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可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域 可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光,、勵磁,、電鍍、電解,、充放電,、電焊機、等離子弧,、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,，如工業(yè)、通信,、電力系統(tǒng),、電力系統(tǒng)等及其它各種電控,、電源等，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,，完成電流穩(wěn)定,、電壓穩(wěn)定和軟啟動。并可結(jié)束過流,、過電壓,、過溫、缺乏平衡維護功能,。 可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高,、控制特性好、壽命長,、體積小、功能強等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門**的學科,。 可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公...

您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎,？ 可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓,，只有當正向觸發(fā)電壓時,，可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽極電流達到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流，即高于電流IL?？煽毓鑼ê蟮碾妷航岛苄?。 接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,，即保持電流IH,。有兩種方法： 1.將正極電壓降低至數(shù)值,，或添加反向陽極電壓,。 2.增加負載電路中的電阻。 以上是可控硅模塊的導通狀態(tài),，希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴,！福建可控硅模塊配件 雙向可控硅的檢測 用萬用表電阻R×1檔，用紅黑...

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,，電流承載能力大,，熱循環(huán)負載次數(shù)是國標的進10倍,，焊接工藝獨特,，絕緣強度高，導熱性能好,?？煽毓枘K的工作場所應(yīng)干燥、無腐蝕性氣體,、通風,、無塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃,，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟： 1,、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔,。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂,，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等,。 2,、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫,，套上絕緣熱縮管,，用熱風或熱水加熱收縮，導線截面積按電流密度<4A/mm2選取,，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上,。 3、 將接...

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域 可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制,、調(diào)光,、勵磁、電鍍,、電解,、充放電、電焊機,、等離子弧,、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合，如工業(yè),、通信,、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控,、電源等,，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定,、電壓穩(wěn)定和軟啟動,。并可結(jié)束過流、過電壓,、過溫,、缺乏平衡維護功能。 可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高,、控制特性好,、壽命長、體積小,、功能強等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門**的學科,。 可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公...

可控硅鑒別三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以判斷出來。 陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）,。 控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。另外，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，...

可控硅模塊特點： 1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。 2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值,。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍,。同時,，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。 3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為了減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇...

單向可控硅的檢測 萬用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳,，此時黑筆接的引腳為控制極G,，紅筆接的引腳為陰極K,，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,，紅表筆仍接陰極K,。此時萬用表指針應(yīng)不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G,，此時萬用表指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右,。如陽極A接黑表筆,，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),，說明該單向可控硅已擊穿損壞,。 淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實力和豐富的實踐經(jīng)驗。云南小功率可控硅模塊 斷一個可控硅元件是否完好,，工程師需要從四個方面進行檢查,，首先是判斷該元件的三個PN結(jié)...

導通角與模塊輸出電流的關(guān)系：山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關(guān)系，模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流,。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄,。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小）,，但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀,。因此,，山東可控硅模塊應(yīng)選擇在強大導通角的65％以上工作,，及控制電壓應(yīng)在5V以上。淄博正高電氣有限公司和客戶攜手誠信合作，共創(chuàng)輝煌！廣西反并聯(lián)可控硅模塊報價 可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊...

滿足可控硅模塊工作的必要條件： （1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。 ①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv ,。 ②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A,，標稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A,。 （2）可控硅模塊控制信號：0～10V或4～20mA控制信號,，用于對輸出電壓大小進行調(diào)整的控制信號，正極接CON10V或CON20mA,，負極接GND1,。 （3）可控硅模塊供電電源和負載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器,，接可控硅模塊的輸入端子...

可控硅模塊屬于電氣元器件,，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關(guān)器件,，它是從普通可控硅模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,，使用更加方便,、安全可靠,。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能。 雙向可控硅模塊是由一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,，工作原理與普通單向可控硅相同,。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G,， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導通,，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性,。雙向可控硅模塊門極加正、負觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導通,，因此有四種觸發(fā)方式,。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數(shù),，對雙向可控硅模塊進行適當選用并采取相應(yīng)...

可控硅模塊屬于電氣元器件,，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關(guān)器件，它是從普通可控硅模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,，使用更加方便、安全可靠,。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能,。 雙向可控硅模塊是由一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同,。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G,， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導通，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性,。雙向可控硅模塊門極加正,、負觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導通,，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅模塊,，需定量掌握其主要參數(shù),，對雙向可控硅模塊進行適當選用并采取相應(yīng)...

接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞,。反向阻值應(yīng)很大,，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值,。 如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽極,，紅表筆仍接陰極,，此時萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰極不動,，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖...

雙向可控硅晶閘管使用中,，應(yīng)特別注意以下事項： 1.靈敏度 雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極,，而是稱作T1和T2極,，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通,，但是觸發(fā)靈敏度互不相同,，即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。 2.可控硅過載的保護 可控硅元件優(yōu)點很多,，但是它過載能力差,，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞,，因此為保證元件正常工作,，需有條件： （1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用,； （2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的...

相信大家對于可控硅模塊并不陌生了,，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣,，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢,，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎,？下面為大家講解。 可控硅模塊的主要參數(shù)有： (1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。 (2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時,，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓,。可控硅模塊承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。 (3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電...

可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用，但可控硅使用中必須要注意運行環(huán)境和相關(guān)指標,，防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用,。對此，在選用可控硅的額定電壓時,，應(yīng)參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,，并留出一定的余量。 1,、選用可控硅的額定電流時,，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導通角的大小,、散熱通風條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。 2,、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,，應(yīng)立即更換,。 3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況,。 4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并...

導通角與模塊輸出電流的關(guān)系：山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關(guān)系,，模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流,。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大,，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值,，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀,。因此，山東可控硅模塊應(yīng)選擇在強大導通角的65％以上工作,，及控制電壓應(yīng)在5V以上,。淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌,。菏澤雙向可控硅模塊組件 可控硅鑒別三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，用萬用表測量一下三個極之間的電...

正高可控硅擁有體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線簡單,、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎,。目前，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點,，應(yīng)用于各行業(yè),，暢銷省內(nèi)外地區(qū)。 可控硅模塊的分類 可控硅模板從X芯片上看,，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX),、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機專用模塊MTG\...

實際上,，可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測量，因此不能用它作為是否超溫的判據(jù),。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結(jié)溫是一種有效的方法,。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度,，知道了殼溫也就知道了結(jié)溫，而相當高殼溫Tc是限定的,，由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出,。借助溫控開關(guān)可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當高的位置）。從溫控天關(guān)測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常,。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路,，分別控制風機的開啟或主回路的通斷（停機），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作,。 需要指出的是,，溫控開關(guān)測量到的溫度是模...

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅,。單向可控硅有陽極A,、陰極K、控制極G三個引出腳,。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1),，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳,。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通,。此時A,、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V,。單向可控硅導通后,，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài),。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài),。單向可控硅一旦截止，即...

可控硅模塊主要優(yōu)點如下： （1）采用進口方形可控硅支撐板,，降低了可控硅模塊的電壓,，功耗低，效率高,，節(jié)能效果好,。 （2）采用進口插入元件，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。 （3）（DCB）陶瓷銅板采用獨特的處理和特殊的焊接工藝,，保證了晶閘管組件的焊接層無空腔,，導熱性好,。 （4）導熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能,。 （5）觸發(fā)控制電路、主電路和導熱基板相互隔離,，導熱基板不帶電,，介電強度≥2500V，保證安全,。 （6）通過輸入0-10V直流控制信號,，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。 （7）可采用手動控制,、儀表控制或微機控制,。 （8）適用于電...

可控硅模塊特點： 1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。 2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值,。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍,。同時,，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。 3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為了減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇...

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域 可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光,、勵磁,、電鍍、電解,、充放電,、電焊機、等離子弧,、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,，如工業(yè)、通信,、電力系統(tǒng),、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等,，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,，完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動。并可結(jié)束過流,、過電壓,、過溫、缺乏平衡維護功能,。 可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高,、控制特性好、壽命長,、體積小,、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門**的學科。 可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展,。 不斷開發(fā)新的產(chǎn)品，...

斷一個可控硅元件是否完好,，工程師需要從四個方面進行檢查,，首先是判斷該元件的三個PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通,，第三是當控制極開路時,，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通，第四是給控制極加上正向電流,，給陰極與陽極加正向電壓時,，可控硅應(yīng)當導通，把控制極電流去掉后仍處于導通狀態(tài),。滿足以上四個條件的可控硅元件,，才是符合設(shè)計使用要求的。 想要看一個可控硅元件是否符合以上要求,，其實非常簡單,，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對前三個方面的好壞進行判斷,。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),，此兩個...

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K,、控制極G三個引出腳,。雙向可控硅有一陽極A1(T1),，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳,。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通,。此時A,、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V,。 單向可控硅導通后,，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在...

斷一個可控硅元件是否完好，工程師需要從四個方面進行檢查,，首先是判斷該元件的三個PN結(jié)應(yīng)完好,，其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通，第三是當控制極開路時,，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通,，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時,，可控硅應(yīng)當導通,，把控制極電流去掉后仍處于導通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件,，才是符合設(shè)計使用要求的,。 想要看一個可控硅元件是否符合以上要求，其實非常簡單,，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,，就可對前三個方面的好壞進行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),，此兩個...

正高可控硅擁有體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎,。目前，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點,，應(yīng)用于各行業(yè),，暢銷省內(nèi)外地區(qū)。 可控硅模塊的分類 可控硅模板從X芯片上看,，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX),、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機專用模塊MTG\...

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,，電流承載能力大，熱循環(huán)負載次數(shù)是國標的進10倍,，焊接工藝獨特,，絕緣強度高，導熱性能好,?？煽毓枘K的工作場所應(yīng)干燥、無腐蝕性氣體,、通風,、無塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃,，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟： 1,、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔,。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂,，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等,。 2,、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,，浸錫，套上絕緣熱縮管,，用熱風或熱水加熱收縮,，導線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上,。 3,、 將接...

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域 可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光,、勵磁,、電鍍、電解,、充放電,、電焊機、等離子弧,、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,，如工業(yè)、通信,、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控,、電源等,，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定,、電壓穩(wěn)定和軟啟動,。并可結(jié)束過流、過電壓,、過溫,、缺乏平衡維護功能,。 可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好,、壽命長,、體積小,、功能強等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門**的學科,。 可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展,。 淄博正高電氣有限公...

任何的東西都有其使用的壽命,，可控硅也不例外,，可控硅模塊使用時間長了,，它的溫度就會升高,，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命,，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法： 1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,，溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時進行。 2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃),。 3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,，也可單獨進行,，...

選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。 所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量,，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍,。 可控硅模塊的正向壓降,、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路（指門極的控制電路）的各頂要求,，不能偏高或偏低,，否則會影響可控硅模塊的正常工作。 上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇,，希望對您有所幫助,。 淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存，以信譽求發(fā)展,！臨沂雙向可控硅模塊 可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,，可以分為可控模塊和整流模塊兩...