鑒于尾流與少子的重組有關(guān),，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系,。因此,，根據(jù)所達(dá)到的溫度,，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的,，尾流特性與VCE、IC和 TC有關(guān),。柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí),，MOSFET內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷,，IGBT關(guān)斷,。 [2]反向阻斷當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí)，J1 就會(huì)受到反向偏壓控制,，耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展,。因過(guò)多地降低這個(gè)層面的厚度，將無(wú)法取得一個(gè)有效的阻斷能力,，所以,，這個(gè)機(jī)制十分重要。另一方面,，如果過(guò)大地增加這個(gè)區(qū)域尺寸,，就會(huì)連續(xù)地提高壓降。 [2]正向阻斷當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時(shí),，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn),。奉賢區(qū)質(zhì)量IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

門(mén)極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來(lái)表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù),。該電容幾乎不受溫度影響,，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值,，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù),，因?yàn)樗峭ㄟ^(guò)電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中,，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),，在這種測(cè)量條件下，所測(cè)得的結(jié)電容要比VCE=600V 時(shí)要大一些(如圖2),。由于門(mén)極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V )而不是門(mén)極的門(mén)檻電壓,，在實(shí)際開(kāi)關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller 效應(yīng)）在測(cè)量中也沒(méi)有被包括在內(nèi)，在實(shí)際使用中的門(mén)極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多。因此,，在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用,。虹口區(qū)銷(xiāo)售IGBT模塊報(bào)價(jià)盡量在底板良好接地的情況下操作。

Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè),。例如，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電壓-9V,，則U=24V，假設(shè) F=10KHz,，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián),。三,、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度,；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合，并且不要用過(guò)粗的線,；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感,。2、IGBT 開(kāi)通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻

fsw max. : 比較高開(kāi)關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門(mén)極電壓差時(shí)的 IGBT門(mén)極總電荷RG extern : IGBT 外部的門(mén)極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門(mén)極電阻但是實(shí)際上在很多情況下,，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門(mén)極電荷參數(shù)沒(méi)有給出,，門(mén)極電壓在上升過(guò)程中的充電過(guò)程也沒(méi)有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測(cè)試方法測(cè)量出開(kāi)通能量E,，然后再計(jì)算出QG,。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGEIGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上。

表1 IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化,，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作,。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求,。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度,，使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài),。瞬時(shí)過(guò)載時(shí),，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),，在漏源電流一定的情況下,，VGE越高，VDS值就越低,，器件的導(dǎo)通損耗就越小,，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是,， VGE并非越高越好,，一般不允許超過(guò)20 V，原因是一旦發(fā)生過(guò)流或短路,，柵壓越高,，則電流幅值越高,，IGBT損壞的可能性就越大,。通常，綜合考慮取+15 V為宜,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓,。奉賢區(qū)質(zhì)量IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT 的通態(tài)壓降小,，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V ,。奉賢區(qū)質(zhì)量IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開(kāi)關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+ 區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。奉賢區(qū)質(zhì)量IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

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