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場效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測試儀器,、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí)，先焊源極,；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí),，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,，焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時(shí),，好不要不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意。HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究,。廣州加強(qiáng)型場效應(yīng)管分類場效應(yīng)管場效晶體管（場效應(yīng)晶體管,、場效應(yīng)管)是一種用電場效應(yīng)來控制電流的電...

場效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存,，而絕緣柵型場效應(yīng)管在不使用時(shí),，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路,，以免外電場作用而使管子損壞,。焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線,，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子,。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接,。特別在焊接絕緣柵場效應(yīng)管時(shí),，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接,。對于功率型場效應(yīng)管,，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨鲂?yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器,，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作,。場效應(yīng)管電子遷移在固體晶格中,，有無規(guī)則運(yùn)動(dòng)。東莞絕緣柵型場效應(yīng)管命名場...

MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種,。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型,。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因,。場效應(yīng)管輸入結(jié)電容小（反饋電容）,，輸出端負(fù)載的變化對輸入端影響...

場效應(yīng)管的分類:場效應(yīng)管分結(jié)型,、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名,。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,，應(yīng)用為普遍的是MOS場效應(yīng)管,，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）,；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管,，以及近剛問世的πMOS場效應(yīng)管,、VMOS功率模塊等?！“礈系腊雽?dǎo)體材料的不同,，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分,，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型,。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的,。場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法...

用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,、柵極與漏極,、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔,，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號(hào)的管,，其電阻值是各不相同的）,，如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良,；如果測得阻值是無窮大,，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔,，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間,、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大,，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說明...

用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正,、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上,，任選兩個(gè)電極,，分別測出其正、反向電阻值,。當(dāng)某兩個(gè)電極的正,、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí),，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S,。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換,，剩下的電極肯定是柵極Ｇ,。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極,，測其電阻值,。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極,，其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向,，即都是反向電阻,，可以判...

結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù),，則溝道變寬,，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說,，場效應(yīng)管是電壓控制元件,。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不?huì)因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路,。增強(qiáng)型場效應(yīng)管特點(diǎn):當(dāng)Vgs=0時(shí)Id(漏極電流)=0。徐州場效應(yīng)管原理場效應(yīng)晶體管既可以作...

場效應(yīng)管注意事項(xiàng):在安裝場效應(yīng)管時(shí),，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來,；管腳引線在彎曲時(shí),，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達(dá)到30W。多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此,，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。場效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。深圳st場效應(yīng)管原理場效應(yīng)管MOSF...

場效應(yīng)管測放大能力:用感應(yīng)信號(hào)法具體方法：用萬用表電阻的R×100檔,，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D，給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極G，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上,。這樣,，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小,，說明管的放大能力較差,；表針擺動(dòng)較大,，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng),，說明管是壞的,。場效應(yīng)晶體管的一個(gè)常見用途是用作放大器。江蘇耗盡型場效應(yīng)管用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極...

場效應(yīng)管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極,。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,。　　注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極,。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小，測量時(shí)只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞。場效應(yīng)管因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,。東莞絕緣柵型場效應(yīng)管特點(diǎn)MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，英文縮...

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端,，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外,，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）,、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行,；在電路設(shè)計(jì)中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候,，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L,，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較...

與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn),。（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低。場效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成,。廣州固電場效應(yīng)管型號(hào)場效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成，其中硅是目前常見的,。大多數(shù)場效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作...

MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道結(jié)...

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型,。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型,。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,，加上正確的VGS時(shí)...

場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低,，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,，被稱之為雙極型器件,。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。場效應(yīng)晶體管的一個(gè)常見用途是用作放大器。東莞氮化鎵場效應(yīng)管命名場效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開啟...

場效應(yīng)管場效晶體管（場效應(yīng)晶體管,、場效應(yīng)管)是一種用電場效應(yīng)來控制電流的電子器件,。場效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極,、柵極和漏極,。場效應(yīng)晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會(huì)改變漏極和源極之間的電導(dǎo)率,。場效應(yīng)晶體管因其只需要一種載流子起作用,，故又稱為單極型晶體管。場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器,。即,，場效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子?，F(xiàn)已有許多不同類型的場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管通常在低頻時(shí)顯示非常高的輸入阻抗,。柵極(G),，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極。通過向柵極施加電壓,，可以控制ID,。深圳N型場效應(yīng)管命名場效應(yīng)管的參數(shù):場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、...

場效應(yīng)管屬于電壓控制元件,，這一點(diǎn)類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的,，與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過UGS來控制ID,；（2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),；（6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低。場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分,。上海大功率場效應(yīng)管生產(chǎn)場效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開啟電壓VGS（th） （或VT...

場效應(yīng)管輸入電阻基本是無窮大，但是GS之間存在一個(gè)電容,，而且場效應(yīng)管能承受電流越大,，Cgs一般也越大，在高速開關(guān)時(shí),，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換,，那么前級的推動(dòng)電路就需要對MOS的輸入電容進(jìn)行充放電，如果不要驅(qū)動(dòng)電路,，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動(dòng)輸出電阻越大,，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當(dāng)一部分時(shí)間內(nèi)工作在線性區(qū)域,，從而導(dǎo)致開關(guān)效率降低,！例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k（或R×100）檔,，紅表筆接S極,，黑表筆...

場效應(yīng)管輸入電阻基本是無窮大，但是GS之間存在一個(gè)電容,，而且場效應(yīng)管能承受電流越大,，Cgs一般也越大，在高速開關(guān)時(shí),，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換,，那么前級的推動(dòng)電路就需要對MOS的輸入電容進(jìn)行充放電，如果不要驅(qū)動(dòng)電路,，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動(dòng)輸出電阻越大,，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當(dāng)一部分時(shí)間內(nèi)工作在線性區(qū)域,，從而導(dǎo)致開關(guān)效率降低,！例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k（或R×100）檔,，紅表筆接S極，黑表筆...

場效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,，也就是源極S和漏極D,，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,，對調(diào)表筆再測量一次,，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極D,；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S,、D極,，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極,；紅表筆所接地是S極,，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D,、源極S的位置后,，按D、S的對應(yīng)位置裝人電路,，一般G1,、G2也會(huì)依次對準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,，從而就確定了D,、S、G1,、G2管...

結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈小,；反之,，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬,，ID變大,，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說,，場效應(yīng)管是電壓控制元件,。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不?huì)因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路,。漏極與源極之間的電壓由VDS表示。中山半自動(dòng)場效應(yīng)管原理場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對漏極...

場效應(yīng)管輸入電阻基本是無窮大,，但是GS之間存在一個(gè)電容,，而且場效應(yīng)管能承受電流越大，Cgs一般也越大,，在高速開關(guān)時(shí)，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換,，那么前級的推動(dòng)電路就需要對MOS的輸入電容進(jìn)行充放電,，如果不要驅(qū)動(dòng)電路，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動(dòng)輸出電阻越大,，MOS的Vgs上升或下降越慢）,，這樣就使得MOS在相當(dāng)一部分時(shí)間內(nèi)工作在線性區(qū)域，從而導(dǎo)致開關(guān)效率降低！例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極,，黑表筆...

場效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,，可以在開路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場效應(yīng)管在不使用時(shí),，由于它的輸入電阻非常高,，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞,。焊接時(shí),，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子,。對于少量焊接,，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應(yīng)管時(shí),，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接,，并且要斷電焊接。對于功率型場效應(yīng)管,，要有良好的散熱條件,。因?yàn)楣β市蛨鲂?yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器,，確保殼體溫度不超過額定值,，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。柵極(G),，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極,。通過向柵極施加電壓，可以控制ID,。珠...

場效應(yīng)管的分類:場效應(yīng)管分結(jié)型,、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名,。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用為普遍的是MOS場效應(yīng)管,，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）,；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管,，以及近剛問世的πMOS場效應(yīng)管,、VMOS功率模塊等。　按溝道半導(dǎo)體材料的不同,，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種,。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型,。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的,。場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為...

MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因,。場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。寧波P溝耗盡型...

場效應(yīng)管介紹：場效應(yīng)晶體管（縮寫FET）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),。場效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；場效應(yīng)管的輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻很大,。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲相對會(huì)比較低。場效應(yīng)管它靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管,。...

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端,，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外,，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L,，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較...

結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈??；反之,，如果柵極電壓沒有那么負(fù),，則溝道變寬,，ID變大,，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說,，場效應(yīng)管是電壓控制元件,。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同,。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不?huì)因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路,。場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。珠海P溝增強(qiáng)型場效應(yīng)管現(xiàn)貨與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)...

場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）,。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件,。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS。場效應(yīng)管很高的輸入阻抗...

VMOS場效應(yīng)管:VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）,、工作電流大（1.5A～100A）,、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好,、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性,。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）,、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的,，可以互換使用,。泰州場效應(yīng)管廠家供應(yīng)MO...