Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT,、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結構，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻,，那柵極回路在驅動器驅動脈沖的激勵下要產生很強的振蕩,，因此必須串聯一個電阻加以迅速衰減,。2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件,，如果沒有柵極電阻,，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上，使其溫度上升很多,。在安裝或更換IGBT模塊時,，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。虹口區(qū)進口IGBT模塊廠家現貨

確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說,，**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),，如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]門極驅動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅動器總功率 P = PG + PS（驅動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG intern奉賢區(qū)質量IGBT模塊廠家現貨盡量在底板良好接地的情況下操作,。

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現,，其電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發(fā)展的需求,，特別是在高壓領域的許多應用中,，要求器件的電壓等級達到10KV以上,。目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用,。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際應用,，日本東芝也已涉足該領域,。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓,、大電流,、高速、低飽和壓降,、高可靠性,、低成本技術，主要采用1um以下制作工藝,，研制開發(fā)取得一些新進展,。 [1]

對于大功率IGBT，選擇驅動電路基于以下的參數要求：器件關斷偏置,、門極電荷,、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,，對IGBT的通態(tài)壓降,、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數有不同程度的影響,。門極驅動條件與器件特性的關系見表1,。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,，而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大,。在門極電路的設計中，還要注意開通特性,、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1),。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,，所產生的額定損耗亦變大,。

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài)),，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞,，為防止此類故障,，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時,，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度,。為了減少接觸熱阻，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂,。一般散熱片底部安裝有散熱風扇,，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障,。因此對散熱風扇應定期進行檢查,，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作 [1],。保管時,，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;上海選擇IGBT模塊銷售廠家

特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大,，發(fā)熱加劇,，選用時應該降等使用。虹口區(qū)進口IGBT模塊廠家現貨

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線,。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高,， Id 越大,。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,，正向電壓由J2 結承擔,，反向電壓由J1結承擔。如果無N+ 緩沖區(qū),，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,，加入N+緩沖區(qū)后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平,，因此限制了IGBT 的某些應用范圍,。IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同,，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,，IGBT 處于關斷狀態(tài)。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內,， Id 與Ugs呈線性關系,。比較高柵源電壓受比較大漏極電流限制，其比較好值一般取為15V左右,。虹口區(qū)進口IGBT模塊廠家現貨

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