S極,，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐,。由于測試條件不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典...

場效應管電阻法測電極:根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象,，可以判別出結型場效應管的三個電極,。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極,，分別測出其正,、反向電阻值。當某兩個電極的正,、反向電阻值相等,，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S,。因為對結型場效應管而言,，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G,。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極,，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值,。當出現兩次測得的電阻值近似相等時,，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測出的電阻值均很大,，說明是PN結的反向，即都是反向電阻,，可以判定是P溝道...

場效應管測放大能力:用感應信號法具體方法：用萬用表電阻的R×100檔,，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D,，給場效應管加上1.5V的電源電壓,，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場效應管的柵極G,，將人體的感應電壓信號加到柵極上,。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小,，說明管的放大能力較差,；表針擺動較大，表明管的放大能力大,；若表針不動,，說明管是壞的。場效應管當柵壓為零,，漏極電流也為零,，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。上海全自動場效應管原理VMOS場效應管:...

場效應管與雙極性晶體管的比較場效應管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管,。場效應管是多子導電,，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度,、輻射等外界條件很敏感,，因此，對于環(huán)境變化較大的場合,，采用場效應管比較合適,。場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用,。場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的,，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負,。因此,，使用場效應管比晶體管靈活。結型場效應管也具有三個電極,，它們是：柵極,；漏極；源極,。深圳非絕緣型場效應管作用場效應...

場效應管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應選用場效應管,；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應選用晶體管,。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數載流子,，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件,。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好,。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應用,。場效應管輸入結電容?。ǚ答侂娙荩敵龆素撦d的變化對輸入端影響小,。無錫場效應管命名場效應管...

場效應管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小,，說明均是正向電阻,，該管屬于N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐?！　∽⒁獠荒苡么朔ㄅ卸ń^緣柵型場效應管的柵極,。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小,，測量時只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞,。在場效應晶體管中,，當以線性模式工作時,，電子可以沿任意方向流過溝道。珠海場效應管批發(fā)價與雙極型晶體管相比,，場效應管具有如下特點,。（...

場效應管的參數:場效應管的參數很多，包括直流參數,、交流參數和極限參數,，但一般使用時關注以下主要參數：1、I DSS — 飽和漏源電流,。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，柵極電壓U GS=0時的漏源電流?！?,、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。　3,、UT — 開啟電壓,。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓,。4,、gM — 跨導。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力,，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數。場效應管可以方便地用作恒流源,。P溝道場效應管廠家供應場效應管的...

場效應管與晶體管的比較：（1）場效應管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應選用場效應管,；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應選用晶體管,。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數載流子,，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件,。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負,，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應用。場效應管當柵壓為零,，漏極電流也為零,，必須再...

場效應管的主要參數：① 開啟電壓VGS（th） （或VT）開啟電壓是MOS增強型管的參數,，柵源電壓小于開啟電壓的好不要值,，場效應管不能導通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數,，當VGS=VGS（off） 時,，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應三極管,，當VGS=0時所對應的漏極電流,。④ 輸入電阻RGS場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結型場效應三極管,，反偏時RGS約大于107Ω,，對于絕緣柵場型效應三極管，RGS約是109～1015Ω,。場效應管具有噪聲小,、功耗低、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現象。臺州J型場效應管原理場效應管的主要參數 ...