將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接,，就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率無級(jí)調(diào)速電路,。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生,，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用,。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題,。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí),，SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通,，導(dǎo)通程度由電位器R2決定,。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，其原理這里從略,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。靜安區(qū)銷售晶閘管報(bào)價(jià)

PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓,。(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷,。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,，2.門極伏安特性區(qū)。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅,。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致:電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。靜安區(qū)品牌晶閘管聯(lián)系人可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管,。

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管,。它具有體積小,、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié),?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。

實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對(duì)可控硅來說,，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作,。反過來，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。黃浦區(qū)哪里晶閘管設(shè)計(jì)

常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。靜安區(qū)銷售晶閘管報(bào)價(jià)

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R,，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4,、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí)，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管),。靜安區(qū)銷售晶閘管報(bào)價(jià)

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