fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下,，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述,。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,，然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE當集電極被施加一個反向電壓時,，J1 就會受到反向偏壓控制,，耗盡層則會向N-區(qū)擴展。靜安區(qū)哪里IGBT模塊供應商

基片的應用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結(jié),。當正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時,，一個N溝道形成，同時出現(xiàn)一個電子流,，并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流,。如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi)，那么,，J1將處于正向偏壓,，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi)，并調(diào)整陰陽極之間的電阻率,，這種方式降低了功率導通的總損耗,，并啟動了第二個電荷流。***的結(jié)果是,，在半導體層次內(nèi)臨時出現(xiàn)兩種不同的電流拓撲：一個電子流(MOSFET 電流),；空穴電流（雙極）。 [4]uGE大于開啟電壓UGE(th)時,，MOSFET內(nèi)形成溝道,，為晶體管提供基極電流，IGBT導通,。 [2]松江區(qū)進口IGBT模塊聯(lián)系人由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V。

3,、調(diào)節(jié)功率開關器件的通斷速度柵極電阻小,，開關器件通斷快，開關損耗??；反之則慢，同時開關損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高,，從而產(chǎn)生較大的干擾,，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧,。二,、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,，柵極電阻的選取會有很大的差異,。初試可如下選取：不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,，可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調(diào)試,。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動的功率決定,，一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅(qū)動功率的2倍,。IGBT柵極驅(qū)動功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率,；U 為驅(qū)動輸出電壓的峰峰值,；

通常為達到更好的驅(qū)動效果，IGBT開通和關斷可以采取不同的驅(qū)動速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的,。IGBT驅(qū)動器有些是開通和關斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。有些驅(qū)動器只有一個輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度,。3,、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動引線的情況下,，偶然加主電高壓,，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge,。由于N+ 區(qū)存在電導調(diào)制效應，所以IGBT 的通態(tài)壓降小,，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V ,。

表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作,。為使IGBT能可靠工作,。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導通后,。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度,，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時,，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū),。IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關，在漏源電流一定的情況下,，VGE越高,，VDS值就越低，器件的導通損耗就越小,，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力,。但是， VGE并非越高越好,，一般不允許超過20 V,，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高,，則電流幅值越高,，IGBT損壞的可能性就越大。通常,，綜合考慮取+15 V為宜,。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱,，而發(fā)生故障,。靜安區(qū)哪里IGBT模塊供應商

其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。靜安區(qū)哪里IGBT模塊供應商

當晶閘管全部導通時，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn),。只在關斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖,。這一特殊現(xiàn)象嚴重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象,，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通,，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益,。此外,，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此,，它與結(jié)溫的關系也非常密切,；在結(jié)溫和增益提高的情況下，P基區(qū)的電阻率會升高，破壞了整體特性,。因此,，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5,。 [2]靜安區(qū)哪里IGBT模塊供應商

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